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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | (amp) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | 噪音图 | 电压 -测试 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MRF1K50HR5178 | 212.7600 | ![]() | 181 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 135 v | 底盘安装 | SOT-979A | 1.8MHz〜500MHz | ldmos | NI-1230-4H | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 双重的 | 20µA | 100 ma | 1500W | 23.7dB | - | 50 V | |||
![]() | MHT1008NT1 | 18.1000 | ![]() | 483 | 0.00000000 | 自由度半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2156-MHT1008NT1-600055 | Ear99 | 8541.29.0075 | 17 | ||||||||||||||||
![]() | AFT26P100-4WSR3 | 153.3100 | ![]() | 120 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780S-4 | AFT26 | 2.69GHz | ldmos | NI-780S-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 155 | 双重的 | - | 200 ma | 22W | 15.1db | - | 28 V | |||
![]() | MRF5P21180HR5 | 138.1700 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-1230 | MRF5 | 2.16GHz | ldmos | NI-1230 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 1.6 a | 38W | 14dB | - | 28 V | ||||
![]() | MRF7S38010HSR5 | 56.8300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-400S-2S | MRF7 | 3.4GHz〜3.6GHz | ldmos | NI-400S-2S | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 160 MA | 2W | 15DB | - | 30 V | ||||
![]() | MRF373R1 | 41.6000 | ![]() | 60 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | NI-360 | 470MHz〜860MHz | n通道 | NI-360 | - | 2156-MRF373R1 | 8 | n通道 | 7a | 60W | 14.7dB | - | |||||||||
![]() | MRF6S21060BR1 | - | ![]() | 1939年 | 0.00000000 | 自由度半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | MRF6VP121KHR5178 | - | ![]() | 7058 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 110 v | 底盘安装 | NI-1230 | 965MHz〜1.215GHz | ldmos | NI-1230 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 1 | 双重的 | 100µA | 150 ma | 1000W | 21.4db | - | 50 V | |||||
![]() | MRF6S19060NBR1 | 44.0600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 68 v | 底盘安装 | TO-272BB | 1.93GHz | ldmos | TO-272 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 610 MA | 12W | 16dB | - | 28 V | ||||||
![]() | MRF5S19100HR | 62.3800 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 自由度半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | ||||||||||||||||
![]() | MRF8P20140WHSR5 | - | ![]() | 2610 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 表面安装 | NI-780S-4L | 1.88GHz〜2.03GHz | LDMO (双) | NI-780S-4L | - | 2156-MRF8P20140WHSR5 | 1 | 2 n通道 | 10µA | 500 MA | 24W | 16dB | - | 28 V | |||||||
![]() | MRF9080R5 | 59.6200 | ![]() | 26 | 0.00000000 | 自由度半导体 | * | 大部分 | 积极的 | MRF9080 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 26 | |||||||||||||||
![]() | MRFE6VS25NR1528 | - | ![]() | 1859年 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 133 v | 表面安装 | TO-270AA | 1.8MHz〜2GHz | ldmos | TO-270-2 | - | 2156-MRFE6VS25NR1528 | 1 | n通道 | - | 10 MA | 25W | 25.4db @ 512MHz | - | 50 V | |||||||
MRF7S16150HSR3 | 1.0000 | ![]() | 1195 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780 | 1.6GHz〜1.66GHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.5 a | 32W | 19.7db | - | 28 V | |||||||
![]() | MRFG35010R5 | 59.4800 | ![]() | 158 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 15 v | 底盘安装 | NI-360HF | 3.55GHz | Phemt fet | NI-360HF | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 180 MA | 10W | 10dB | - | 12 v |
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