分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	当前 - 最大	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电阻@If,F	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	电容比	电容比条件	Q@Vr，F
2SC4883A	-	询价	7097	东芝半导体和存储	*	管子	的积极				2SC4883				-	符合RoHS标准	1（无限制）	2SC4883ATS		0000.00.0000	50
RN1317(TE85L,F)	0.2600	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1317		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000															50V	100毫安			500纳安		NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	4.7欧姆
2SC5886A，L1XHQ（O	-	询价	7632	东芝半导体和存储	*	卷带式 (TR)	的积极				2SC5886				下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000
1SV307(TPH3,F)	0.4300	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）		SC-76、SOD-323	1SV307			南加州大学	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000			50毫安											0.5pF@1V、1MHz			PIN-单个	30V		1.5欧姆@10mA，100MHz
TK17N65W,S1F	3.8600	询价	7047	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	TK17N65	MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道		650伏	17.3A（塔）	10V	200毫欧@8.7A，10V	3.5V@900μA	45nC@10V	±30V	1800 pF @ 300 V	-	165W（温度）
RN1705JE(TE85L,F)	0.4700	询价	第769章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-553	RN1705		100毫W	ESV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000															50V	100毫安			100nA（ICBO）		2 NPN - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
RN2904,LF(CT	0.2800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2904		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安			500纳安		2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
RN1106MFV,L3XHF(CT	0.3400	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1106		150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000															50V	100毫安			500纳安		NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@1mA，5V		4.7欧姆	47欧姆
2SA1020-Y,HOF(M	-	询价	4288	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1															50V	2A			1μA（ICBO）		国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
TPH11006NL,LQ	0.8000	询价	35	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH11006	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		60V	17A（温度）	4.5V、10V	11.4毫欧@8.5A，10V	2.5V@200μA	23nC@10V	±20V	2000pF@30V	-	1.6W（Ta）、34W（Tc）
SSM6N815R，LF	0.4500	询价	5	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6N815	MOSFET（金属O化物）	1.8W（塔）	6-TSOP-F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			100V	2A（塔）		103mOhm@2A，10V	2.5V@100μA	3.1nC@4.5V		290pF@15V	逻辑电平门，4V驱动
TPCA8105(TE12L,Q,M	-	询价	5105	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8105	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		12V	6A（塔）	1.8V、4.5V	33mOhm@3A，4.5V	1.2V@200μA	18nC@5V	±8V	1600pF@10V	-	1.6W（Ta）、20W（Tc）
TK10A50W,S5X	1.9200	询价	144	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包	TK10A50	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		500V	9.7A（塔）	10V	380毫欧@4.9A，10V	3.7V@500μA	20nC@10V	±30V	700 pF @ 300 V	-	30W（温度）
T2N7002BK,LM	0.1700	询价	187	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	T2N7002	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		60V	400mA（塔）	4.5V、10V	1.5欧姆@100mA，10V	2.1V@250μA	0.6nC@4.5V	±20V	40pF@10V	-	320毫W（塔）
TPN4R712MD,L1Q	0.8500	询价	4	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN4R712	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		P沟道		20V	36A（温度）	2.5V、4.5V	4.7毫欧@18A，4.5V	1.2V@1mA	65nC@5V	±12V	4300pF@10V	-	42W（温度）
TK20J60U(女)	-	询价	2851	东芝半导体和存储	DTMOSII	托盘	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	TK20J60	MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	20A（塔）	10V	190毫欧@10A，10V	5V@1mA	27nC@10V	±30V	10V时为1470pF	-	190W（温度）
RN1111,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1111		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安			100nA（ICBO）		NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	10欧姆
2SC4738-GR，LF	0.2000	询价	13	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	2SC4738		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	150毫安			100nA（ICBO）		NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
RN1131MFV(TL3,T)	0.2100	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1131		150毫W	VESM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000															50V	100毫安			100nA（ICBO）		NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	120@1mA，5V		100欧姆
RN2903FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2903		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000															50V	100毫安			500纳安		2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	22k欧姆
JDV2S10FS(TPL3)	0.4100	询价	第398章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	2-SMD，写入	JDV2S10			森林管理委员会	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000														3.4pF@2.5V，1MHz			单身的	10V									2.55	C0.5/C2.5	-
2SC2235-Y(MBSH1,FM	-	询价	5908	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2235		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1															120V	800毫安			100nA（ICBO）		NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
RN4906，LF	0.2800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4906		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安			500纳安		1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
SSM6L36TU,LF	0.3800	询价	14	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6L36	MOSFET（金属O化物）	500毫W（塔）	六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 和 P 沟道			20V	500mA（塔）、330mA（塔）		630mOhm @ 200mA, 5V, 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V	1V@1mA	1.23nC@4V，1.2nC@4V		10V时为46pF，10V时为43pF	逻辑电平门，1.5V驱动
TK60P03M1,RQ(S	-	询价	6408	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK60P03	MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		30V	60A（塔）	4.5V、10V	6.4毫欧@30A，10V	2.3V@500μA	40nC@10V	±20V	2700pF@10V	-	63W（温度）
TK12A60U(Q,M)	-	询价	2935	东芝半导体和存储	DTMOSII	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK12A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	12A（塔）	10V	400mOhm@6A，10V	5V@1mA	14nC@10V	±30V	720pF@10V	-	35W（温度）
RN2911,LXHF(CT	0.4400	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2911		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	100毫安			100nA（ICBO）		2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	10k欧姆	-
SSM3J306T(TE85L,F)	-	询价	5083	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3J306	MOSFET（金属O化物）		TSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		30V	2.4A（塔）	4V、10V	117毫欧@1A，10V	-	15V时为2.5nC	±20V	280pF@15V	-	700毫W（塔）
HN1C01FU-Y,LXHF	0.4100	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1C01		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	150毫安			100nA（ICBO）		2 NPN（双）	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
HN1C01FU-Y(T5L,F,T	-	询价	3498	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1C01		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000															50V	150毫安			100nA（ICBO）		2 NPN（双）	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²