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离散半导体产品（（2909）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
RN2711(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2711（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 1334 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN2711 200MW 5-SSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2（PNP- 预偏（双重）（） 300mv @ 250µA，5mA 400 @ 1mA，5V 200MHz 10KOHMS -
2SA965-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-y，f（j -
RFQ
 ECAD 3433 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA965 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA（ICBO） PNP 1V @ 50mA，500mA 80 @ 100mA，5V 120MHz
2SA1020-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y，T6KeHF（m -
RFQ
 ECAD 1707年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA1020 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
RN4984FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4984fe，lf（Ct 0.2800
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4984 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 47kohms 47kohms
2SA1020-Y,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y，t6wnlf（j -
RFQ
 ECAD 2798 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA1020 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） 2SA1020-YT6WNLF（j Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
TK25N60X5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK25N60X5，S1F 4.5900
RFQ
 ECAD 8939 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSIV-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 TK25N60 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 25A（TA） 10V 140MOHM @ 7.5A，10V 4.5V @ 1.2mA 60 NC @ 10 V ±30V 2400 PF @ 300 V - 180W（TC）
RN1403,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1403，LF 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1403 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
2SD2695(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695（t6cno，A，f） -
RFQ
 ECAD 5381 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SD2695 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 60 V 2 a 10µA（ICBO） NPN 1.5V @ 1mA，1a 2000 @ 1A，2V 100MHz
2SA949-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2sa949-o（te6，f，m） -
RFQ
 ECAD 1856年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA949 800兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 mA 100NA（ICBO） PNP 800mv @ 1mA，10a 70 @ 10mA，5V 120MHz
CUS05F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS05F40，H3F 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-76，SOD-323 CUS05F40 肖特基 南加州大学 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 810 MV @ 500 mA 15 µA @ 40 V 150°C （最大） 500mA 28pf @ 0v，1MHz
1SS302A,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS302A，LF 0.2200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 1SS302 标准 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 1对系列连接 80 V 100mA 1.2 V @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 V -55°C〜150°C
2SC2235-Y(MBSH1,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-y MBSH1，FM -
RFQ
 ECAD 5908 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2235 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA（ICBO） NPN 1V @ 50mA，500mA 80 @ 100mA，5V 120MHz
RN2410,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2410，LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 7556 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN2410 200兆 S-Mini 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200 MHz 4.7科姆斯
RN1902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902FE，LF（ct 0.3400
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN1902 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 250MHz 10KOHMS 1KOHMS
RN2423(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2423（TE85L，F） 0.4100
RFQ
 ECAD 130 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN2423 200兆 S-Mini 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 800 MA 500NA pnp-预先偏见 250mv @ 1mA，50mA 70 @ 100mA，1V 200 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
SSM6J507NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J507NU，LF 0.4600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6J507 MOSFET （金属 o化物） 6-udfnb（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 10a（10a） 4V，10V 20mohm @ 4a，10v 2.2V @ 250µA 20.4 NC @ 4.5 V +20V，-25V 1150 pf @ 15 V - 1.25W（TA）
TPH1R403NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R403NL，L1Q 1.5500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPH1R403 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 60a（ta） 4.5V，10V 1.4mohm @ 30a，10v 2.3V @ 500µA 46 NC @ 10 V ±20V 4400 pf @ 15 V - 1.6W（TA），64W（tc）
RN2311,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2311，LF 0.1800
RFQ
 ECAD 7033 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN2311 100兆 SC-70 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200 MHz 10 kohms
RN1130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1130MFV，L3F 0.1000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN1130 150兆 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 100 @ 10mA，5v 250 MHz 100 kohms 100 kohms
RN1673(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1673（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 6017 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1673 300MW US6 - （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V - 47kohms -
RN1103MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV，L3XHF（ct 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN1103 150兆 VESM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 70 @ 10mA，5V 22 KOHMS 22 KOHMS
RN1106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV，L3XHF（ct 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN1106 150兆 VESM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 80 @ 1mA，5V 4.7科姆斯 47科姆斯
TW015N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015N120C，S1F 68.0400
RFQ
 ECAD 2613 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 175°C 通过洞 TO-247-3 sicfet （碳化硅） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 100A（TC） 18V 20mohm @ 50a，18v 5V @ 11.7mA 158 NC @ 18 V +25V，-10V 6000 PF @ 800 V - 431W（TC）
2SA1954-A(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1954-A （TE85L，f） -
RFQ
 ECAD 8074 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 125°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 2SA1954 100兆 SC-70 - （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 12 v 500 MA 100NA（ICBO） PNP 250mv @ 10mA，200mA 300 @ 10mA，2V 130MHz
CUS05S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS05S40，H3F 0.3200
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-76，SOD-323 CUS05S40 肖特基 南加州大学 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 350 mv @ 100 ma 30 µA @ 10 V 125°c （最大） 500mA 42pf @ 0v，1MHz
SSM3K35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35CT，L3F 0.3200
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SC-101，SOT-883 SSM3K35 MOSFET （金属 o化物） CST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 20 v 180mA（TA） 1.2V，4V 3ohm @ 50mA，4V 1V @ 1mA ±10V 9.5 pf @ 3 V - 100mW（TA）
SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K345R，LF 0.4300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3K345 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 4A（ta） 1.5V，4.5V 33MOHM @ 4A，4.5V 1V @ 1mA 3.6 NC @ 4.5 V ±8V 410 pf @ 10 V - 1W（ta）
TPH3R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R003PL，LQ 0.9900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPH3R003 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 88A（TC） 4.5V，10V 4.2MOHM @ 44A，4.5V 2.1V @ 300µA 50 NC @ 10 V ±20V 3825 pf @ 15 V - 90W（TC）
SSM6N48FU,RF(D Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N48FU，RF（d -
RFQ
 ECAD 1977年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SSM6N48 MOSFET （金属 o化物） 300MW US6 下载 （1 （无限） SSM6N48FURF（d Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V （100mA）（TA） 3.2OHM @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA - 15.1pf @ 3V 逻辑水平门，2.5V
RN4982FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4982FE，LXHF（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4982 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250MHz，200MHz 10KOHMS 10KOHMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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