分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
TK6A55DA(STA4,Q,M)	1.4900	询价	8915	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK6A55	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	550伏	5.5A（塔）	10V	1.48欧姆@2.8A，10V	4.4V@1mA	12nC@10V	±30V	600pF@25V	-	35W（温度）
RN1966FE(TE85L,F)	0.3800	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1966		100毫W	ES6	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000																			50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
RN2105,LF(CT	0.2000	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2105		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																			50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	2.2欧姆	47欧姆
CUS520、H3F	0.2000	询价	707	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS520	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0070	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												30V	280毫伏@10毫安	30V时为5μA	125℃（最高）	200毫安	17pF@0V、1MHz
TK7A55D(STA4,Q,M)	1.6000	询价	50	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK7A55	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	550伏	7A（塔）	10V	1.25欧姆@3.5A，10V	4.4V@1mA	16nC@10V	±30V	700pF@25V	-	35W（温度）
TPCC8A01-H(TE12LQM	-	询价	4142	东芝半导体和存储	U-MOSV-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TPCC8A01	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.3x3.3)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	21A（塔）	4.5V、10V	9.9毫欧@10.5A，10V	2.3V@1mA	20nC@10V	±20V	1900pF@10V	-	700mW（Ta）、30W（Tc）
TPCP8005-H(TE85L,F	-	询价	2162	东芝半导体和存储	U-MOSV-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	TPCP8005	MOSFET（金属O化物）		PS-8 (2.9x2.4)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	30V	11A（塔）	4.5V、10V	12.9毫欧@5.5A，10V	2.5V@1mA	20nC@10V	±20V	2150pF@10V	-	840毫W（塔）
SSM3J140TU,LXHF	0.5500	询价	126	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	3-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		UFM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	20V	4.4A（塔）	1.5V、4.5V	25.8毫欧@4A，4.5V	1V@1mA	24.8nC@4.5V	+6V、-8V	1800pF@10V	-	500毫W（塔）
RN2971FE(TE85L,F)	-	询价	5969	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2971		100毫W	ES6	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000																			50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	10k欧姆	-
TK14N65W5,S1F	4.3100	询价	4776	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	TK14N65	MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	650伏	13.7A（塔）	10V	300毫欧@6.9A，10V	4.5V@690μA	40nC@10V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	130W（温度）
RN4609(TE85L,F)	0.4800	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN4609		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																			50V	100毫安	100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	22k欧姆
2SK3068(TE24L,Q)	-	询价	7876	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SK3068	MOSFET（金属O化物）		TO-220SM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	500V	12A（塔）	10V	520毫欧@6A，10V	4V@1mA	45nC@10V	±30V	2040pF@10V	-	100W（温度）
TDTC114Y,LM	0.1800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TDTC114		320毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																			50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	79@5mA，5V	250兆赫	10欧姆
RN1102ACT(TPL3)	-	询价	6140	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1102		100毫W	CST3	-		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	10,000																			50V	80毫安	500纳安	NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	50@10mA，5V		10欧姆	10欧姆
1SS372(TE85L,F)	0.3700	询价	13	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	1SS372	肖特基		USM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度												10V	500 毫伏 @ 100 毫安	10V时为20μA	125℃（最高）	100毫安	20pF @ 0V、1MHz
RN2711(TE85L,F)	-	询价	第1334章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN2711		200毫W	5-SSOP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																			50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	400@1mA，5V	200兆赫	10k欧姆	-
TK110E10PL,S1X	1.3400	询价	78	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175℃	通孔	TO-220-3	TK110E10	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	100V	42A（温度）	4.5V、10V	10.7毫欧@21A，10V	2.5V@300μA	33nC@10V	±20V	2040pF@50V	-	87W（温度）
CRS10I40A(TE85L,QM	0.4700	询价	3740	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-123F	CRS10I40	标准		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0080	3,000	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)												40V	490 毫伏 @ 700 毫安	60μA@40V	150℃（最高）	1A	35pF@10V，1MHz
TK7A60W5,S5VX	1.6400	询价	100	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK7A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	7A（塔）	10V	650毫欧@3.5A，10V	4.5V@350μA	16nC@10V	±30V	490 pF @ 300 V	-	30W（温度）
HN1B04FE-Y,LF	0.3000	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN1B04		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000																			50V	150毫安	100nA（ICBO）	NPN、PNP	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
TK14A65W,S5X	2.8200	询价	21	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK14A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	650伏	13.7A（塔）	10V	250毫欧@6.9A，10V	3.5V@690μA	35nC@10V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	40W（温度）
RN4904FE,LF(CT	0.2600	询价	第1676章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4904		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000																			50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
TPN30008NH,LQ	0.9000	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN30008	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.3x3.3)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	80V	9.6A（温度）	10V	30毫欧@4.8A，10V	4V@100μA	11nC@10V	±20V	920 pF @ 40 V	-	700mW（Ta）、27W（Tc）
2SJ610(TE16L1,NQ)	-	询价	7676	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SJ610	MOSFET（金属O化物）		PW-模具	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000		P沟道	250伏	2A（塔）	10V	2.55欧姆@1A，10V	3.5V@1mA	24nC@10V	±20V	10V时为381pF	-	20W（塔）
2SC6010(T2MITUM,FM	-	询价	5872	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC6010		1W	MSTM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	1																			600伏	1A	100μA（ICBO）	NPN	1V@75mA、600mA	100@100mA，5V	-
TPCA8003-H(TE12LQM	-	询价	4120	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8003	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	35A（塔）	4.5V、10V	6.6毫欧@18A，10V	2.3V@1mA	25nC@10V	±20V	10V时为1465pF	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
TK10A60W,S4VX	2.7800	询价	50	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK10A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	9.7A（塔）	10V	380毫欧@4.9A，10V	3.7V@500μA	20nC@10V	±30V	700 pF @ 300 V	-	30W（温度）
TPC6107(TE85L,F,M)	-	询价	第1647章	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	TPC6107	MOSFET（金属O化物）		VS-6 (2.9x2.8)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	20V	4.5A（塔）	2V、4.5V	55毫欧@2.2A，4.5V	1.2V@200μA	9.8nC@5V	±12V	680pF@10V	-	700毫W（塔）
RN2965FE(TE85L,F)	-	询价	7583	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2965		100毫W	ES6	-		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000																			50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
TK30A06N1,S4X	0.9300	询价	4866	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK30A06	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	60V	30A（温度）	10V	15毫欧@15A，10V	4V@200μA	16nC@10V	±20V	1050pF@30V	-	25W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²