分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	当前 - 最大	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电阻@If,F	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
2SA1931，NETQ（J）	-	询价	8766	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1931		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																								50V	5A			1μA（ICBO）		国民党	400mV@200mA，2A	100 @ 1A、1V	60兆赫
2SA1428-O,T2WNLF(J	-	询价	6056	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SA1428		900毫W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																								50V	2A			1μA（ICBO）		国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
RN2117(TE85L,F)	0.3900	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2117		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安			500纳安		PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫	10欧姆	4.7欧姆
TK12A45D(STA4,Q,M)	2.2300	询价	第1473章	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK12A45	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		450伏	12A（塔）	10V	520毫欧@6A，10V	4V@1mA	24nC@10V	±30V	1200pF@25V	-	45W（温度）
2SD2206,T6F(J	-	询价	第1678章	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SD2206		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																								100V	2A			10μA（ICBO）		NPN	1.5V@1mA、1A	2000 @ 1A，2V	100兆赫兹
RN1117MFV，L3F	0.1800	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1117		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	8,000																								50V	100毫安			500纳安		NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	4.7欧姆
RN1970(TE85L,F)	0.4700	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1970		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安			100nA（ICBO）		2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	-
2SB1457(T6DW,F,M)	-	询价	5222	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SB1457		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1																								100V	2A			10μA（ICBO）		国民党	1.5V@1mA、1A	2000 @ 1A，2V	50兆赫
2SA1972,F(J	-	询价	7950	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1972		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1																								400V	500毫安			10μA（ICBO）		国民党	1V@10mA，100mA	140@20mA，5V	35兆赫
2SA1242-Y(Q)	-	询价	3646	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	2SA1242		1W	PW-模具	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	200																								20V	5A			100nA（ICBO）		国民党	1V@100mA，4A	160@500mA，2V	170兆赫
TTD1415B,S4X(S	-	询价	3496	东芝半导体和存储	*	管子	的积极				TTD1415				下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50
2SC3668-Y,T2F(M	-	询价	8734	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC3668		1W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																								50V	2A			1μA（ICBO）		NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
2SC6026CT-GR,L3F	0.3700	询价	42	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883	2SC6026		100毫W	CST3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																								50V	100毫安			100nA（ICBO）		NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	60兆赫
RN4983FE,LF(CT	0.2700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4983		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																								50V	100毫安			100nA（ICBO）		1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	22k欧姆
2SD2695(T6CANO,F,M	-	询价	9371	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SD2695		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																								60V	2A			10μA（ICBO）		NPN	1.5V@1mA、1A	2000 @ 1A，2V	100兆赫兹
RN1911(T5L,F,T)	-	询价	2298	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1911		100毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安			100nA（ICBO）		2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	-
RN1416，LF	0.2000	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1416		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安			500纳安		NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	10欧姆
2SA1313-Y,LF	0.3400	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SA1313		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	500毫安			100nA（ICBO）		国民党	250毫伏@10毫安，100毫安	120@100mA，1V	200兆赫
2SC2705-O(TE6,F,M)	-	询价	6177	东芝半导体和存储	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2705		800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								150伏	50毫安			100nA（ICBO）		NPN	1V@1mA、10mA	80@10mA，5V	200兆赫
RN2103(T5L,F,T)	0.2800	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2103		100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安			500纳安		PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22欧姆	22欧姆
TPN2R203NC,L1Q	1.2200	询价	19号	东芝半导体和存储	U-MOSVIII	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN2R203	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道		30V	45A（温度）	10V	2.2毫欧@22.5A，10V	2.3V@500μA	34nC@10V	±20V	15V时为2230pF	-	700mW（Ta）、42W（Tc）
CCS15S30，L3IDTF	-	询价	4741	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	SIC停产		表面贴装	2-SMD，无铅	CCS15	肖特基		CST2C	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	10,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														20V		400毫伏@1安		30V时为500μA	125℃（最高）	1.5A	200pF @ 0V、1MHz
1SS374(TE85L,F)	0.3700	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	1SS374	肖特基		SC-59	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度													1对中央	10V	100毫安	500 毫伏 @ 100 毫安		10V时为20μA	125℃（最高）
RN2908FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2908		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																								50V	100毫安			500纳安		2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	47k欧姆
TPCP8203(TE85L,F)	-	询价	5326	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	TPCP8203	MOSFET（金属O化物）	360毫W	PS-8 (2.9x2.4)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）				40V	4.7A		-	2.5V@1mA	-		-	-
1SS315[上/下]	-	询价	3369	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）		SC-76、SOD-323				南加州大学	下载		1（无限制）	264-1SS315[U/D]TR	EAR99	8541.10.0070	3,000				30毫安																			0.06pF@200mV，1MHz			肖特基 - 单	5V		-
TK8A10K3,S5Q	-	询价	5357	东芝半导体和存储	U-MOSIV	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK8A10	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		100V	8A（塔）	10V	120mOhm@4A，10V	4V@1mA	12.9nC@10V	±20V	530pF@10V	-	18W（温度）
TPC8A06-H(TE12LQM)	-	询价	8606	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	-	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8A06	MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）	TPC8A06HTE12LQM	EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道		30V	12A（塔）	4.5V、10V	10.1毫欧@6A，10V	2.3V@1mA	19nC@10V	±20V	1800pF@10V	肖特基分化（体）	-
CLH05(T6L,NKOD,Q)	-	询价	1913年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		表面贴装	L-薄™	CLH05	标准		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														200V		980毫伏@5安	35纳秒	10μA@200V	-40℃～150℃	5A	-
RN2610(TE85L,F)	0.4800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN2610		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安			100nA（ICBO）		2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²