分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
RN4986,LXHF(CT	0.4400	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4986		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安	500纳安			1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
TK7A90E,S4X	1.6900	询价	100	东芝半导体和存储	π-MOSVIII	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK7A90	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		900伏	7A（塔）	10V	2欧姆@3.5A，10V	4V@700μA	32nC@10V	±30V	1350pF@25V	-	45W（温度）
SSM3J66MFV,L3XHF	0.3900	询价	14	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	SOT-723		MOSFET（金属O化物）		VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000			P沟道		20V	800mA（塔）	1.2V、4.5V	390毫欧@800毫安，4.5伏	1V@1mA	1.6nC@4.5V	+6V、-8V	100pF@10V	-	150毫W（塔）
RN1415(TE85L,F)	0.3400	询价	29	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1415		200毫W	S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安	500纳安			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	10欧姆
HN1B01FU-Y(L,F,T)	-	询价	9540	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1B01		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	150毫安	100nA（ICBO）			NPN、PNP	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	120兆赫
CMZ18(TE12L,Q,M)	0.5400	询价	1725	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	±10%	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOD-128	CMZ18		2W	M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0050	3,000																1.2V@200mA		13V时为10μA							18V	30欧姆
CUS05S40,H3F	0.3200	询价	105	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS05S40	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													40V	350毫伏@100毫安		10V时为30μA	125℃（最高）	500毫安	42pF @ 0V、1MHz
2SC5095-R(TE85L,F)	-	询价	9694	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SC5095		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000				13分贝～7.5分贝																		10V	15毫安				NPN		50@7mA，6V	10GHz			1.8dB@2GHz
RN1304,LXHF	0.3900	询价	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1304		100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安	500纳安			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	47欧姆
RN1407,LXHF	0.3400	询价	5	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1407		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安	500纳安			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	47欧姆
SSM5H12TU(TE85L,F)	-	询价	5864	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD（5 英尺），浅浅	SSM5H12	MOSFET（金属O化物）		超短波病毒	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道		30V	1.9A（塔）	1.8V、4V	133mOhm@1A，4V	1V@1mA	1.9nC@4V	±12V	123pF@15V	肖特基分散（隔离）	500毫W（塔）
TPH2R805PL,LQ	1.2000年	询价	9118	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	8-PowerVDFN		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道		45V	100A（温度）	4.5V、10V	2.8毫欧@50A，10V	2.4V@500μA	73nC@10V	±20V	5175pF@22.5V	-	830mW（Ta）、116W（Tc）
RN4989FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4989		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																						50V	100毫安	500纳安			1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	47k欧姆	22k欧姆
TRS8E65H,S1Q	2.7600	询价	第395章	东芝半导体和存储	-	管子	的积极			通孔	TO-220-2		SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2L	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-TRS8E65H，S1Q	EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)													650伏	1.35V@8A	0纳秒	650V时为90μA	175℃	8A	520pF@1V、1MHz
TK25N60X,S1F	4.6600	询价	4357	东芝半导体和存储	DTMOSIV-H	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	TK25N60	MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道		600伏	25A（塔）	10V	125mOhm@7.5A，10V	3.5V@1.2mA	40nC@10V	±30V	2400 pF @ 300 V	-	180W（温度）
SSM6N7002BFE，LM	0.3300	询价	28	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6N7002	MOSFET（金属O化物）	150毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	2 个 N 沟道（双）				60V	200毫安		2.1欧姆@500mA，10V	3.1V@250μA	-		17pF@25V	逻辑电平门
RN4904FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4904		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																						50V	100毫安	500纳安			1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	47k欧姆	47k欧姆
TK560P65Y,RQ	1.3300	询价	3	东芝半导体和存储	DTMOSV	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK560P65	MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道		650伏	7A（温度）	10V	560毫欧@3.5A，10V	4V@240μA	10V时为14.5nC	±30V	380 pF @ 300 V	-	60W（温度）
RN4991FE,LF(CT	0.2500	询价	2649	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4991		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	4,000																						50V	100毫安	100nA（ICBO）			1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫、200兆赫	10k欧姆	-
2SA1020-Y(T6FJT,AF	-	询价	7274	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																						50V	2A	1μA（ICBO）			国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
RN1409,LXHF	0.0645	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1409		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安	500纳安			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	22欧姆
RN2101ACT(TPL3)	-	询价	7160	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2101		100毫W	CST3	-		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																						50V	80毫安	500纳安			PNP - 预偏置	150mV@500μA，5mA	30@10mA，5V		4.7欧姆	4.7欧姆
CUHS20S60,H3F	0.3600	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	2-SMD，写入		肖特基		US2H	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													60V	530毫伏@2安		60V时为650μA	150℃	2A	290pF @ 0V、1MHz
RN2104(T5L,F,T)	0.2800	询价	第727章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2104		100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安	500纳安			PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	47欧姆
2SC5171，MATUDQ（J）	-	询价	1872年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC5171		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																						180伏	2A	5μA（ICBO）			NPN	1V@100mA，1A	100@100mA，5V	200兆赫
TK16C60W,S1VQ	-	询价	7901	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	TK16C60	MOSFET（金属O化物）		I2PAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		600伏	15.8A（塔）	10V	190毫欧@7.9A，10V	3.7V@790μA	38nC@10V	±30V	1350 pF @ 300 V	-	130W（温度）
TPN1600ANH,L1Q	0.8800	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN1600	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道		100V	17A（温度）	10V	16毫欧@8.5A，10V	4V@200μA	19nC@10V	±20V	1600pF@50V	-	700mW（Ta）、42W（Tc）
TK5A60D(STA4,Q,M)	1.5700	询价	3980	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK5A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		600伏	5A（塔）	10V	1.43欧姆@2.5A，10V	4.4V@1mA	16nC@10V	±30V	700pF@25V	-	35W（温度）
TK8A60W,S4VX	2.6600	询价	4513	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK8A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		600伏	8A（塔）	10V	500mOhm@4A，10V	3.7V@400μA	18.5nC@10V	±30V	570 pF @ 300 V	-	30W（温度）
2SC2229-O(TE6,F,M)	-	询价	6227	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2229		800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																						150伏	50毫安	100nA（ICBO）			NPN	500mV@1mA、10mA	70@10mA，5V	120兆赫

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17号
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2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²