分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	当前 - 最大	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电阻@If,F	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
RN2401,LF	0.2200	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2401		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安			500纳安		PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
RN2905,LXHF(CT	0.4400	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2905		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安			500纳安		2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
TK4A55D(STA4,Q,M)	-	询价	6988	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK4A55	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道			550伏	4A（塔）	10V	1.88欧姆@2A，10V	4.4V@1mA	11nC@10V	±30V	490pF@25V	-	35W（温度）
2SB1375,号角(M	-	询价	5769	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SB1375		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1																						60V	3A			10μA（ICBO）		国民党	1.5V@200mA，2A	100@500mA，5V	9兆赫兹
RN2907,LF(CT	0.2700	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2907		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安			500纳安		2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	47k欧姆
SSM3K315T(TE85L,F)	-	询价	5970	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3K315	MOSFET（金属O化物）		TSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道			30V	6A（塔）	4.5V、10V	27.6毫欧@4A，10V	2.5V@1mA	10V时为10.1nC	±20V	450pF@15V	-	700毫W（塔）
RN2964FE(TE85L,F)	-	询价	1932年	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2964		100毫W	ES6	-		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																						50V	100毫安			100nA（ICBO）		2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
RN2423(TE85L,F)	0.4100	询价	130	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2423		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	800毫安			500纳安		PNP - 预偏置	250mV@1mA、50mA	70@100mA，1V	200兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
TK11P65W,RQ	1.7300	询价	2	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK11P65	MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道			650伏	11.1A（塔）	10V	440毫欧@5.5A，10V	3.5V@450μA	25nC@10V	±30V	890 pF @ 300 V	-	100W（温度）
TPC8223-H,LQ(S	-	询价	5007	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TPC8223	MOSFET（金属O化物）	450毫W	8-SOP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）					30V	9A		17毫欧@4.5A，10V	2.3V@100μA	17nC@10V		1190pF@10V	逻辑电平门
RN4989(TE85L,F)	0.3400	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4989		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安			500纳安		1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	47k欧姆	22k欧姆
2SA1930(LBS2MATQ,M	-	询价	6177	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1930		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																						180伏	2A			5μA（ICBO）		国民党	1V@100mA，1A	100@100mA，5V	200兆赫
TK8Q65W,S1Q	1.7200	询价	5	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	TK8Q65	MOSFET（金属O化物）		爱帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	75			N沟道			650伏	7.8A（塔）	10V	670毫欧@3.9A，10V	3.5V@300μA	16nC@10V	±30V	570 pF @ 300 V	-	80W（温度）
RN4910，LF	0.2800	询价	7429	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4910		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安			100nA（ICBO）		1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	-
RN2406,LXHF	0.3400	询价	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2406		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安			500纳安		PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	47欧姆
2SC2229-Y(SHP,F,M)	-	询价	7291	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2229		800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																						150伏	50毫安			100nA（ICBO）		NPN	500mV@1mA、10mA	70@10mA，5V	120兆赫
RN2109MFV，L3F	0.1800	询价	7200	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2109		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																						50V	100毫安			500纳安		PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V		47欧姆	22欧姆
MT3S16U(TE85L,F)	0.2500	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	MT3S16		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000					4.5dBi																	5V	60毫安					NPN		80@5mA，1V	4GHz			2.4dB@1GHz
2SD1223(TE16L1,NQ)	0.9000	询价	第1484章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SD1223		1W	PW-模具	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000																						80V	4A			20μA（ICBO）		NPN-达林顿	1.5V@6mA，3A	1000 @ 3A，2V	-
2SC5819(TE12L,ZF)	-	询价	4711	东芝半导体和存储	-	盒子	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W	PW-MINI	下载				EAR99	8541.29.0095	1																						20V	1.5A			100nA（ICBO）		NPN	120mV@10mA、500mA	400@150mA，2V	-
CMS09(TE12L,Q,M)	0.5300	询价	4497	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-128	CMS09	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														30V	450毫伏@1安	30V时为500μA	-40℃～150℃	1A	70pF@10V、1MHz
RN4982FE,LF(CT	0.2700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4982		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																						50V	100毫安			100nA（ICBO）		1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	10k欧姆	10k欧姆
RN1403,LXHF	0.0645	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1403		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安			500纳安		NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	22欧姆	22欧姆
SSM6K824R，LF	0.5100	询价	2947	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6K824	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP-F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道			20V	6A（塔）	1.5V、4.5V	33毫欧@4A，4.5V	1V@1mA	3.6nC@4.5V	±8V	10V时为410pF	-	1.5W（塔）
TK20J60W,S1VE	5.3600	询价	24	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150℃	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	TK20J60	MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	25			N沟道			600伏	20A（塔）	10V	155mOhm@10A，10V	3.7V@1mA	48nC@10V	±30V	1680 pF @ 300 V	-	165W（温度）
TK14E65W5,S1X	3.0200	询价	15	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK14E65	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道			650伏	13.7A（塔）	10V	300毫欧@6.9A，10V	4.5V@690μA	40nC@10V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	130W（温度）
2SC5201,T6MURAF(J	-	询价	3172	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC5201		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1																						600伏	50毫安			1μA（ICBO）		NPN	1V@500mA、20mA	100@20mA，5V	-
2SC4883A	-	询价	7097	东芝半导体和存储	*	管子	的积极				2SC4883				-	符合RoHS标准	1（无限制）	2SC4883ATS		0000.00.0000	50
RN1317(TE85L,F)	0.2600	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1317		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安			500纳安		NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	4.7欧姆
1SV307(TPH3,F)	0.4300	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）		SC-76、SOD-323	1SV307			南加州大学	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000				50毫安																	0.5pF@1V、1MHz			PIN-单个	30V		1.5欧姆@10mA，100MHz

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²