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离散半导体产品（（2909）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
TK8A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK8A60W5，S5VX 1.7500
RFQ
 ECAD 6899 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK8A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 8a（8a） 10V 540MOHM @ 4A，10V 4.5V @ 400µA 22 NC @ 10 V ±30V 590 pf @ 300 V - 30W（TC）
CRZ18(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ18 （TE85L，Q，M） 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±10％ -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 SOD-123F CRZ18 700兆 S-Flat（1.6x3.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 MA 10 µA @ 13 V 18 V 30欧姆
RN4902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902，LF（ct 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4902 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 10KOHMS
SSM6K518NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K518NU，LF 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6K518 MOSFET （金属 o化物） 6-udfnb（2x2） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 6a（6a） 1.5V，4.5V 33MOHM @ 4A，4.5V 1V @ 1mA 3.6 NC @ 4.5 V ±8V 410 pf @ 10 V - 1.25W（TA）
RN2702,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2702，LF 0.3000
RFQ
 ECAD 7882 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN2702 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 10KOHMS
2SC4793,NSEIKIF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793，nseikif（j -
RFQ
 ECAD 8903 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SC4793 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µA（ICBO） NPN 1.5V @ 50mA，500mA 100 @ 100mA，5V 100MHz
SSM6L39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L39TU，LF 0.4600
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6L39 MOSFET （金属 o化物） 500MW UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 800mA 143mohm @ 600mA，4V 1V @ 1mA - 268pf @ 10V 逻辑水平门，1.8V
RN1703,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1703，LF 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN1703 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250MHz 22KOHMS 22KOHMS
2SC3074-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3074-O（Q） -
RFQ
 ECAD 3255 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SC3074 1 w PW-MOLD 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 200 50 V 5 a 1µA（ICBO） NPN 400mv @ 150mA，3a 70 @ 1A，1V 120MHz
RN2309,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2309，LF 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN2309 100兆 SC-70 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200 MHz 47科姆斯 22 KOHMS
TK4A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A60D（sta4，Q，m） -
RFQ
 ECAD 6275 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK4A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 4A（ta） 10V 1.7OHM @ 2A，10V 4.4V @ 1mA 12 nc @ 10 V ±30V 600 pf @ 25 V - 35W（TC）
XPN3R804NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN3R804NC，L1XHQ 1.4700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn XPN3R804 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance-WF （3.1x3.1） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 40 V 40a（ta） 4.5V，10V 3.8mohm @ 20a，10v 2.5V @ 300µA 35 NC @ 10 V ±20V 2230 PF @ 10 V - 840MW（TA），100W（TC）
RN4904FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4904fe，lf（ct 0.2600
RFQ
 ECAD 1676年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4904 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz，200MHz 47kohms 47kohms
RN2422TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2422TE85LF 0.4200
RFQ
 ECAD 4270 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN2422 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 800 MA 500NA pnp-预先偏见 250mv @ 1mA，50mA 65 @ 100mA，1V 200 MHz 2.2 kohms 2.2 kohms
TPCF8304(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8304 （TE85L，F，m -
RFQ
 ECAD 5747 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TPCF8304 MOSFET （金属 o化物） 330MW VS-8 （2.9x1.5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2（p 通道（双） 30V 3.2a 72MOHM @ 1.6A，10V 1.2V @ 1mA 14NC @ 10V 600pf @ 10V 逻辑级别门
2SC2235-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O，f（j -
RFQ
 ECAD 8839 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2235 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA（ICBO） NPN 1V @ 50mA，500mA 80 @ 100mA，5V 120MHz
TK72E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK72E08N1，S1X 2.4400
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 TK72E08 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 80 V 72A（ta） 10V 4.3mohm @ 36a，10v 4V @ 1mA 81 NC @ 10 V ±20V 5500 PF @ 40 V - 192W（TC）
CRZ36(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ36 （TE85L，Q，M） 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±10％ -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 SOD-123F CRZ36 700兆 S-Flat（1.6x3.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 MA 10 µA @ 28.8 V 36 V 30欧姆
2SA965-Y,SWFF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-y，SWFF（m -
RFQ
 ECAD 8844 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA965 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA（ICBO） PNP 1V @ 50mA，500mA 80 @ 100mA，5V 120MHz
RN1908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1908FE（TE85L，F） 0.0639
RFQ
 ECAD 7284 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN1908 100MW ES6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 22KOHMS 47kohms
RN2115,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2115，LXHF（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN2115 100兆 SSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200 MHz 2.2 kohms 10 kohms
2SC2383-O(T6OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2383-O （T6omi，FM -
RFQ
 ECAD 4250 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2383 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 160 v 1 a 1µA（ICBO） NPN 1.5V @ 50mA，500mA 60 @ 200ma，5V 100MHz
TPH11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH11006NL，LQ 0.8000
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPH11006 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 17a（TC） 4.5V，10V 11.4mohm @ 8.5a，10v 2.5V @ 200µA 23 NC @ 10 V ±20V 2000 pf @ 30 V - 1.6W（TA），34W（tc）
RN4908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4908 （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 6703 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4908 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 22KOHMS 47kohms
HN1B04FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-Y，LF 0.3000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 HN1B04 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150mA 100NA（ICBO） NPN，PNP 250mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 80MHz
RN1101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101，LXHF（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN1101 100兆 SSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
HN2S03T(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage HN2S03T（TE85L） -
RFQ
 ECAD 3763 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 4-SMD，平坦的铅 HN2S03 肖特基 tesq - （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 4,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 2独立 20 v 50mA 550 mv @ 50 mA 500 na @ 20 V 125°c （最大）
TK560P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK560P65Y，RQ 1.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSV 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK560P65 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 650 v 7A（TC） 10V 560MOHM @ 3.5A，10V 4V @ 240µA 14.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 V - 60W（TC）
SSM3J353F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J353F，LF 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SSM3J353 MOSFET （金属 o化物） S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 2A（TA） 4V，10V 150MOHM @ 2A，10V 2.2V @ 250µA 3.4 NC @ 4.5 V +20V，-25V 159 pf @ 15 V - 600MW（TA）
TPH6R004PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R004PL，LQ 0.7900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn TPH6R004 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 40 V 87A（ta），49A （TC） 4.5V，10V 6mohm @ 24.5a，10v 2.4V @ 200µA 30 NC @ 10 V ±20V 2700 PF @ 20 V - 1.8W（ta），81W（81W）TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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