分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
RN4904FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4904		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																				50V	100毫安	500纳安			1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	47k欧姆	47k欧姆
TK560P65Y,RQ	1.3300	询价	3	东芝半导体和存储	DTMOSV	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK560P65	MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道	650伏	7A（温度）	10V	560毫欧@3.5A，10V	4V@240μA	10V时为14.5nC	±30V	380 pF @ 300 V	-	60W（温度）
RN4991FE,LF(CT	0.2500	询价	2649	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4991		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	4,000																				50V	100毫安	100nA（ICBO）			1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫、200兆赫	10k欧姆	-
2SA1020-Y(T6FJT,AF	-	询价	7274	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																				50V	2A	1μA（ICBO）			国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
RN1409,LXHF	0.0645	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1409		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安	500纳安			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	22欧姆
RN2101ACT(TPL3)	-	询价	7160	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2101		100毫W	CST3	-		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																				50V	80毫安	500纳安			PNP - 预偏置	150mV@500μA，5mA	30@10mA，5V		4.7欧姆	4.7欧姆
CUHS20S60,H3F	0.3600	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	2-SMD，写入		肖特基		US2H	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												60V	530毫伏@2安	60V时为650μA	150℃	2A	290pF @ 0V、1MHz
RN2104(T5L,F,T)	0.2800	询价	第727章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2104		100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安	500纳安			PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	47欧姆
2SC5171，MATUDQ（J）	-	询价	1872年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC5171		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																				180伏	2A	5μA（ICBO）			NPN	1V@100mA，1A	100@100mA，5V	200兆赫
TK16C60W,S1VQ	-	询价	7901	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	TK16C60	MOSFET（金属O化物）		I2PAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	600伏	15.8A（塔）	10V	190毫欧@7.9A，10V	3.7V@790μA	38nC@10V	±30V	1350 pF @ 300 V	-	130W（温度）
TPN1600ANH,L1Q	0.8800	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN1600	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道	100V	17A（温度）	10V	16毫欧@8.5A，10V	4V@200μA	19nC@10V	±20V	1600pF@50V	-	700mW（Ta）、42W（Tc）
TK5A60D(STA4,Q,M)	1.5700	询价	3980	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK5A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	600伏	5A（塔）	10V	1.43欧姆@2.5A，10V	4.4V@1mA	16nC@10V	±30V	700pF@25V	-	35W（温度）
TK8A60W,S4VX	2.6600	询价	4513	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK8A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	600伏	8A（塔）	10V	500mOhm@4A，10V	3.7V@400μA	18.5nC@10V	±30V	570 pF @ 300 V	-	30W（温度）
2SC2229-O(TE6,F,M)	-	询价	6227	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2229		800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																				150伏	50毫安	100nA（ICBO）			NPN	500mV@1mA、10mA	70@10mA，5V	120兆赫
CRS08(TE85L)	-	询价	9469	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	过时的			表面贴装	SOD-123F	CRS08	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												30V	360毫伏@1.5安	1毫安@30伏	-40℃～125℃	1.5A	-
TPW4R008NH,L1Q	2.7900	询价	4510	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	TPW4R008	MOSFET（金属O化物）		8-DSOP 高级	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道	80V	116A（温度）	10V	4mOhm@50A，10V	4V@1mA	59nC@10V	±20V	5300pF@40V	-	800mW（Ta）、142W（Tc）
SSM3K17SU,LF(D	-	询价	9558	东芝半导体和存储	*	卷带式 (TR)	过时的					SSM3K17				-		1（无限制）	SSM3K17SULF(D	EAR99	8541.21.0095	3,000					100mA（塔）
TK35E08N1,S1X	1.1500	询价	50	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK35E08	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	80V	55A（温度）	10V	12.2毫欧@17.5A，10V	4V@300μA	25nC@10V	±20V	1700 pF @ 40 V	-	72W（温度）
RN1706，LF	0.3000	询价	939	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN1706		200毫W	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安	500纳安			2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
CRZ24(TE85L,Q,M)	0.1740	询价	1286	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	±10%	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOD-123F	CRZ24		700毫W	S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0050	3,000															1V@200mA	17V时为10μA							24V	30欧姆
RN2707，LF	0.2900	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN2707		200毫W	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安	500纳安			2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	47k欧姆
RN4991FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4991		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																				50V	100毫安	100nA（ICBO）			1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫、200兆赫	10k欧姆	-
SSM6N67NU，LF	0.5000	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6N67	MOSFET（金属O化物）	2W（塔）	6μDFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			30V	4A（塔）		39.1毫欧@2A，4.5V	1V@1mA	3.2nC@4.5V		310pF@15V	逻辑电平门，1.8V驱动
2SA2059(TE12L,F)	0.6300	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W	PW-MINI	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1,000																				20V	3A	100nA（ICBO）			国民党	190mV@53mA，1.6A	200@500mA，2V	-
2SC2235-Y(T6CN,A,F	-	询价	3118	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2235		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																				120V	800毫安	100nA（ICBO）			NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
2SC4793，HFEF（J）	-	询价	2472	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC4793		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																				230伏	1A	1μA（ICBO）			NPN	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	100兆赫兹
2SK2995(女)	-	询价	9943	东芝半导体和存储	-	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	2SK2995	MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)IS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	250伏	30A（塔）	10V	68毫欧@15A，10V	3.5V@1mA	132nC@10V	±20V	5400pF@10V	-	90W（温度）
SSM3K44MFV，L3F	0.2500	询价	19	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	SOT-723	SSM3K44	MOSFET（金属O化物）		VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000			N沟道	30V	100mA（塔）	2.5V、4V	4欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA		±20V	8.5pF@3V	-	150毫W（塔）
2SC2655-Y,T6KEHF(M	-	询价	第1327章	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2655		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																				50V	2A	1μA（ICBO）			NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
CUS521，H3F	0.2000	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS521	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度												30V	500 毫伏 @ 200 毫安	30V@30μA	125℃（最高）	200毫安	26pF @ 0V、1MHz

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²