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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | (amp) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | 噪音图 | 电压 -测试 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MRF6S9160HSR3 | 97.0400 | ![]() | 47 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | 底盘安装 | NI-780 | 880MHz〜960MHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 10µA | 1.2 a | 35W | 20.9db | - | 28 V | ||||
![]() | MHT1008NT1515 | - | ![]() | 4157 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 表面安装 | PLD-1.5W | 2.45GHz | ldmos | PLD-1.5W | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 1,000 | 10µA | 110 MA | 12.5W | 20.9db | - | 28 V | ||||||
![]() | MRF8P20100HSR3 | 93.7900 | ![]() | 44 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780S-4 | MRF8 | 2.03GHz | ldmos | NI-780S-4 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | - | 400 MA | 20W | 16dB | - | 28 V | |||
![]() | MRF5S19060NBR1 | 50.2600 | ![]() | 332 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | TO-272BB | MRF5 | 1.99GHz | ldmos | TO-272 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 750 MA | 12W | 14dB | - | 28 V | ||||
![]() | MRF6P21190HR5 | 154.4000 | ![]() | 5971 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 68 v | 底盘安装 | NI-1230 | 2.12GHz | ldmos | NI-1230 | - | 0000.00.0000 | 1 | - | 1.9 a | 44W | 15.5db | - | 28 V | ||||||||
![]() | MRFE6S9160HSR3 | 136.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 66 v | NI-780 | MRFE6 | 880MHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.2 a | 35W | 21dB | - | 28 V | ||||
![]() | MRF6S21100NR1 | 57.3200 | ![]() | 336 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | 表面安装 | TO-270AB | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | TO-270 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 10µA | 1.05 a | 23W | 14.5db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF6S19140HSR5 | 112.6200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | NI-880S | MRF6 | 1.93GHZ〜1.99GHz | ldmos | NI-880S | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 1 | - | 1.15 a | 29W | 16dB | - | 28 V | ||||||
![]() | MRFG35010NT1 | 37.5500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 15 v | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55GHz | Phemt fet | PLD-1.5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1,000 | - | 180 MA | 9W | 10dB | - | 12 v | ||||
![]() | MRF18030ALSR5 | 41.8400 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | Ni-400s | MRF18 | 1.81GHZ〜1.88GHz | ldmos | Ni-400s | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | - | 250 MA | 30W | 14dB | - | 26 V | ||||
![]() | MRF5S19150HSR5 | 127.4800 | ![]() | 150 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-880S | MRF5 | 1.93GHZ〜1.99GHz | ldmos | NI-880S | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | - | 1.4 a | 32W | 14dB | - | 28 V | ||||
![]() | MRFE6S9135HSR3 | 94.6700 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 66 v | 表面安装 | NI-880S | 1GHz | ldmos | NI-880S | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 10µA | 1 a | 39W | 21dB | - | 28 V | ||||
![]() | MRF6S27015GNR1 | 27.6600 | ![]() | 793 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | TO-270BA | MRF6 | 2.6GHz | ldmos | TO-270-2鸥 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 500 | - | 160 MA | 3W | 14dB | - | 28 V | ||||
![]() | AFT26HW050GSR3 | - | ![]() | 9284 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780GS | AFT26 | 2.69GHz | ldmos | NI-780GS-4L4L | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | 双重的 | - | 100 ma | 9W | 14.2db | - | 28 V | |||
![]() | MRF6S9130HSR3 | 72.8200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | NI-780 | MRF6 | 880MHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 250 | - | 950 MA | 27W | 19.2db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF19045LSR5 | 28.1800 | ![]() | 135 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | Ni-400s | MRF19 | 1.93GHz | ldmos | NI-400S-240 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | - | 550 MA | 9.5W | 14.5db | - | 26 V | ||||
![]() | MRF5S9100NR1 | 41.5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | TO-270AB | MRF5 | 880MHz | ldmos | TO-270 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 500 | - | 950 MA | 20W | 19.5db | - | 26 V | ||||
![]() | MRF7P20040HSR3 | 46.9500 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780S-4 | 1.8GHz〜2.2GHz | ldmos | NI-780S-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 双重的 | 10µA | 150 ma | 10W | 18.2db | - | 32 v | |||
![]() | MRF5S19060NR1 | 47.2300 | ![]() | 972 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | TO-270AB | MRF5 | 1.99GHz | ldmos | TO-270 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 500 | - | 750 MA | 12W | 14dB | - | 28 V | ||||
![]() | MRF5S21100HSR5 | 54.8800 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780 | MRF5 | 2.16GHz〜2.17GHz | ldmos | NI-780 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.05 a | 23W | 13.5dB | - | 28 V | ||||
![]() | MRF8S21100HSR3 | 101.3300 | ![]() | 905 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780 | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 250 | 10µA | 700 MA | 24W | 18.3db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF8P20161HSR3 | 110.0400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780S-4 | MRF8 | 1.92GHz | ldmos | NI-780S-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 双重的 | - | 550 MA | 37W | 16.4dB | - | 28 V | |||
![]() | MRF6VP3450HR6 | - | ![]() | 7297 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 110 v | NI-1230 | MRF6 | 860MHz | ldmos | NI-1230 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | - | 1.4 a | 90W | 22.5dB | - | 50 V | |||
![]() | AFV09P350-04GNR3 | 233.1000 | ![]() | 253 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 105 v | 表面安装 | OM-780G-4L | 920MHz | ldmos | OM-780G-4L | 下载 | 5A991G | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | - | 860 MA | 100W | 19.5db | - | 48 v | ||||||
![]() | MMRF1006HR5 | 543.1200 | ![]() | 35 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 120 v | 底盘安装 | SOT-979A | 450MHz | ldmos | NI-1230-4H | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 150 ma | 1000W | 20dB | - | 50 V | |||||||
![]() | MRFIC1501R2 | 1.7200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 自由度半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 供应商不确定 | 2156-MRFIC1501R2-600055 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MRF8P20165WHSR5 | 117.6600 | ![]() | 39 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780S-4 | 1.88GHZ〜2.025GHz | ldmos | NI-780S-4 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 双重的 | 10µA | 550 MA | 37W | 14.8db | - | 28 V | |||||
MRF6S27085HSR5 | 81.8500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 68 v | 底盘安装 | NI-780 | 2.66GHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 900 MA | 20W | 15.5db | - | 28 V | |||||||
![]() | MRF6S27050HSR3 | 56.0000 | ![]() | 3366 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 68 v | 底盘安装 | NI-780 | 2.62GHz | ldmos | NI-780 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 500 MA | 7W | 16dB | - | 28 V | |||||||
![]() | MRFG35010MR5 | 37.5500 | ![]() | 235 | 0.00000000 | 自由度半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 |
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