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离散半导体产品（（2909）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 速度 fet 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f）
RN1101CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1101CT（tpl3） -
RFQ
 ECAD 2343 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN1101 50兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 mA 500NA npn-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 4.7科姆斯 4.7科姆斯
RN1113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1113CT（tpl3） -
RFQ
 ECAD 5999 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN1113 50兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 mA 100NA（ICBO） npn-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 300 @ 1mA，5v 47科姆斯
RN1103ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1103ACT（TPL3） -
RFQ
 ECAD 8929 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN1103 100兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 500NA npn-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 22 KOHMS 22 KOHMS
RN1415(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1415（TE85L，F） 0.3400
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1415 200兆 S-Mini 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250 MHz 2.2 kohms 10 kohms
RN1416,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1416，LF 0.2000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1416 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 10 kohms
RN1417(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1417（TE85L，F） 0.3500
RFQ
 ECAD 384 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1417 200兆 S-Mini 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 250 MHz 10 kohms 4.7科姆斯
RN1418(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1418（TE85L，F） 0.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1418 200兆 S-Mini 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250 MHz 47科姆斯 10 kohms
RN1110(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1110 （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 5975 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN1110 100兆 SSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯
RN2110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2110CT（TPL3） -
RFQ
 ECAD 1745年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2110 50兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 mA 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 300 @ 1mA，5v 4.7科姆斯
RN2101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2101ACT（TPL3） -
RFQ
 ECAD 7160 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2101 100兆 CST3 - （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 500NA pnp-预先偏见 150MV @ 500µA，5mA 30 @ 10mA，5V 4.7科姆斯 4.7科姆斯
RN2110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2110ACT（TPL3） 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2110 100兆 CST3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 4.7科姆斯
RN2111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2111ACT（TPL3） 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2111 100兆 CST3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 10 kohms
RN2113ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2113ACT（TPL3） 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2113 100兆 CST3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 47科姆斯
RN2104(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2104 （T5L，F，T） 0.2800
RFQ
 ECAD 727 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN2104 100兆 SSM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200 MHz 47科姆斯 47科姆斯
RN2106(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2106 （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 3234 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN2106 100兆 SSM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200 MHz 4.7科姆斯 47科姆斯
RN2114(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2114（TE85L，F） 0.2800
RFQ
 ECAD 5009 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN2114 100兆 SSM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200 MHz 1 kohms 10 kohms
RN2118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2118 （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 7756 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN2118 100兆 SSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200 MHz 47科姆斯 10 kohms
HN1B04F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04F te85l，f） -
RFQ
 ECAD 3334 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SC-74，SOT-457 HN1B04 300MW SM6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 30V 500mA 100NA（ICBO） NPN，PNP 250mv @ 10mA，100mA 70 @ 100mA，1V 200MHz
HN1B04FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-Y，LF 0.3000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 HN1B04 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150mA 100NA（ICBO） NPN，PNP 250mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 80MHz
HN1B01FU-Y(L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-Y l，F，t） -
RFQ
 ECAD 9540 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 HN1B01 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100NA（ICBO） NPN，PNP 300mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 120MHz
1SS307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS307（te85l，f） 0.3700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 1SS307 标准 S-Mini 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 30 V 1.3 V @ 100 mA 10 na @ 30 V 125°c （最大） 100mA 6pf @ 0v，1MHz
2SA1954-A(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1954-A （TE85L，f） -
RFQ
 ECAD 8074 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SA1954 100兆 SC-70 - （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 MA 100NA（ICBO） PNP 250mv @ 10mA，200mA 300 @ 10mA，2V 130MHz
MT3S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S16U（TE85L，F） 0.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 MT3S16 100MW SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 4.5dbi 5V 60mA NPN 80 @ 5mA，1V 4GHz 2.4db @ 1GHz
2SC5087R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5087R（TE85L，F） 0.1270
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-61AA 2SC5087 150MW smq - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 - 12V 80mA NPN 120 @ 20mA，10v 8GHz 1.1db〜2dB @ 1GHz
TK14A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK14A65W，S5X 2.8200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK14A65 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 13.7A（TA） 10V 250mohm @ 6.9a，10v 3.5V @ 690µA 35 NC @ 10 V ±30V 1300 PF @ 300 V - 40W（TC）
TK14C65W5,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK14C65W5，S1Q -
RFQ
 ECAD 2691 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA TK14C65 MOSFET （金属 o化物） i2pak 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 13.7A（TA） 10V 300mohm @ 6.9a，10v 4.5V @ 690µA 40 NC @ 10 V ±30V 1300 PF @ 300 V - 130W（TC）
TK30A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK30A06N1，S4X 0.9300
RFQ
 ECAD 4866 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK30A06 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 30A（TC） 10V 15mohm @ 15a，10v 4V @ 200µA 16 NC @ 10 V ±20V 1050 pf @ 30 V - 25W（TC）
TK32A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK32A12N1，S4X 1.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK32A12 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 120 v 32A（TC） 10V 13.8mohm @ 16a，10v 4V @ 500µA 34 NC @ 10 V ±20V 2000 pf @ 60 V - 30W（TC）
TK35N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W5，S1F 9.0900
RFQ
 ECAD 7466 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 TK35N65 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 35A（TA） 10V 95MOHM @ 17.5A，10V 4.5V @ 2.1mA 115 NC @ 10 V ±30V 4100 PF @ 300 V - 270W（TC）
TK46A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK46A08N1，S4X 1.0700
RFQ
 ECAD 7780 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK46A08 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 80 V 46A（TC） 10V 8.4mohm @ 23A，10V 4V @ 500µA 37 NC @ 10 V ±20V 2500 PF @ 40 V - 35W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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