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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
TPH7R204PL，LQ	0.6500	RFQ	22	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH7R204	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	48A（TC）	4.5V，10V	9.7MOHM @ 15A，4.5V	2.4V @ 200µA	24 NC @ 10 V	±20V	2040 pf @ 20 V	-	69W（TC）
TK32E12N1，S1X	1.5300	RFQ	5	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK32E12	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	120 v	60a（TC）	10V	13.8mohm @ 16a，10v	4V @ 500µA	34 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 60 V	-	98W（TC）
TPN6R003NL，LQ	0.8800	RFQ	9982	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPN6R003	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	27a（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 13.5a，10v	2.3V @ 200µA	17 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 15 V	-	700MW（TA），32W （TC）
TK4A80E，S4X	1.2300	RFQ	9274	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	4A（ta）	10V	3.5OHM @ 2A，10V	4V @ 400µA	15 NC @ 10 V	±30V	650 pf @ 25 V	-	35W（TC）
TK6A80E，S4X	1.8900	RFQ	15	东芝半导体和存储	π-mosviii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK6A80	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	6a（6a）	10V	1.7OHM @ 3A，10V	4V @ 600µA	32 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 25 V	-	45W（TC）
CMH02A（TE12L，Q，M）	-	RFQ	2840	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOD-128	CMH02A	标准		M-Flat（2.4x3.8）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	CMH02A（TE12LQM）	Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												400 v	1.8 V @ 3 A	100 ns	10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	3a	-
2SC2655-y t6cn，A，f	-	RFQ	8602	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2655		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																				50 V	2 a	1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
CCS15F40，L3F	0.4800	RFQ	49	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	2-SMD，没有铅	CCS15F40	肖特基		CST2C	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	10,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												40 V	640 mv @ 1.5 A		25 µA @ 40 V	150°C （最大）	1.5a	130pf @ 0v，1MHz
RN2402，LF	0.2200	RFQ	6149	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN2402		200兆	S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms
TW140Z120C，S1F	10.2200	RFQ	120	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-247-4		SIC （硅碳化物交界晶体管）		TO-247-4L x（X）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	1200 v	20A（TC）	18V	191MOHM @ 10a，18v	5V @ 1mA	24 NC @ 18 V	+25V，-10V	691 PF @ 800 V	-	107W（TC）
CRS13 （TE85L，Q，M）	0.4500	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOD-123F	CRS13	肖特基		S-Flat（1.6x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												60 V	550 mv @ 1 a		50 µA @ 60 V	150°C （最大）	1a	40pf @ 10V，1MHz
TK28A65W，S5X	5.0100	RFQ	34	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK28A65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	27.6a（ta）	10V	110MOHM @ 13.8A，10V	3.5V @ 1.6mA	75 NC @ 10 V	±30V	3000 PF @ 300 V	-	45W（TC）
TK12J60W，S1VE s	-	RFQ	8348	东芝半导体和存储	-	托盘	积极的	150°C	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	TK12J60	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	-		（1 （无限）	264-TK12J60WS1VE s	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	11.5A（TA）	10V	300MOHM @ 5.8A，10V	3.7V @ 600µA	25 NC @ 10 V	±30V	890 pf @ 300 V	-	110W（TC）
RN1310（TE85L，F）	0.2600	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	RN1310		100兆	SC-70	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma	100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯
2SA1162S-Y，LF	-	RFQ	9269	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SA1162		150兆	S-Mini	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50 V	150 ma	100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	70 @ 2mA，6v	80MHz
SSM6K211FE，LF	0.5400	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6K211	MOSFET （金属 o化物）		ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000		n通道	20 v	3.2A（ta）	1.5V，4.5V	47MOHM @ 2A，4.5V	1V @ 1mA	10.8 NC @ 4.5 V	±10V	510 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
2SC2705-O te6，f，m）	-	RFQ	6177	东芝半导体和存储	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2705		800兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				150 v	50 mA	100NA（ICBO）	NPN	1V @ 1mA，10mA	80 @ 10mA，5V	200MHz
RN1412，LXHF	0.0645	RFQ	6934	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN1412		200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50 V	100 ma	100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250 MHz	22 KOHMS
RN1702，LF	0.3000	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	RN1702		200MW	USV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50V	100mA	500NA	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	250MHz	10KOHMS	10KOHMS
SSM3K37FS，LF	0.2300	RFQ	122	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TA）	表面安装	SC-75，SOT-416	SSM3K37	MOSFET （金属 o化物）		SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	200ma（ta）	1.5V，4.5V	2.2OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 1mA		±10V	12 pf @ 10 V	-	100mW（TA）
2SJ380（f）	-	RFQ	1045	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SJ380	MOSFET （金属 o化物）		TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		P通道	100 v	12a（12a）	4V，10V	210mohm @ 6a，10v	2V @ 1mA	48 NC @ 10 V	±20V	1100 pf @ 10 V	-	35W（TC）
TK160F10N1L，LXGQ	3.7000	RFQ	4476	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	TK160F10	MOSFET （金属 o化物）		TO-220SM（W）	-		3（168））		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	160a（ta）	6V，10V	2.4mohm @ 80a，10v	3.5V @ 1mA	122 NC @ 10 V	±20V	10100 PF @ 10 V	-	375W（TC）
RN4986，LXHF（ct	0.4400	RFQ	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4986		200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz，200MHz	4.7kohms	47kohms
TK12A60U（Q，M）	-	RFQ	2935	东芝半导体和存储	dtmosii	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK12A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	12a（12a）	10V	400mohm @ 6a，10v	5V @ 1mA	14 NC @ 10 V	±30V	720 PF @ 10 V	-	35W（TC）
RN1402，LF	0.2200	RFQ	1364	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN1402		200兆	S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
2SK2962，T6WNLF（j	-	RFQ	1755年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SK2962			to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	1				1A（TJ）
CRS30I30A （TE85L，QM	0.5000	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOD-123F	CRS30I30	肖特基		S-Flat（1.6x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												30 V	490 mv @ 3 a		100 µA @ 30 V	150°C （最大）	3a	82pf @ 10V，1MHz
2SK3662（f）	-	RFQ	1045	东芝半导体和存储	U-Mosiii	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK3662	MOSFET （金属 o化物）		TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	35A（TA）	4V，10V	12.5MOHM @ 18A，10V	2.5V @ 1mA	91 NC @ 10 V	±20V	5120 PF @ 10 V	-	35W（TC）
2SJ438，Q（j	-	RFQ	2689	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通过洞	TO-220-3完整包	2SJ438			TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1				5A（TJ）
TK6A53D（sta4，Q，m）	1.5000	RFQ	2959	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK6A53	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	525 v	6a（6a）	10V	1.3OHM @ 3A，10V	4.4V @ 1mA	12 nc @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	35W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²