分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
RN1110,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1110		100毫W	SSM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安	100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7欧姆
TP89R103NL,LQ	0.6600	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TP89R103	MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		30V	15A（温度）	4.5V、10V	9.1毫欧@7.5A，10V	2.3V@100μA	9.8nC@10V	±20V	15V时为820pF	-	1W（温度）
RN2110ACT(TPL3)	0.0527	询价	10	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2110		100毫W	CST3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	10,000																				50V	80毫安	100nA（ICBO）			PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	120@1mA，5V		4.7欧姆
2SC5065-Y(TE85L,F)	0.4100	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SC5065		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000			12分贝～17分贝																	12V	30毫安				NPN		120@10mA，5V	7GHz			1.1dB@1GHz
CRZ12(TE85L,Q,M)	0.4900	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	±10%	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOD-123F	CRZ12		700毫W	S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0050	3,000															1V@200mA	8V时为10μA							12V	30欧姆
RN2107MFV，L3F	-	询价	3225	东芝半导体和存储	-	大部分	的积极			表面贴装	SOT-723	RN2107		150毫W	VESM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	8,000																				50V	100毫安	500纳安			PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V		10欧姆	47欧姆
2SK3844(Q)	-	询价	6308	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SK3844	MOSFET（金属O化物）		TO-220NIS	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		60V	45A（塔）	10V	5.8毫欧@23A，10V	4V@1mA	196nC@10V	±20V	12400pF@10V	-	45W（温度）
RN2314(TE85L,F)	0.2800	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2314		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安	500纳安			PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	1欧姆	10欧姆
TPCA8010-H(TE12L,Q	-	询价	9297	东芝半导体和存储	π-MOSV	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8010	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		200V	5.5A（塔）	10V	450毫欧@2.7A，10V	4V@1mA	10nC@10V	±20V	600pF@10V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
RN1411,LF	0.1900	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1411		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安	100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	10欧姆
RN2706JE(TE85L,F)	0.3900	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-553	RN2706		100毫W	ESV	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000																				50V	100毫安	100nA（ICBO）			2 PNP - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
SSM3J120TU，LF	-	询价	2941	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3J120	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		20V	4A（塔）	1.5V、4V	38毫欧@3A、4V	1V@1mA	22.3nC@4V	±8V	10V时为1484pF	-	500毫W（塔）
CRG02(TE85L,Q,M)	-	询价	第1132章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SOD-123F	CRG02	标准		S-平面 (1.6x3.5)	-	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0080	3,000	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)													400V	1.1V@700mA	400V时为10μA	-40℃～150℃	700毫安	-
TK46A08N1,S4X	1.0700	询价	7780	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK46A08	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		80V	46A（温度）	10V	8.4毫欧@23A，10V	4V@500μA	37nC@10V	±20V	2500pF@40V	-	35W（温度）
RN2312(TE85L,F)	0.2700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2312		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安	100nA（ICBO）			PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	22欧姆
2SA965-Y,SWFF(M	-	询价	8844	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA965		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1																				120V	800毫安	100nA（ICBO）			国民党	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
SSM3J56ACT，L3F	0.3900	询价	32	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3J56	MOSFET（金属O化物）		CST3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	10,000		P沟道		20V	1.4A（塔）	1.2V、4.5V	390毫欧@800毫安，4.5伏	1V@1mA	1.6nC@4.5V	±8V	100pF@10V	-	500毫W（塔）
RN1970FE(TE85L,F)	-	询价	9551	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1970		100毫W	ES6	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000																				50V	100毫安	100nA（ICBO）			2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	-
RN1104MFV，L3F	0.1700	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-723	RN1104		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	8,000																				50V	100毫安	500纳安			NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V		47欧姆	47欧姆
HN4B102J(TE85L,F)	0.6100	询价	6062	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-74A、SOT-753	HN4B102		750毫W	SMV	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																				30V	1.8A、2A	100nA（ICBO）			NPN、PNP	140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA	200@200mA，2V	-
RN1311,LF	0.2200	询价	5946	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1311		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安	100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	10欧姆
RN2905,LF(CT	0.2600	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2905		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安	100nA（ICBO）			2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
RN1116,LF(CT	0.2000	询价	170	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1116		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安	500纳安			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	10欧姆
2SC5066-O,LF	-	询价	9564	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		125°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	2SC5066		100毫W	SSM	-	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000			-																	12V	30毫安				NPN		80@10mA，5V	7GHz			1dB@500MHz
TK25N60X5,S1F	4.5900	询价	8939	东芝半导体和存储	DTMOSIV-H	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	TK25N60	MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道		600伏	25A（塔）	10V	140毫欧@7.5A，10V	4.5V@1.2mA	60nC@10V	±30V	2400 pF @ 300 V	-	180W（温度）
RN1701JE(TE85L,F)	0.4700	询价	12	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-553	RN1701		100毫W	ESV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000																				50V	100毫安	100nA（ICBO）			2 NPN - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	4.7k欧姆
RN2971(TE85L,F)	0.4700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2971		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安	100nA（ICBO）			2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	10k欧姆	-
TPH3R203NL,L1Q	1.2500	询价	18	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH3R203	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	47A（温度）	4.5V、10V	3.2毫欧@23.5A，10V	2.3V@300μA	21nC@10V	±20V	2100pF@15V	-	1.6W（Ta）、44W（Tc）
2SD2695,T6F(J	-	询价	2957	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SD2695		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1																				60V	2A	10μA（ICBO）			NPN	1.5V@1mA、1A	2000 @ 1A，2V	100兆赫兹
TPN5900CNH,L1Q	1.3400	询价	5	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN5900	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		150伏	9A（塔）	10V	59毫欧@4.5A，10V	4V@200μA	7nC@10V	±20V	600pF@75V	-	700mW（Ta）、39W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²