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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 速度 场效应管类型 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 电压 - 反向 (Vr)(最大) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2) 噪声系数(dB Typ @ f)
CMH02A(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH02A(TE12L,Q,M) -
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ECAD 2840 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SOD-128 CMH02A 标准 M-平 (2.4x3.8) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) CMH02A(TE12LQM) EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 400V 1.8V@3A 100纳秒 400V时为10μA -40℃~150℃ 3A -
TPCF8B01(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8B01(TE85L,F,M -
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ECAD 5121 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSⅢ 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 8-SMD,写入 TPCF8B01 MOSFET(金属O化物) VS-8 (2.9x1.5) 下载 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 4,000 P沟道 20V 2.7A(塔) 1.8V、4.5V 110毫欧@1.4A,4.5V 1.2V@200μA 6nC@5V ±8V 470pF@10V 肖特基分散(隔离) 330毫W(塔)
CCS15S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CCS15S30,L3F 0.3800
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ECAD 51 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 2-SMD,无铅 CCS15S30 肖特基 CST2C 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 10,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 20V 400毫伏@1安 30V时为500μA 125℃(最高) 1.5A 200pF @ 0V、1MHz
2SK2845(TE16L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2845(TE16L1,Q) -
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ECAD 5146 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 2SK2845 MOSFET(金属O化物) PW-模具 下载 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 2,000 N沟道 900伏 1A(塔) 10V 9欧姆@500mA,10V 4V@1mA 15nC@10V ±30V 350pF@25V - 40W(温度)
CRG05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG05(TE85L,Q,M) 0.4600
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ECAD 6290 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-123F CRG05 标准 S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 3,000 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 800V 1.2V@1A 800V时为10μA -40℃~150℃ 1A -
RN4907(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4907(T5L,F,T) -
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ECAD 8660 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 RN4907 200毫W 美国6号 下载 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100毫安 100nA(ICBO) 1 NPN、1 PNP - 预偏置(双) 300mV@250μA,5mA 80@10mA,5V 200兆赫 10k欧姆 47k欧姆
2SA1162S-GR,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162S-GR,LF(D -
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ECAD 6832 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 125°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 2SA1162 150毫W S-迷你型 下载 1(无限制) 2SA1162S-GRLF(D EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 150毫安 100nA(ICBO) 国民党 300毫伏@10毫安,100毫安 70@2mA,6V 80兆赫
2SK2989(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989(T6CANO,F,M -
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ECAD 9386 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 2SK2989 TO-92MOD 下载 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 1 5A(Tj)
CMS30I40A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS30I40A(TE12L,QM 0.6100
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ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOD-128 CMS30 肖特基 M-平 (2.4x3.8) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 40V 550毫伏 @ 3安 40V时为100μA 150℃(最高) 3A 62pF@10V,1MHz
2SK2995(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2995(女) -
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ECAD 9943 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 2SK2995 MOSFET(金属O化物) TO-3P(N)IS 下载 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 250伏 30A(塔) 10V 68毫欧@15A,10V 3.5V@1mA 132nC@10V ±20V 5400pF@10V - 90W(温度)
SSM6N7002BFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFE,LM 0.3300
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ECAD 28 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-563、SOT-666 SSM6N7002 MOSFET(金属O化物) 150毫W ES6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 4,000 2 个 N 沟道(双) 60V 200毫安 2.1欧姆@500mA,10V 3.1V@250μA - 17pF@25V 逻辑电平门
SSM3K44MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K44MFV,L3F 0.2500
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ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150℃ 表面贴装 SOT-723 SSM3K44 MOSFET(金属O化物) VESM 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 8,000 N沟道 30V 100mA(塔) 2.5V、4V 4欧姆@10mA,4V 1.5V@100μA ±20V 8.5pF@3V - 150毫W(塔)
RN1407,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1407,LXHF 0.3400
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ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 RN1407 200毫W S-迷你型 下载 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100毫安 500纳安 NPN - 预偏置 300mV@250μA,5mA 80@10mA,5V 250兆赫 10欧姆 47欧姆
TK560P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK560P65Y,RQ 1.3300
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ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSV 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 TK560P65 MOSFET(金属O化物) DPAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 2,000 N沟道 650伏 7A(温度) 10V 560毫欧@3.5A,10V 4V@240μA 10V时为14.5nC ±30V 380 pF @ 300 V - 60W(温度)
TRS8E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65H,S1Q 2.7600
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ECAD 第395章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 SiC(碳化硅)肖特基 TO-220-2L - 符合ROHS3标准 1(无限制) 264-TRS8E65H,S1Q EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.35V@8A 0纳秒 650V时为90μA 175℃ 8A 520pF@1V、1MHz
RN4991FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4991FE,LF(CT 0.2500
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ECAD 2649 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SOT-563、SOT-666 RN4991 100毫W ES6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0075 4,000 50V 100毫安 100nA(ICBO) 1 NPN、1 PNP - 预偏置(双) 300mV@250μA,5mA 120@1mA,5V 250兆赫、200兆赫 10k欧姆 -
TK25N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK25N60X,S1F 4.6600
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ECAD 4357 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSIV-H 管子 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-247-3 TK25N60 MOSFET(金属O化物) TO-247 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 30 N沟道 600伏 25A(塔) 10V 125mOhm@7.5A,10V 3.5V@1.2mA 40nC@10V ±30V 2400 pF @ 300 V - 180W(温度)
TK32A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK32A12N1,S4X 1.4000
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ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSVIII-H 管子 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 TK32A12 MOSFET(金属O化物) TO-220SIS 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 120V 32A(温度) 10V 13.8毫欧@16A,10V 4V@500μA 34nC@10V ±20V 2000pF@60V - 30W(温度)
TPCA8010-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8010-H(TE12LQM -
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ECAD 6650 0.00000000 东芝半导体和存储 π-MOSV 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerVDFN TPCA8010 MOSFET(金属O化物) 8-SOP 高级 (5x5) 下载 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 200V 5.5A(塔) 10V 450毫欧@2.7A,10V 4V@1mA 10nC@10V ±20V 600pF@10V - 1.6W(Ta)、45W(Tc)
TK380P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK380P65Y,RQ 1.7300
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ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSV 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 TK380P65 MOSFET(金属O化物) DPAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 2,000 N沟道 650伏 9.7A(温度) 10V 380毫欧@4.9A,10V 4V@360μA 20nC@10V ±30V 590 pF @ 300 V - 80W(温度)
SSM6K202FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K202FE,LF 0.4600
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ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-563、SOT-666 SSM6K202 MOSFET(金属O化物) ES6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 4,000 N沟道 30V 2.3A(塔) 1.8V、4V 85毫欧@1.5A,4V 1V@1mA ±12V 270pF@10V - 500毫W(塔)
2SC2714-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2714-Y(TE85L,F) 0.4400
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ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 125°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 2SC2714 100毫W S-迷你型 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 3,000 23分贝 30V 20毫安 NPN 100@1mA,6V 550兆赫 2.5dB@100MHz
RN2103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2103CT(TPL3) -
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ECAD 1846年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SC-101、SOT-883 RN2103 50毫W CST3 下载 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 10,000 20V 50毫安 500纳安 PNP - 预偏置 150mV@250μA,5mA 100@10mA,5V 22欧姆 22欧姆
CRZ39(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ39(TE85L,Q,M) 0.4900
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ECAD 7342 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 ±10% -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 SOD-123F CRZ39 700毫W S-平面 (1.​​​​6x3.5) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0050 3,000 1V@200mA 10μA@31.2V 39伏 35欧姆
RN2702,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2702,LF 0.3000
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ECAD 7882 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353 RN2702 200毫W 无人艇 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100毫安 500纳安 2 PNP - 预偏置(双) 300mV@250μA,5mA 50@10mA,5V 200兆赫 10k欧姆 10k欧姆
CUHS15S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15S40,H3F 0.4800
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ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 2-SMD,写入 CUHS15 肖特基 US2H 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 40V 510毫伏@1.5安 40V时为200μA 150℃(最高) 1.5A 170pF @ 0V、1MHz
RN1911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911,LXHF(CT 0.3600
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ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 RN1911 200毫W 美国6号 下载 1(无限制) EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100毫安 100nA(ICBO) 2 NPN - 预偏置(双) 300mV@250μA,5mA 120@1mA,5V 250兆赫 10k欧姆 -
SSM3K341R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K341R,LXHF 0.6000
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ECAD 17号 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车、AEC-Q101、U-MOSVIII-H 卷带式 (TR) 的积极 175℃ 表面贴装 SOT-23-3 读写 MOSFET(金属O化物) SOT-23F 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 60V 6A(塔) 4V、10V 36毫欧@5A,10V 2.5V@100μA 9.3nC@10V ±20V 550pF@10V - 1.2W(塔)
SSM6K341NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K341NU,LF 0.4600
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ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSVIII-H 卷带式 (TR) 的积极 150℃ 表面贴装 6-WDFN 裸露焊盘 SSM6K341 MOSFET(金属O化物) 6-UDFNB (2x2) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 60V 6A(塔) 4V、10V 36mOhm@4A,10V 2.5V@100μA 9.3nC@10V ±20V 550pF@10V - 2.5W(塔)
HN1A01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE-GR,LXHF 0.4500
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ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-563、SOT-666 HN1A01 100毫W ES6 下载 1(无限制) EAR99 8541.21.0095 4,000 50V 150毫安 100nA(ICBO) 2 PNP(双) 300毫伏@10毫安,100毫安 200@2mA,6V 80兆赫
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库