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离散半导体产品（（2909）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 电流 -id（ID） @ 25°C （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡
2SA1020-Y,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y，t6wnlf（j -
RFQ
 ECAD 2798 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA1020 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） 2SA1020-YT6WNLF（j Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
2SC6042,T2WNLQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6042，t2wnlq（j -
RFQ
 ECAD 6294 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 SC-71 2SC6042 1 w MSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 375 v 1 a 100µA（ICBO） NPN 1V @ 100mA，800mA 100 @ 100mA，5V -
2SD2257(CANO,A,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257（Cano，A，Q） -
RFQ
 ECAD 7754 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SD2257 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 100 v 3 a 10µA（ICBO） NPN 1.5V @ 1.5mA，1.5a 2000 @ 2a，2v -
2SD2257(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257（Q，M） -
RFQ
 ECAD 9334 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SD2257 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 100 v 3 a 10µA（ICBO） NPN 1.5V @ 1.5mA，1.5a 2000 @ 2a，2v -
2SD2257,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257，Q（j -
RFQ
 ECAD 9453 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SD2257 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 100 v 3 a 10µA（ICBO） NPN 1.5V @ 1.5mA，1.5a 2000 @ 2a，2v -
2SJ438,MDKQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438，MDKQ（m -
RFQ
 ECAD 6890 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 通过洞 TO-220-3完整包 2SJ438 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 5A（TJ）
2SJ438,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438，Q（j -
RFQ
 ECAD 2689 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 通过洞 TO-220-3完整包 2SJ438 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 5A（TJ）
2SK2962,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962，t6f（j -
RFQ
 ECAD 4247 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SK2962 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 1 1A（TJ）
2SK2962,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962，T6WNLF（j -
RFQ
 ECAD 1755年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SK2962 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 1 1A（TJ）
2SK2962,T6WNLF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962，T6WNLF （m -
RFQ
 ECAD 5951 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SK2962 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 1 1A（TJ）
2SK2989(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989（t6cano，A，f -
RFQ
 ECAD 8088 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SK2989 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 1 5A（TJ）
2SK2989(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989（t6cano，f，m -
RFQ
 ECAD 9386 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SK2989 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 1 5A（TJ）
2SK2989,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989，T6F（j -
RFQ
 ECAD 7347 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SK2989 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 1 5A（TJ）
CLH05(T6L,NKOD,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH05（T6L，NKOD，Q） -
RFQ
 ECAD 1913年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面安装 l-flat™ CLH05 标准 l-flat™（4x5.5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 980 mv @ 5 a 35 ns 10 µA @ 200 V -40°C〜150°C 5a -
CLH05,LMBJQ(O Toshiba Semiconductor and Storage CLH05，LMBJQ（o -
RFQ
 ECAD 5120 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面安装 l-flat™ CLH05 标准 l-flat™（4x5.5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 980 mv @ 5 a 35 ns 10 µA @ 200 V -40°C〜150°C 5a -
CLH06(TE16L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH06（TE16L，Q） -
RFQ
 ECAD 9941 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面安装 l-flat™ CLH06 标准 l-flat™（4x5.5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 300 v 35 ns - 5a -
CLS02(T6L,CLAR,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02（T6L，CLAR，Q），Q） -
RFQ
 ECAD 2894 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面安装 l-flat™ CLS02 肖特基 l-flat™（4x5.5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 550 mv @ 10 a 1 mA @ 40 V -40°C〜125°C 10a 420pf @ 10V，1MHz
CLS02(TE16L,SQC,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02（TE16L，SQC，Q） -
RFQ
 ECAD 2120 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面安装 l-flat™ CLS02 肖特基 l-flat™（4x5.5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 40 V 550 mv @ 10 a 1 mA @ 40 V -40°C〜125°C 10a 420pf @ 10V，1MHz
CLS03(TE16L,DNSO,Q Toshiba Semiconductor and Storage CLS03（TE16L，DNSO，Q -
RFQ
 ECAD 9888 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面安装 l-flat™ CLS03 肖特基 l-flat™（4x5.5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 60 V 580 mv @ 10 a 1 mA @ 60 V -40°C〜125°C 10a 345pf @ 10V，1MHz
CLS03(TE16L,PCD,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS03（TE16L，PCD，Q） -
RFQ
 ECAD 5355 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 表面安装 l-flat™ CLS03 肖特基 l-flat™（4x5.5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 60 V 580 mv @ 10 a 1 mA @ 60 V -40°C〜125°C 10a 345pf @ 10V，1MHz
2SC5886A,L1XHQ(O Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5886A，L1XHQ（o -
RFQ
 ECAD 7632 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 2SC5886 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000
2SA1668 Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1668 -
RFQ
 ECAD 4425 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 积极的 2SA166 - Rohs符合条件 （1 （无限） 2SA1668TS 0000.00.0000 50
2SC4883A Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4883A -
RFQ
 ECAD 7097 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 积极的 2SC4883 - Rohs符合条件 （1 （无限） 2SC4883ATS 0000.00.0000 50
2SC5354,TOJSQ(O Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5354，TOJSQ o -
RFQ
 ECAD 2914 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 积极的 2SC5354 下载 Rohs符合条件 不适用 Ear99 8541.29.0095 50
TTA004B,Q Toshiba Semiconductor and Storage tta004b，q 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-225AA，TO-126-3 TTA004 10 W to-126n 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 250 160 v 1.5 a 100NA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，500mA 140 @ 100mA，5V 100MHz
TTB1020B,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TTB1020B，S4X s -
RFQ
 ECAD 8142 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 积极的 TTB1020 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50
TTD1509B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage ttd1509b，q（s -
RFQ
 ECAD 2966 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 积极的 TTD1509 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 250
2SA1020-O(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O（M）（m） -
RFQ
 ECAD 4526 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA1020 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
2SA1020-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O te6，F，M） -
RFQ
 ECAD 3483 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA1020 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
2SA1020-Y(T6FJT,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y t6fjt，AF -
RFQ
 ECAD 7274 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA1020 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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