分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
RN4907(T5L,F,T)	-	询价	8660	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的				表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4907			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																										50V	100毫安		100nA（ICBO）			1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	47k欧姆
2SA1162S-GR,LF(D	-	询价	6832	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SA1162			150毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）	2SA1162S-GRLF(D	EAR99	8541.21.0095	3,000																										50V	150毫安		100nA（ICBO）			国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	70@2mA，6V	80兆赫
2SK2989(T6CANO,F,M	-	询价	9386	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的				通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SK2989				TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1									5A（Tj）
CMS30I40A(TE12L,QM	0.6100	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	SOD-128	CMS30		肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																	40V	550毫伏 @ 3安		40V时为100μA	150℃（最高）	3A	62pF@10V，1MHz
2SK2995(女)	-	询价	9943	东芝半导体和存储	-	管子	过时的			150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	2SK2995		MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)IS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道					250伏	30A（塔）	10V	68毫欧@15A，10V	3.5V@1mA	132nC@10V	±20V	5400pF@10V	-	90W（温度）
SSM6N7002BFE，LM	0.3300	询价	28	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6N7002		MOSFET（金属O化物）	150毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	2 个 N 沟道（双）							60V	200毫安		2.1欧姆@500mA，10V	3.1V@250μA	-		17pF@25V	逻辑电平门
SSM3K44MFV，L3F	0.2500	询价	19	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			150℃	表面贴装	SOT-723	SSM3K44		MOSFET（金属O化物）		VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000			N沟道					30V	100mA（塔）	2.5V、4V	4欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA		±20V	8.5pF@3V	-	150毫W（塔）
RN1407,LXHF	0.3400	询价	5	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1407			200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																										50V	100毫安		500纳安			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	47欧姆
TK560P65Y,RQ	1.3300	询价	3	东芝半导体和存储	DTMOSV	卷带式 (TR)	的积极			150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK560P65		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道					650伏	7A（温度）	10V	560毫欧@3.5A，10V	4V@240μA	10V时为14.5nC	±30V	380 pF @ 300 V	-	60W（温度）
TRS8E65H,S1Q	2.7600	询价	第395章	东芝半导体和存储	-	管子	的积极				通孔	TO-220-2			SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2L	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-TRS8E65H，S1Q	EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)																	650伏	1.35V@8A	0纳秒	650V时为90μA	175℃	8A	520pF@1V、1MHz
RN4991FE,LF(CT	0.2500	询价	2649	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4991			100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	4,000																										50V	100毫安		100nA（ICBO）			1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫、200兆赫	10k欧姆	-
TK25N60X,S1F	4.6600	询价	4357	东芝半导体和存储	DTMOSIV-H	管子	的积极			150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	TK25N60		MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道					600伏	25A（塔）	10V	125mOhm@7.5A，10V	3.5V@1.2mA	40nC@10V	±30V	2400 pF @ 300 V	-	180W（温度）
TK32A12N1,S4X	1.4000	询价	5	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极			150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK32A12		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道					120V	32A（温度）	10V	13.8毫欧@16A，10V	4V@500μA	34nC@10V	±20V	2000pF@60V	-	30W（温度）
TPCA8010-H(TE12LQM	-	询价	6650	东芝半导体和存储	π-MOSV	卷带式 (TR)	过时的			150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8010		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道					200V	5.5A（塔）	10V	450毫欧@2.7A，10V	4V@1mA	10nC@10V	±20V	600pF@10V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
TK380P65Y,RQ	1.7300	询价	2	东芝半导体和存储	DTMOSV	卷带式 (TR)	的积极			150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK380P65		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道					650伏	9.7A（温度）	10V	380毫欧@4.9A，10V	4V@360μA	20nC@10V	±30V	590 pF @ 300 V	-	80W（温度）
SSM6K202FE,LF	0.4600	询价	15	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6K202		MOSFET（金属O化物）		ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000			N沟道					30V	2.3A（塔）	1.8V、4V	85毫欧@1.5A，4V	1V@1mA		±12V	270pF@10V	-	500毫W（塔）
2SC2714-Y(TE85L,F)	0.4400	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC2714			100毫W	S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000							23分贝																			30V	20毫安					NPN		100@1mA，6V	550兆赫			2.5dB@100MHz
RN2103CT(TPL3)	-	询价	1846年	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的				表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2103			50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																										20V	50毫安		500纳安			PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	100@10mA，5V		22欧姆	22欧姆
CRZ39(TE85L,Q,M)	0.4900	询价	7342	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	±10%		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOD-123F	CRZ39			700毫W	S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0050	3,000																				1V@200mA		10μA@31.2V								39伏	35欧姆
RN2702，LF	0.3000	询价	7882	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN2702			200毫W	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																										50V	100毫安		500纳安			2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	10k欧姆
CUHS15S40,H3F	0.4800	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	2-SMD，写入	CUHS15		肖特基		US2H	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																	40V	510毫伏@1.5安		40V时为200μA	150℃（最高）	1.5A	170pF @ 0V、1MHz
RN1911,LXHF(CT	0.3600	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1911			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																										50V	100毫安		100nA（ICBO）			2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	10k欧姆	-
SSM3K341R,LXHF	0.6000	询价	17号	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极			175℃	表面贴装	SOT-23-3 读写			MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道					60V	6A（塔）	4V、10V	36毫欧@5A，10V	2.5V@100μA	9.3nC@10V	±20V	550pF@10V	-	1.2W（塔）
SSM6K341NU，LF	0.4600	询价	1	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极			150℃	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6K341		MOSFET（金属O化物）		6-UDFNB (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道					60V	6A（塔）	4V、10V	36mOhm@4A，10V	2.5V@100μA	9.3nC@10V	±20V	550pF@10V	-	2.5W（塔）
HN1A01FE-GR,LXHF	0.4500	询价	7	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN1A01			100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																										50V	150毫安		100nA（ICBO）			2 PNP（双）	300毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
RN1310(TE85L,F)	0.2600	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1310			100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																										50V	100毫安		100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7欧姆
RN1301,LF	0.1800	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1301			100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																										50V	100毫安		500纳安			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
2SA1837,NSEIKIF(J	-	询价	1887年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1837			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																										230伏	1A		1μA（ICBO）			国民党	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	70兆赫兹
RN1903FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1903			100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																										50V	100毫安		500纳安			2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	22k欧姆
RFM04U6P(TE12L,F)	1.5493	询价	7126	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		16V		表面贴装	TO-243AA	RFM04U6	470兆赫	场效应管		PW-MINI	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道			2A	500毫安	4.3W	13.3分贝											-										6V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²