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离散半导体产品（（2909）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
RN2114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2114MFV，L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 7888 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN2114 150兆 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 50 @ 10mA，5V 1 kohms 10 kohms
RN2401,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2401，LF 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN2401 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 200 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
RN2402,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2402，LF 0.2200
RFQ
 ECAD 6149 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN2402 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
BAS316,H3F Toshiba Semiconductor and Storage BAS316，H3F 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-76，SOD-323 BAS316 标准 南加州大学 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.25 V @ 150 mA 3 ns 200 na @ 80 V 150°C （最大） 250mA 0.35pf @ 0v，1MHz
BAS516,H3F Toshiba Semiconductor and Storage BAS516，H3F 0.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-79，SOD-523 BAS516 标准 ESC键 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 4,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.25 V @ 150 mA 3 ns 200 na @ 80 V 150°C （最大） 250mA 0.35pf @ 0v，1MHz
BAV70,LM Toshiba Semiconductor and Storage Bav70，LM 0.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BAV70 标准 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 215ma 1.25 V @ 150 mA 4 ns 200 na @ 80 V 150°C （最大）
BAV99,LM Toshiba Semiconductor and Storage BAV99，LM 0.1900
RFQ
 ECAD 687 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BAV99 标准 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对系列连接 100 v 215ma 1.25 V @ 150 mA 3 ns 200 na @ 80 V 150°C （最大）
CBS10F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS10F40，L3F 0.4300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-882 CBS10F40 肖特基 CST2B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 700 mv @ 1 A 20 µA @ 40 V 150°C （最大） 1a 74pf @ 0v，1MHz
CUS05F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS05F40，H3F 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-76，SOD-323 CUS05F40 肖特基 南加州大学 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 810 MV @ 500 mA 15 µA @ 40 V 150°C （最大） 500mA 28pf @ 0v，1MHz
CUS10F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10F40，H3F 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-76，SOD-323 CUS10F40 肖特基 南加州大学 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 670 mv @ 1 a 20 µA @ 40 V 150°C （最大） 1a 74pf @ 0v，1MHz
SSM6J216FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J216FE，LF 0.4900
RFQ
 ECAD 2168 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6J216 MOSFET （金属 o化物） ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 P通道 12 v 4.8A（ta） 1.5V，4.5V 32MOHM @ 3.5A，4.5V 1V @ 1mA 12.7 NC @ 4.5 V ±8V 1040 pf @ 12 V - 700MW（TA）
SSM6L12TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L12TU，LF 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6L12 MOSFET （金属 o化物） 500MW UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 30V，20V 500mA（ta） 145MOHM @ 500mA，4.5V，260MOHM @ 250mA，4V 1.1V @ 100µA - 245pf @ 10V，218pf @ 10V -
SSM6N67NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N67NU，LF 0.5000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6N67 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 6 µdfn （2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 4A（ta） 39.1MOHM @ 2A，4.5V 1V @ 1mA 3.2nc @ 4.5V 310pf @ 15V 逻辑水平门，1.8V
SSM3K376R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K376R，LF 0.4300
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3K376 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 4A（ta） 1.8V，4.5V 56MOHM @ 2A，4.5V 1V @ 1mA 2.2 NC @ 4.5 V +12V，-8V 200 pf @ 10 V - 2W（TA）
TK040N65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK040N65Z，S1F 11.2700
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-247-3 TK040N65 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 57a（ta） 10V 40mohm @ 28.5a，10v 4V @ 2.85mA 105 NC @ 10 V ±30V 6250 PF @ 300 V - 360W（TC）
CUHS20F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs20f30，H3F 0.3600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 2-SMD，平坦的铅 CUHS20 肖特基 US2H 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 470 mv @ 2 a 60 µA @ 30 V 150°C （最大） 2a 380pf @ 0v，1MHz
CUHS20S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS20S30，H3F 0.3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 2-SMD，平坦的铅 CUHS20 肖特基 US2H 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 410 mv @ 2 a 500 µA @ 30 V 150°C （最大） 2a 390pf @ 0v，1MHz
DSF01S30SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DSF01S30SC，L3F -
RFQ
 ECAD 4466 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 0201（0603公制） DSF01S30 肖特基 SC2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） DSF01S30SCL3F Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 30 V 500 mv @ 100 ma 50 µA @ 30 V 125°c （最大） 100mA 9.3pf @ 0v，1MHz
TRS12A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12A65F，S1Q 5.4900
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 TRS12A65 SIC （碳化硅） TO-220F-2L - Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.6 V @ 12 A 0 ns 60 µA @ 650 V 175°c （最大） 12a 44pf @ 650V，1MHz
TRS8A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8A65F，S1Q 3.6600
RFQ
 ECAD 139 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 TRS8A65 SIC （碳化硅） TO-220F-2L - Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.6 V @ 8 A 0 ns 40 µA @ 650 V 175°c （最大） 8a 28pf @ 650V，1MHz
TRS4A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS4A65F，S1Q 2.3700
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 TRS4A65 SIC （碳化硅） TO-220F-2L - Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.6 V @ 4 A 0 ns 20 µA @ 650 V 175°c （最大） 4a 16pf @ 650V，1MHz
TK160F10N1,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1，LXGQ 3.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 175°C 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB TK160F10 MOSFET （金属 o化物） TO-220SM（W） 下载 3（168）） Ear99 8541.21.0095 1,000 n通道 100 v 160a（ta） 10V 2.4mohm @ 80a，10v 4V @ 1mA 121 NC @ 10 V ±20V 8510 PF @ 10 V - 375W（TC）
TK1R4F04PB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK1R4F04PB，LXGQ 2.7300
RFQ
 ECAD 885 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB TK1R4F04 MOSFET （金属 o化物） TO-220SM（W） 下载 3（168）） Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 40 V 160a（ta） 6V，10V 1.9MOHM @ 80a，6v 3V @ 500µA 103 NC @ 10 V ±20V 5500 pf @ 10 V - 205W（TC）
XPN7R104NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN7R104NC，L1XHQ 1.2500
RFQ
 ECAD 9396 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn XPN7R104 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance-WF （3.1x3.1） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 40 V 20A（TA） 4.5V，10V 7.1MOHM @ 10a，10v 2.5V @ 200µA 21 NC @ 10 V ±20V 1290 pf @ 10 V - （840MW）（TA），65W（tc）
TJ20S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ20S04M3L，LXHQ 0.9400
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 TJ20S04 MOSFET （金属 o化物） DPAK+ 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 40 V 20A（TA） 6V，10V 22.2MOHM @ 10A，10V 3V @ 1mA 37 NC @ 10 V +10V，-20V 1850 pf @ 10 V - 41W（TC）
TK100S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L，LXHQ 1.7200
RFQ
 ECAD 8020 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 TK100S04 MOSFET （金属 o化物） DPAK+ 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 40 V 100A（TA） 4.5V，10V 2.3MOHM @ 50a，10v 2.5V @ 500µA 76 NC @ 10 V ±20V 5490 pf @ 10 V - 180W（TC）
TK40S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK40S06N1L，LXHQ 1.0700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 TK40S06 MOSFET （金属 o化物） DPAK+ 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 60 V 40a（ta） 4.5V，10V 18mohm @ 20a，10v 2.5V @ 200µA 26 NC @ 10 V ±20V 1650 pf @ 10 V - 88.2W（TC）
XPN3R804NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN3R804NC，L1XHQ 1.4700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn XPN3R804 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance-WF （3.1x3.1） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 40 V 40a（ta） 4.5V，10V 3.8mohm @ 20a，10v 2.5V @ 300µA 35 NC @ 10 V ±20V 2230 PF @ 10 V - 840MW（TA），100W（TC）
TJ60S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S04M3L，LXHQ 1.4100
RFQ
 ECAD 3162 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 TJ60S04 MOSFET （金属 o化物） DPAK+ 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 40 V 60a（ta） 6V，10V 6.3mohm @ 30a，10v 3V @ 1mA 125 NC @ 10 V +10V，-20V 6510 PF @ 10 V - 90W（TC）
TJ40S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ40S04M3L，LXHQ 1.0800
RFQ
 ECAD 9632 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63 TJ40S04 MOSFET （金属 o化物） DPAK+ 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 40 V 40a（ta） 6V，10V 9.1mohm @ 20a，10v 3V @ 1mA 83 NC @ 10 V +10V，-20V 4140 pf @ 10 V - 68W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

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196-LFBGA裸露的垫子

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