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离散半导体产品（（2909）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
RN1416,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1416，LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1416 200兆 S-Mini 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 10 kohms
TPN1110ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1110ENH，L1Q 1.6800
RFQ
 ECAD 1291 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPN1110 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance（3.1x3.1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 200 v 7.2A（ta） 10V 114MOHM @ 3.6A，10V 4V @ 200µA 7 NC @ 10 V ±20V 600 pf @ 100 V - 700MW（TA），39W （TC）
RN2706JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2706JE（TE85L，F） 0.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-553 RN2706 100MW ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2（PNP- 预偏（双重）（） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 4.7kohms 47kohms
2SC3665-Y,T2NSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3665-Y，T2NSF（j -
RFQ
 ECAD 3531 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 SC-71 2SC3665 1 w MSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1 120 v 800 MA 100NA（ICBO） NPN 1V @ 50mA，500mA 80 @ 100mA，5V 120MHz
RN2710,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2710，LF 0.3000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN2710 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200MHz 4.7kohms -
HN1B01FU-Y(L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-Y l，F，t） -
RFQ
 ECAD 9540 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 HN1B01 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100NA（ICBO） NPN，PNP 300mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 120MHz
2SA965-Y,SWFF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-y，SWFF（m -
RFQ
 ECAD 8844 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA965 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA（ICBO） PNP 1V @ 50mA，500mA 80 @ 100mA，5V 120MHz
TK72E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK72E08N1，S1X 2.4400
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 TK72E08 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 80 V 72A（ta） 10V 4.3mohm @ 36a，10v 4V @ 1mA 81 NC @ 10 V ±20V 5500 PF @ 40 V - 192W（TC）
RN1908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1908FE（TE85L，F） 0.0639
RFQ
 ECAD 7284 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN1908 100MW ES6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 22KOHMS 47kohms
CRZ36(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ36 （TE85L，Q，M） 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±10％ -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 SOD-123F CRZ36 700兆 S-Flat（1.6x3.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 MA 10 µA @ 28.8 V 36 V 30欧姆
RN1413,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1413，LF 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1413 200兆 S-Mini 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250 MHz 47科姆斯
RN2902,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2902，LF -
RFQ
 ECAD 7224 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN2902 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 10KOHMS
TDTC114Y,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC114Y，LM 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TDTC114 320兆W SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 79 @ 5mA，5V 250 MHz 10 kohms
RN1908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908，LXHF（ct 0.3600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1908 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 22KOHMS 47kohms
RN4908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4908 （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 6703 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4908 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 22KOHMS 47kohms
2SC2235-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O，f（j -
RFQ
 ECAD 8839 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2235 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA（ICBO） NPN 1V @ 50mA，500mA 80 @ 100mA，5V 120MHz
2SC2383-O(T6OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2383-O （T6omi，FM -
RFQ
 ECAD 4250 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2383 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 160 v 1 a 1µA（ICBO） NPN 1.5V @ 50mA，500mA 60 @ 200ma，5V 100MHz
TPH11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH11006NL，LQ 0.8000
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPH11006 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 17a（TC） 4.5V，10V 11.4mohm @ 8.5a，10v 2.5V @ 200µA 23 NC @ 10 V ±20V 2000 pf @ 30 V - 1.6W（TA），34W（tc）
TPCF8304(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8304 （TE85L，F，m -
RFQ
 ECAD 5747 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TPCF8304 MOSFET （金属 o化物） 330MW VS-8 （2.9x1.5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2（p 通道（双） 30V 3.2a 72MOHM @ 1.6A，10V 1.2V @ 1mA 14NC @ 10V 600pf @ 10V 逻辑级别门
RN2115,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2115，LXHF（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN2115 100兆 SSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200 MHz 2.2 kohms 10 kohms
SSM6N24TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N24TU，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 7409 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6N24 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 500mA（ta） 145mohm @ 500mA，4.5V 1.1V @ 100µA - 245pf @ 10V -
2SJ610(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ610（TE16L1，NQ） -
RFQ
 ECAD 7676 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SJ610 MOSFET （金属 o化物） PW-MOLD 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 250 v 2A（TA） 10V 2.55ohm @ 1A，10V 3.5V @ 1mA 24 NC @ 10 V ±20V 381 PF @ 10 V - 20W（TA）
RN2907,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907，LF（ct 0.2700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN2907 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 47kohms
2SD2257(CANO,A,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257（Cano，A，Q） -
RFQ
 ECAD 7754 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SD2257 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 100 v 3 a 10µA（ICBO） NPN 1.5V @ 1.5mA，1.5a 2000 @ 2a，2v -
TK2P90E,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK2P90E，RQ 1.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 900 v 2A（TA） 10V 5.9OHM @ 1A，10V 4V @ 200µA 12 nc @ 10 V ±30V 500 pf @ 25 V - 80W（TC）
SSM6J216FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J216FE，LF 0.4900
RFQ
 ECAD 2168 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6J216 MOSFET （金属 o化物） ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 P通道 12 v 4.8A（ta） 1.5V，4.5V 32MOHM @ 3.5A，4.5V 1V @ 1mA 12.7 NC @ 4.5 V ±8V 1040 pf @ 12 V - 700MW（TA）
TK11A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A45D（sta4，Q，m） 1.8600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK11A45 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 450 v 11a（11a） 10V 620MOHM @ 5.5A，10V 4V @ 1mA 20 nc @ 10 V ±30V 1050 pf @ 25 V - 40W（TC）
RN2907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907FE，LF（ct 0.2600
RFQ
 ECAD 9918 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN2907 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 47kohms
RN2911FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2911fe（te85l，f） 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN2911 100MW ES6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200MHz 10KOHMS -
RN1309,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1309，LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN1309 100兆 SC-70 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 5mA，5V 250 MHz 47科姆斯 22 KOHMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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