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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
2SC3665-y，t2ynsf（j	-	RFQ	2332	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	SC-71	2SC3665		1 w	MSTM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1																					120 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
2SK2995（f）	-	RFQ	9943	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2SK2995	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		250 v	30a（TA）	10V	68mohm @ 15a，10v	3.5V @ 1mA	132 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 10 V	-	90W（TC）
RN1112CT（tpl3）	-	RFQ	9061	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-101，SOT-883	RN1112		50兆	CST3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000																					20 v	50 mA	100NA（ICBO）	npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	300 @ 1mA，5v		22 KOHMS
TK10A60W，S4VX	2.7800	RFQ	50	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK10A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		600 v	9.7A（ta）	10V	380MOHM @ 4.9A，10V	3.7V @ 500µA	20 nc @ 10 V	±30V	700 pf @ 300 V	-	30W（TC）
MT3S113（TE85L，F）	0.7000	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MT3S113		800MW	S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000				11.8db																	5.3V	100mA		NPN		200 @ 30mA，5v	12.5GHz			1.45db @ 1GHz
2SD2695（t6cano，f，m	-	RFQ	9371	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SD2695		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																					60 V	2 a	10µA（ICBO）	NPN	1.5V @ 1mA，1a	2000 @ 1A，2V	100MHz
SSM6J503NU，LF	0.4600	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	SSM6J503	MOSFET （金属 o化物）		6-udfnb（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道		20 v	6a（6a）	1.5V，4.5V	32.4MOHM @ 3A，4.5V	1V @ 1mA	12.8 NC @ 10 V	±8V	840 pf @ 10 V	-	1W（ta）
RN2106 （T5L，F，T）	-	RFQ	3234	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	RN2106		100兆	SSM	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
XPW6R30ANB，L1XHQ	1.9800	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powervdfn	XPW6R30	MOSFET （金属 o化物）		8-dsop提前	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		100 v	45A（TA）	6V，10V	6.3MOHM @ 22.5A，10V	3.5V @ 500µA	52 NC @ 10 V	±20V	3240 pf @ 10 V	-	（960MW）（TA），132W（tc）
RN1968（TE85L，F）	0.4700	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN1968		200MW	US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																					50V	100mA	100NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	22KOHMS	47kohms
2SA1962-O（Q）	-	RFQ	6598	东芝半导体和存储	-	托盘	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2SA1962		130 w	to-3p n（n）	下载	Rohs符合条件	不适用		Ear99	8541.29.0075	50																					230 v	15 a	5µA（ICBO）	PNP	3V @ 800mA，8a	80 @ 1A，5V	30MHz
2SC2235-Y，T6F j	-	RFQ	7291	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2235		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																					120 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
RN1971TE85LF	0.0618	RFQ	6883	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN1971		200MW	US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																					50V	100mA	100NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250MHz	10KOHMS	-
2SA949-y，onk-1f（j	-	RFQ	3985	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA949		800兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																					150 v	50 mA	100NA（ICBO）	PNP	800mv @ 1mA，10a	70 @ 10mA，5V	120MHz
RN4907，LF	0.2800	RFQ	3821	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4907		200MW	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																					50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	10KOHMS	47kohms
TTA003，L1NQ o	0.6900	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TTA003		10 W	PW-MOLD	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	2,000																					80 V	3 a	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 100mA，1a	100 @ 500mA，2V	100MHz
RN2301，LXHF	0.3900	RFQ	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	RN2301		100兆	SC-70	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																					50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
RN2402S，LF（d	-	RFQ	4226	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN2402		200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）	RN2402SLF（d	Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms
TPC8228-H，LQ	-	RFQ	6012	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPC8228	MOSFET （金属 o化物）	1.5W（TA）	8-sop	下载			264-TPC8228-HLQTR	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）				60V	3.8a		57MOHM @ 1.9A，10V	2.3V @ 100µA	11NC @ 10V		640pf @ 10V	-
rn4984fe，lf（Ct	0.2800	RFQ	70	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN4984		100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																					50V	100mA	100NA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	47kohms	47kohms
CCS15S30，L3QUF	-	RFQ	1834年	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	2-SMD，没有铅	CCS15S30	肖特基		CST2C	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	10,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													20 v	400 mV @ 1 A	500 µA @ 30 V	125°c （最大）	1.5a	200pf @ 0v，1MHz
TTD1415B，S4X（s	-	RFQ	3496	东芝半导体和存储	*	管子	积极的				TTD1415				下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50
2SC2235-O （T6FJT，AF	-	RFQ	2992	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2235		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																					120 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
2SC3668-Y，T2F （M	-	RFQ	8734	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	SC-71	2SC3668		1 w	MSTM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1																					50 V	2 a	1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
RN2415，LXHF	0.3400	RFQ	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN2415		200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																					50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	10 kohms
2SC5354，XGQ（o	-	RFQ	1637年	东芝半导体和存储	*	管子	积极的				2SC5354				下载	Rohs符合条件	不适用		Ear99	8541.29.0095	50
RN1903FE，LXHF（ct	0.3800	RFQ	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN1903		100MW	ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																					50V	100mA	500NA	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	250MHz	22KOHMS	22KOHMS
RN1409，LF	0.1900	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN1409		200兆	S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	250 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
RN1415（TE85L，F）	0.3400	RFQ	29	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN1415		200兆	S-Mini	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	10 kohms
2SA1020-Y，HOF （M	-	RFQ	4288	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1020		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																					50 V	2 a	1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²