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离散半导体产品（（2909）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 电容比 电容比条件 q @ vr，f
SSM6N48FU,RF(D Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU，RF（d -
RFQ
 ECAD 1977年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SSM6N48 MOSFET （金属 o化物） 300MW US6 下载 （1 （无限） SSM6N48FURF（d Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V （100mA）（TA） 3.2OHM @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA - 15.1pf @ 3V 逻辑水平门，2.5V
RN2104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2104MFV，L3F -
RFQ
 ECAD 2607 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN2104 150兆 VESM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） RN2104MFVL3F Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 47科姆斯 47科姆斯
TPCA8045-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8045-H （T2L1，VM -
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPCA8045 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 40 V 46a（ta） 4.5V，10V 3.6mohm @ 23A，10V 2.3V @ 1mA 90 NC @ 10 V ±20V 7540 pf @ 10 V - 1.6W（ta），45W（tc）
2SK3700(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3700（f） 2.5200
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 2SK3700 MOSFET （金属 o化物） to-3p n（n） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 900 v 5A（5A） 2.5OHM @ 3A，10V 4V @ 1mA 28 NC @ 10 V 1150 pf @ 25 V - 150W（TC）
TK12P50W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12P50W，RQ 2.0000
RFQ
 ECAD 6704 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 500 v 11.5A（TA） 10V 340MOHM @ 5.8A，10V 3.7V @ 600µA 25 NC @ 10 V ±30V 890 pf @ 300 V - 100W（TC）
SSM6K403TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K403TU，LF 0.4900
RFQ
 ECAD 6811 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6K403 MOSFET （金属 o化物） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 4.2A（ta） 1.5V，4V 28mohm @ 3a，4v 1V @ 1mA 16.8 NC @ 4 V ±10V 1050 pf @ 10 V - 500MW（TA）
HN1B04FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU-Y，LXHF 0.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 HN1B04 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100NA（ICBO） NPN，PNP 250mv @ 10mA，100mA / 300mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 150MHz，120MHz
RN2106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106MFV，L3XHF（ct 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN2106 150兆 VESM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 47科姆斯
TPH1R204PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R204PL1，LQ 1.6600
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8 SOP Advance（5x5.75） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 40 V 150a（TC） 4.5V，10V 1.24mohm @ 50a，10v 2.4V @ 500µA 74 NC @ 10 V ±20V 7200 PF @ 20 V - 960MW（TA），170W（tc）
CMH04(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH04（TE12L，Q，M） 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-128 CMH04 标准 M-Flat（2.4x3.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 980 mv @ 1 a 35 ns 10 µA @ 200 V -40°C〜150°C 1a -
RN1131MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1131MFV，L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN1131 150兆 VESM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 120 @ 1mA，5V 100 kohms
SSM3J306T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J306T（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 5083 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SSM3J306 MOSFET （金属 o化物） TSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 2.4A（TA） 4V，10V 117MOHM @ 1A，10V - 2.5 NC @ 15 V ±20V 280 pf @ 15 V - 700MW（TA）
SSM3J325F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J325F，LF 0.4100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SSM3J325 MOSFET （金属 o化物） S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 2A（TA） 1.5V，4.5V 150MOHM @ 1A，4.5V - 4.6 NC @ 4.5 V ±8V 270 pf @ 10 V - 600MW（TA）
TK16J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16J60W5，S1VQ 5.2000
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 TK16J60 MOSFET （金属 o化物） to-3p n（n） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 15.8A（TA） 10V 230MOHM @ 7.9A，10V 4.5V @ 790µA 43 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 V - 130W（TC）
RN4609(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4609（TE85L，F） 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 RN4609 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200MHz 47kohms 22KOHMS
SSM3J375F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J375F，LXHF 0.4900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101，U-MOSVI 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 2A（TA） 1.5V，4.5V 150MOHM @ 1A，4.5V 1V @ 1mA 4.6 NC @ 4.5 V +6V，-8V 270 pf @ 10 V - 600MW（TA）
TW015Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015Z65C，S1F 48.8100
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 175°C 通过洞 TO-247-4 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-247-4L x（X） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 100A（TC） 18V 22mohm @ 50a，18v 5V @ 11.7mA 128 NC @ 18 V +25V，-10V 4850 PF @ 400 V - 342W（TC）
JDV2S09FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S09FSTPL3 0.0766
RFQ
 ECAD 7473 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 2-SMD，平坦的铅 JDV2S09 FSC - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 10,000 11.1pf @ 1V，1MHz 单身的 10 v 2.1 C1/C4 -
SSM6N55NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N55NU，LF 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6N55 MOSFET （金属 o化物） 1W 6 µdfn （2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 4a 46mohm @ 4A，10V 2.5V @ 100µA 2.5NC @ 4.5V 280pf @ 15V 逻辑级别门
SSM3K35MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35MFV（TPL3） -
RFQ
 ECAD 8872 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-723 SSM3K35 MOSFET （金属 o化物） VESM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 n通道 20 v 180mA（TA） 1.2V，4V 3ohm @ 50mA，4V 1V @ 1mA ±10V 9.5 pf @ 3 V - 150MW（TA）
TK40E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK40E10N1，S1X 1.9900
RFQ
 ECAD 3520 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 TK40E10 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 90A（TC） 10V 8.2MOHM @ 20A，10V 4V @ 500µA 49 NC @ 10 V ±20V 3000 pf @ 50 V - 126W（TC）
TPCA8011-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage tpca8011-h（TE12LQM -
RFQ
 ECAD 5101 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPCA8011 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 40a（ta） 2.5V，4.5V 3.5MOHM @ 20a，4.5V 1.3V @ 200µA 32 NC @ 5 V ±12V 2900 PF @ 10 V - 1.6W（ta），45W（tc）
2SC6000(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6000（TE16L1，NQ） -
RFQ
 ECAD 4731 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SC6000 20 w PW-MOLD - 264-2SC6000（TE16L1NQ）TR Ear99 8541.29.0095 2,000 50 V 7 a 100NA（ICBO） NPN 180MV @ 83mA，2.5a 250 @ 2.5a，2V -
CRZ27(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ27（TE85L，Q，M） 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±10％ -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 SOD-123F CRZ27 700兆 S-Flat（1.6x3.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 MA 10 µA @ 19 V 27 V 30欧姆
RN1108,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1108，LXHF（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN1108 100兆 SSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 22 KOHMS 47科姆斯
TRS8E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65H，S1Q 2.7600
RFQ
 ECAD 395 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220-2L - rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TRS8E65H，S1Q Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.35 V @ 8 A 0 ns 90 µA @ 650 V 175°C 8a 520pf @ 1V，1MHz
TDTC124E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC124E，LM 0.1800
RFQ
 ECAD 4840 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TDTC124 320兆W SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 49 @ 5mA，5v 250 MHz 22 KOHMS
SSM3J307T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J307T（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 9193 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSV 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SSM3J307 MOSFET （金属 o化物） TSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 5A（5A） 1.5V，4.5V 31MOHM @ 4A，4.5V 1V @ 1mA 19 nc @ 4.5 V ±8V 1170 pf @ 10 V - 700MW（TA）
SSM6J53FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J53FE（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 2682 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6J53 MOSFET （金属 o化物） ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 P通道 20 v 1.8A（ta） 1.5V，2.5V 136mohm @ 1A，2.5V 1V @ 1mA 10.6 NC @ 4 V ±8V 568 pf @ 10 V - 500MW（TA）
SSM3H137TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3H137TU，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 3-SMD，平坦的铅 SSM3H137 MOSFET （金属 o化物） UFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 34 v 2A（TA） 4V，10V 240MOHM @ 1A，10V 1.7V @ 1mA 3 NC @ 10 V ±20V 119 pf @ 10 V - 800MW（TA）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    全球制造商

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196-LFBGA裸露的垫子

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