分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
SSM3J108TU(TE85L)	-	询价	2405	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3J108	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		20V	1.8A（塔）	1.8V、4V	158mOhm@800mA，4V	1V@1mA		±8V	250pF@10V	-	500毫W（塔）
2SA1315-Y,T6ASNF(J	-	询价	7868	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1315		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1																				80V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	80兆赫
TPC6113(TE85L,F,M)	-	询价	4053	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	TPC6113	MOSFET（金属O化物）		VS-6 (2.9x2.8)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		20V	5A（塔）	2.5V、4.5V	55毫欧@2.5A，4.5V	1.2V@200μA	10nC@5V	±12V	690pF@10V	-	700毫W（塔）
2SC5459(TOJS,Q,M)	-	询价	5031	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC5459		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1																				400V	3A	100μA（ICBO）	NPN	1V@150mA，1.2A	20@300mA，5V	-
TK6A53D(STA4,Q,M)	1.5000	询价	2959	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK6A53	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		525伏	6A（塔）	10V	1.3欧姆@3A，10V	4.4V@1mA	12nC@10V	±30V	600pF@25V	-	35W（温度）
2SA1429-Y(T2OMI,FM	-	询价	3230	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SA1429		1W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																				80V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	80兆赫
MT3S20TU(TE85L)	-	询价	2541	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	MT3S20		900毫W	UFM	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			12分贝																	12V	80毫安		NPN		100@50mA，5V	7GHz			1.45dB@20mA，5V
2SA1668	-	询价	4425	东芝半导体和存储	*	管子	的积极				2SA166				-	符合RoHS标准	1（无限制）	2SA1668TS		0000.00.0000	50
TPCA8011-H(TE12LQM	-	询价	5101	东芝半导体和存储	U-MOSIII-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8011	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		20V	40A（塔）	2.5V、4.5V	3.5毫欧@20A，4.5V	1.3V@200μA	32nC@5V	±12V	2900pF@10V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
RN2307(TE85L,F)	-	询价	3221	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2307		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10欧姆	47欧姆
2SJ668(TE16L1,NQ)	-	询价	3389	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	过时的	150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SJ668	MOSFET（金属O化物）		PW-模具	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SJ668(TE16L1NQ)	EAR99	8541.29.0095	2,000		P沟道		60V	5A（塔）	4V、10V	170毫欧@2.5A，10V	2V@1mA	15nC@10V	±20V	700pF@10V	-	20W（温度）
RN1409,LF	0.1900	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1409		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	22欧姆
RN1910FE,LF(CT	0.2700	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1910		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																				50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	-
TPCF8B01(TE85L,F,M	-	询价	5121	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	TPCF8B01	MOSFET（金属O化物）		VS-8 (2.9x1.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000		P沟道		20V	2.7A（塔）	1.8V、4.5V	110毫欧@1.4A，4.5V	1.2V@200μA	6nC@5V	±8V	470pF@10V	肖特基分散（隔离）	330毫W（塔）
TK14V65W,LQ	3.4800	询价	2719	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘		MOSFET（金属O化物）		4-DFN-EP (8x8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		650伏	13.7A（塔）	10V	280毫欧@6.9A，10V	3.5V@690μA	35nC@10V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	139W（温度）
RN1907,LXHF(CT	0.3600	询价	5768	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1907		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安	500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	10k欧姆	47k欧姆
TMBT3906,LM	0.1800	询价	15	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TMBT3906		320毫W	SOT-23-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	150毫安	100nA（ICBO）	国民党	400mV@5mA、50mA	100@10mA，1V	250兆赫
TPCP8004(TE85L,F)	-	询价	6792	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	TPCP8004	MOSFET（金属O化物）		PS-8 (2.9x2.4)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		30V	8.3A（塔）	4.5V、10V	8.5毫欧@4.2A，10V	2.5V@1mA	26nC@10V	±20V	1270pF@10V	-	840毫W（塔）
RN1909(T5L,F,T)	0.3400	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1909		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	47k欧姆	22k欧姆
2SA1587-BL,LF	0.2700	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SA1587		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																				120V	100毫安	100nA（ICBO）	国民党	300mV@1mA、10mA	350@2mA，6V	100兆赫兹
RN1610(TE85L,F)	0.4800	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN1610		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	-
CUS10F40、H3F	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS10F40	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													40V	670 毫伏 @ 1 安	40V时为20μA	150℃（最高）	1A	74pF @ 0V、1MHz
TK12A60U(Q,M)	-	询价	2935	东芝半导体和存储	DTMOSII	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK12A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	12A（塔）	10V	400mOhm@6A，10V	5V@1mA	14nC@10V	±30V	720pF@10V	-	35W（温度）
RN2911,LXHF(CT	0.4400	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2911		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	10k欧姆	-
HN1C01FU-Y,LXHF	0.4100	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1C01		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	150毫安	100nA（ICBO）	2 NPN（双）	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
2SA1020-O(TE6,F,M)	-	询价	3483	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																				50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
RN4982FE,LF(CT	0.2700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4982		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																				50V	100毫安	100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	10k欧姆	10k欧姆
RN2425(TE85L,F)	0.4000	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2425		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	800毫安	500纳安	PNP - 预偏置	250mV@1mA、50mA	90@100mA，1V	200兆赫		10欧姆
RN4984,LF(CT	0.3500	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4984		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
CMS09(TE12L,Q,M)	0.5300	询价	4497	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-128	CMS09	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													30V	450毫伏@1安	30V时为500μA	-40℃～150℃	1A	70pF@10V、1MHz

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²