分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
TPH3R003PL,LQ	0.9900	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH3R003		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道		30V	88A（温度）	4.5V、10V	4.2毫欧@44A，4.5V	2.1V@300μA	50nC@10V	±20V	15V时为3825pF	-	90W（温度）
RN2425(TE85L,F)	0.4000	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2425			200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																									50V	800毫安					500纳安	PNP - 预偏置	250mV@1mA、50mA	90@100mA，1V	200兆赫		10欧姆
SSM3K15ACTC，L3F	0.3200	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3K15		MOSFET（金属O化物）		CST3C	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000			N沟道		30V	100mA（塔）	2.5V、4V	3.6欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA		±20V	13.5pF@3V	-	500毫W（塔）
HN1C01FE-GR,LXHF	0.3900	询价	7	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN1C01			100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																									50V	150毫安					100nA（ICBO）	2 NPN（双）	250毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
RN2961FE(TE85L,F)	-	询价	9441	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2961			100毫W	ES6	-		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																									50V	100毫安					100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	4.7k欧姆
1SS308(TE85L,F	0.4300	询价	15	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74A、SOT-753	1SS308		标准		SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度													4共阳极	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
RN2309，LF	0.1800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2309			100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																									50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	22欧姆
SSM3J375F，LF	0.4100	询价	28	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3J375		MOSFET（金属O化物）		S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道		20V	2A（塔）	1.5V、4.5V	150mOhm@1A，4.5V	1V@1mA	4.5V时为4.6nC	+6V、-8V	270pF@10V	-	600毫W（塔）
TK20P04M1,RQ(S	-	询价	3613	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK20P04		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道		40V	20A（塔）	4.5V、10V	29毫欧@10A、10V	2.3V@100μA	15nC@10V	±20V	985pF@10V	-	27W（温度）
TK28V65W,LQ	5.2600	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘	TK28V65		MOSFET（金属O化物）		4-DFN-EP (8x8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人			N沟道		650伏	27.6A（塔）	10V	120毫欧@13.8A，10V	3.5V@1.6mA	75nC@10V	±30V	3000 pF @ 300 V	-	240W（温度）
SSM6L14FE(TE85L,F)	0.4300	询价	35	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6L14		MOSFET（金属O化物）	150毫W（塔）	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	N 和 P 沟道				20V	800mA（Ta）、720mA（Ta）		240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V	1V@1mA	2nC@4.5V，1.76nC@4.5V		90pF@10V，110pF@10V	逻辑电平门，1.5V驱动
RN2103,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2103			100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																									50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22欧姆	22欧姆
GT40RR21(STA1,E	3.6500	询价	1369	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	GT40RR21	标准		230W	TO-3P(N)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	25				280V，40A，10欧姆，20V															600纳秒					-	1200伏	40A	200A	2.8V@15V，40A	-, 540μJ（关闭）	-
TK14N65W,S1F	3.3800	询价	8957	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	TK14N65		MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道		650伏	13.7A（塔）	10V	250毫欧@6.9A，10V	3.5V@690μA	35nC@10V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	130W（温度）
RN2410，LF	0.1900	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2410			200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																									50V	100毫安					100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	4.7欧姆
TRS12A65F,S1Q	5.4900	询价	28	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		通孔	TO-220-2全包	TRS12A65		SiC（碳化硅）肖特基		TO-220F-2L	-				EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)														650伏		1.6V@12A	0纳秒	60μA@650V	175℃（最高）	12A	44pF@650V，1MHz
TPCA8031-H(TE12L,Q	-	询价	8993	东芝半导体和存储	U-MOSV-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8031		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道		30V	24A（塔）	4.5V、10V	11毫欧@12A，10V	2.5V@1mA	21nC@10V	±20V	2150pF@10V	-	1.6W（Ta）、30W（Tc）
TK31N60X,S1F	5.9700	询价	9517	东芝半导体和存储	DTMOSIV-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	TK31N60		MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道		600伏	30.8A（塔）	10V	88毫欧@9.4A，10V	3.5V@1.5mA	65nC@10V	±30V	3000 pF @ 300 V	-	230W（温度）
SSM6N48FU，射频（D	-	询价	1977年	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SSM6N48		MOSFET（金属O化物）	300毫W	美国6号	下载		1（无限制）	SSM6N48FURF(D	EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）				30V	100mA（塔）		3.2欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA	-		15.1pF@3V	逻辑电平门，2.5V驱动
2SJ438,MDKQ(米	-	询价	6890	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-220-3全包	2SJ438				TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1						5A（Tj）
SSM3K376R，LF	0.4300	询价	54	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3K376		MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道		30V	4A（塔）	1.8V、4.5V	56mOhm@2A，4.5V	1V@1mA	2.2nC@4.5V	+12V、-8V	200pF@10V	-	2W（塔）
TK160F10N1L,LXGQ	3.7000	询价	4476	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	TK160F10		MOSFET（金属O化物）		TO-220SM(W)	-		3（168小时）		EAR99	8541.29.0095	1,000			N沟道		100V	160A（塔）	6V、10V	2.4毫欧@80A，10V	3.5V@1mA	122nC@10V	±20V	10V时为10100pF	-	375W（温度）
TK6A50D(STA4,Q,M)	1.3700	询价	50	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK6A50		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		500V	6A（塔）	10V	1.4欧姆@3A，10V	4.4V@1mA	11nC@10V	±30V	540pF@25V	-	35W（温度）
TK28V65W5,LQ	5.5700	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘	TK28V65		MOSFET（金属O化物）		4-DFN-EP (8x8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人			N沟道		650伏	27.6A（塔）	10V	140毫欧@13.8A，10V	4.5V@1.6mA	90nC@10V	±30V	3000 pF @ 300 V	-	240W（温度）
TK125V65Z,LQ	4.9000	询价	7993	东芝半导体和存储	DTMOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘	TK125V65		MOSFET（金属O化物）		4-DFN-EP (8x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		EAR99	8541.29.0095	2,500人			N沟道		650伏	24A（塔）	10V	125毫欧@12A，10V	4V@1.02mA	40nC@10V	±30V	2250 pF @ 300 V	-	190W（温度）
TW140N120C,S1F	11.3700	询价	10	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175℃	通孔	TO-247-3			SiCFET（碳化硅）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道		1200伏	20A（温度）	18V	182毫欧@10A，18V	5V@1mA	24nC@18V	+25V，-10V	800V时为691pF	-	107W（温度）
RN2401,LF	0.2200	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2401			200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																									50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
RN2905,LXHF(CT	0.4400	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2905			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																									50V	100毫安					500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
TK4A55D(STA4,Q,M)	-	询价	6988	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK4A55		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		550伏	4A（塔）	10V	1.88欧姆@2A，10V	4.4V@1mA	11nC@10V	±30V	490pF@25V	-	35W（温度）
2SB1375,号角(M	-	询价	5769	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SB1375			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1																									60V	3A					10μA（ICBO）	国民党	1.5V@200mA，2A	100@500mA，5V	9兆赫兹

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²