分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	当前 - 最大	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电阻@If,F	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
1SS315[上/下]	-	询价	3369	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）		SC-76、SOD-323					南加州大学	下载		1（无限制）	264-1SS315[U/D]TR	EAR99	8541.10.0070	3,000			30毫安																				0.06pF@200mV，1MHz								肖特基 - 单	5V		-
TK8A10K3,S5Q	-	询价	5357	东芝半导体和存储	U-MOSIV	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK8A10		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			100V	8A（塔）	10V	120mOhm@4A，10V	4V@1mA	12.9nC@10V	±20V	530pF@10V	-	18W（温度）
TPC8A06-H(TE12LQM)	-	询价	8606	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	-	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8A06		MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）	TPC8A06HTE12LQM	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			30V	12A（塔）	4.5V、10V	10.1毫欧@6A，10V	2.3V@1mA	19nC@10V	±20V	1800pF@10V	肖特基分化（体）	-
CLH05(T6L,NKOD,Q)	-	询价	1913年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		表面贴装	L-薄™	CLH05		标准		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															200V		980毫伏@5安	35纳秒	10μA@200V	-40℃～150℃	5A	-
RN2610(TE85L,F)	0.4800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN2610			300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																									50V	100毫安							100nA（ICBO）		2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	-
SSM3J325F,LF	0.4100	询价	17号	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3J325		MOSFET（金属O化物）		S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道			20V	2A（塔）	1.5V、4.5V	150mOhm@1A，4.5V	-	4.5V时为4.6nC	±8V	270pF@10V	-	600毫W（塔）
2SA1315-Y,HOF(M	-	询价	8164	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1315			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1																									80V	2A							1μA（ICBO）		国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	80兆赫
CLS03(TE16L,DNSO,Q	-	询价	9888	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		表面贴装	L-薄™	CLS03		肖特基		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															60V		580毫伏@10安		1毫安@60伏	-40℃～125℃	10A	345pF@10V、1MHz
RN1902,LXHF(CT	0.3600	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1902			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																									50V	100毫安							500纳安		2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	10k欧姆	10k欧姆
TK45P03M1,RQ(S	-	询价	5821	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的	-	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK45P03		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道			30V	45A（塔）	4.5V、10V	9.7毫欧@22.5A，10V	2.3V@200μA	25nC@10V	±20V	1500pF@10V	-	-
RN1117(T5L,F,T)	-	询价	6824	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	SIC停产		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1117			100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																									50V	100毫安							500纳安		NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	4.7欧姆
TK8A60W5,S5VX	1.7500	询价	6899	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK8A60		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			600伏	8A（塔）	10V	540毫欧@4A，10V	4.5V@400μA	22nC@10V	±30V	590 pF @ 300 V	-	30W（温度）
2SA949-O(TE6,F,M)	-	询价	1856年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA949			800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																									150伏	50毫安							100nA（ICBO）		国民党	800mV@1mA，10A	70@10mA，5V	120兆赫
2SD2257(Q,M)	-	询价	9334	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SD2257			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1																									100V	3A							10μA（ICBO）		NPN	1.5V@1.5mA，1.5A	2000 @ 2A、2V	-
SSM3J35MFV，L3F	0.2300	询价	53	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	SSM3J35		MOSFET（金属O化物）		VESM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000		P沟道			20V	100mA（塔）		8欧姆@50mA，4V	-			12.2pF@3V	-	150毫W（塔）
TPH1R403NL,L1Q	1.5500	询价	5	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH1R403		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道			30V	60A（塔）	4.5V、10V	1.4毫欧@30A，10V	2.3V@500μA	46nC@10V	±20V	4400pF@15V	-	1.6W（Ta）、64W（Tc）
TK100S04N1L,LXHQ	1.7200	询价	8020	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK100S04		MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道			40V	100A（塔）	4.5V、10V	2.3毫欧@50A，10V	2.5V@500μA	76nC@10V	±20V	5490pF@10V	-	180W（温度）
RN1903FE,LF(CT	0.2500	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1903			100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	4,000																									50V	100毫安							500纳安		2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	22k欧姆
RN1971TE85LF	0.0618	询价	6883	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1971			200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																									50V	100毫安							100nA（ICBO）		2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	10k欧姆	-
RN1101,LF(CT	0.2000	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1101			100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																									50V	100毫安							500纳安		NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
TK7E80W,S1X	2.8500	询价	8245	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3	TK7E80		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			800V	6.5A（塔）	10V	950毫欧@3.3A，10V	4V@280μA	13nC@10V	±20V	700 pF @ 300 V	-	110W（温度）
SSM3J358R，LF	0.4700	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSVII	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3J358		MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道			20V	6A（塔）	1.8V、8V	22.1毫欧@6A、8V	1V@1mA	8V时为38.5nC	±10V	1331pF@10V	-	1W（塔）
TK28A65W,S5X	5.0100	询价	34	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK28A65		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			650伏	27.6A（塔）	10V	110毫欧@13.8A，10V	3.5V@1.6mA	75nC@10V	±30V	3000 pF @ 300 V	-	45W（温度）
TPH7R506NH,L1Q	1.4700	询价	26	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH7R506		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道			60V	22A（塔）	10V	7.5毫欧@11A，10V	4V@300μA	31nC@10V	±20V	2320pF@30V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
RN2113,LXHF(CT	0.0624	询价	9067	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2113			100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																									50V	100毫安							100nA（ICBO）		PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	47欧姆
2SC5200-O(Q)	3.0600	询价	2325	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3PL	2SC5200			150W	TO-3P(L)	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0075	100																									230伏	15A							5μA（ICBO）		NPN	3V@800mA，8A	80@1A，5V	30兆赫兹
TK7P60W,RVQ	1.8400	询价	9031	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK7P60		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道			600伏	7A（塔）	10V	600毫欧@3.5A，10V	3.7V@350μA	15nC@10V	±30V	490 pF @ 300 V	-	60W（温度）
GT40WR21,Q	11.0200	询价	7358	东芝半导体和存储	-	托盘	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		标准		375W	TO-3P(N)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	100				-																				-	1350伏	40A	80A	5.9V@15V，40A	-	-
HN1C03F-B(TE85L,F)	0.1485	询价	6796	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	HN1C03			300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																									20V	300毫安							100nA（ICBO）		2 NPN（双）	100毫伏@3毫安，30毫安	350@4mA，2V	30兆赫兹
TBAV70,LM	0.2100	询价	280	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-23-3 读写	TBAV70		标准		SOT-23-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)														1对共轴线	80V	215毫安				-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²