分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
SSM3K341R,LXHF	0.6000	询价	17号	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	SOT-23-3 读写			MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道					60V	6A（塔）	4V、10V	36毫欧@5A，10V	2.5V@100μA	9.3nC@10V	±20V	550pF@10V	-	1.2W（塔）
SSM6K341NU，LF	0.4600	询价	1	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6K341		MOSFET（金属O化物）		6-UDFNB (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道					60V	6A（塔）	4V、10V	36mOhm@4A，10V	2.5V@100μA	9.3nC@10V	±20V	550pF@10V	-	2.5W（塔）
RN1310(TE85L,F)	0.2600	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1310			100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																									50V	100毫安		100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7欧姆
RN1301,LF	0.1800	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1301			100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																									50V	100毫安		500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
2SA1837,NSEIKIF(J	-	询价	1887年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1837			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0075	1																									230伏	1A		1μA（ICBO）	国民党	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	70兆赫兹
RN1903FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1903			100毫W	ES6	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000																									50V	100毫安		500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	22k欧姆
RFM04U6P(TE12L,F)	1.5493	询价	7126	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	16V		表面贴装	TO-243AA	RFM04U6	470兆赫	场效应管		PW-MINI	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道			2A	500毫安	4.3W	13.3分贝											-									6V
RN1908,LF(CT	0.2800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1908			200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																									50V	100毫安		500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	47k欧姆
TPC8208(TE12L,Q,M)	-	询价	2448	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8208		MOSFET（金属O化物）	450毫W	8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）							20V	5A		50mOhm@2.5A，4V	1.2V@200μA	9.5nC@5V		780pF@10V	逻辑电平门
2SC4793(LBSAN,F,M)	-	询价	3354	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC4793			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0075	1																									230伏	1A		1μA（ICBO）	NPN	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	100兆赫兹
RN4901，LF	-	询价	2952	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4901			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																									50V	100毫安		500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	4.7k欧姆	4.7k欧姆
CLS02(T6L,CLAR,Q)	-	询价	2894	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			表面贴装	L-薄™	CLS02		肖特基		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																	40V	550毫伏@10安	1毫安@40伏	-40℃～125℃	10A	420pF@10V、1MHz
2SC5200-O(S1,F	3.0100	询价	21	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-3PL				150W	TO-3P(L)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	25																									230伏	15A		5μA（ICBO）	NPN	3V@800mA，8A	55@1A，5V	30兆赫兹
CUS10F40、H3F	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS10F40		肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																	40V	670 毫伏 @ 1 安	40V时为20μA	150℃（最高）	1A	74pF @ 0V、1MHz
RN1909(T5L,F,T)	0.3400	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1909			200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																									50V	100毫安		100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	47k欧姆	22k欧姆
TPCP8004(TE85L,F)	-	询价	6792	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	TPCP8004		MOSFET（金属O化物）		PS-8 (2.9x2.4)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道					30V	8.3A（塔）	4.5V、10V	8.5毫欧@4.2A，10V	2.5V@1mA	26nC@10V	±20V	1270pF@10V	-	840毫W（塔）
2SA1587-BL,LF	0.2700	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SA1587			100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																									120V	100毫安		100nA（ICBO）	国民党	300mV@1mA、10mA	350@2mA，6V	100兆赫兹
RN2707JE(TE85L,F)	0.4800	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-553	RN2707			100毫W	ESV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000																									50V	100毫安		100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	47k欧姆
ULN2803AFWG，C，EL	-	询价	4777	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	18-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	ULN2803			1.31W	18-SOP	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0075	1,000																									50V	500毫安		-	8 NPN 达林顿	1.6V@500μA，350mA	1000@350mA，2V	-
RN1907,LXHF(CT	0.3600	询价	5768	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1907			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																									50V	100毫安		500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	10k欧姆	47k欧姆
2SJ360(TE12L,F)	-	询价	7247	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	2SJ360		MOSFET（金属O化物）		PW-MINI	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	1,000			P沟道					60V	1A（塔）	4V、10V	730毫欧@500mA，10V	2V@1mA	6.5nC@10V	±20V	155pF@10V	-	500毫W（塔）
RN1610(TE85L,F)	0.4800	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-74、SOT-457	RN1610			300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																									50V	100毫安		100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	-
TK72E08N1,S1X	2.4400	询价	45	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK72E08		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50			N沟道					80V	72A（塔）	10V	4.3毫欧@36A，10V	4V@1mA	10V时为81nC	±20V	5500pF@40V	-	192W（温度）
RN2111MFV，L3F	0.2000	询价	第1153章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-723	RN2111			150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	8,000																									50V	100毫安		100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V		10欧姆
2SA1315-Y,T6ASNF(J	-	询价	7868	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1315			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	1																									80V	2A		1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	80兆赫
TPCA8028-H(TE12LQM	-	询价	9696	东芝半导体和存储	U-MOSIV-H	切带 (CT)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8028		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道					30V	50A（塔）	4.5V、10V	2.8毫欧@25A，10V	2.3V@1mA	88nC@10V	±20V	7800pF@10V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
RN1910FE,LF(CT	0.2700	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1910			100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000																									50V	100毫安		100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	-
RN2307(TE85L,F)	-	询价	3221	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2307			100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																									50V	100毫安		500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10欧姆	47欧姆
TK8A25DA,S4X	0.9000	询价	40	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		150℃	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50			N沟道					250伏	7.5A（塔）	10V	500毫欧@3.8A，10V	3.5V@1mA	16nC@10V	±20V	550pF@100V	-	30W（温度）
RN2106(T5L,F,T)	-	询价	3234	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2106			100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																									50V	100毫安		500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	47欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²