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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | (amp) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | 噪音图 | 电压 -测试 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MRFG35010R5 | 59.4800 | ![]() | 158 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 15 v | 底盘安装 | NI-360HF | 3.55GHz | Phemt fet | NI-360HF | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 180 MA | 10W | 10dB | - | 12 v | ||||||
MRF8S21100H5 | - | ![]() | 7195 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-957A | 2.17GHz | MOSFET | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 4 | n通道 | - | 700 MA | 24W | 18.3db | - | 28 V | ||||||
![]() | MRF21060R3 | 41.0100 | ![]() | 736 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-957A | 2.1GHz〜2.2GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 6µA | 500 MA | 60W | 12.5db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF6S21060NBR1 | 67.1100 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 自由度半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 供应商不确定 | 2156-MRF6S21060NBR1-600055 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MHT1008NT1 | 18.1000 | ![]() | 483 | 0.00000000 | 自由度半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2156-MHT1008NT1-600055 | Ear99 | 8541.29.0075 | 17 | ||||||||||||||||
![]() | MRF8P20140WHSR5 | - | ![]() | 2610 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 表面安装 | NI-780S-4L | 1.88GHz〜2.03GHz | LDMO (双) | NI-780S-4L | - | 2156-MRF8P20140WHSR5 | 1 | 2 n通道 | 10µA | 500 MA | 24W | 16dB | - | 28 V | |||||||
![]() | MRF373R1 | 41.6000 | ![]() | 60 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | NI-360 | 470MHz〜860MHz | n通道 | NI-360 | - | 2156-MRF373R1 | 8 | n通道 | 7a | 60W | 14.7dB | - | |||||||||
![]() | MRFE6VS25NR1528 | - | ![]() | 1859年 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 133 v | 表面安装 | TO-270AA | 1.8MHz〜2GHz | ldmos | TO-270-2 | - | 2156-MRFE6VS25NR1528 | 1 | n通道 | - | 10 MA | 25W | 25.4db @ 512MHz | - | 50 V | |||||||
![]() | MRF8S9100HSR3 | 66.8800 | ![]() | 138 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 70 v | NI-780 | MRF8 | 920MHz | ldmos | NI-780 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 500 MA | 72W | 19.3db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF6S23100HSR3 | 74.8400 | ![]() | 34 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | 底盘安装 | NI-780 | 2.3GHz〜2.4GHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 10µA | 1 a | 20W | 15.4dB | - | 28 V | ||||
![]() | MRF8S21200H6 | 103.4900 | ![]() | 242 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-1230 | MRF8 | 2.14GHz | ldmos | NI-1230 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 5A991 | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | - | 1.4 a | 48W | 18.1db | - | 28 V | |||
![]() | MRF8P20160HSR3 | 164.6200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780S-4 | MRF8 | 1.92GHz | ldmos | NI-780S-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 双重的 | - | 550 MA | 37W | 16.5db | - | 28 V | |||
![]() | MRF1K50HR5178 | 212.7600 | ![]() | 181 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 135 v | 底盘安装 | SOT-979A | 1.8MHz〜500MHz | ldmos | NI-1230-4H | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 双重的 | 20µA | 100 ma | 1500W | 23.7dB | - | 50 V | |||
![]() | MRF21125R3 | 122.1100 | ![]() | 809 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-957A | 2.11GHZ〜2.17GHz | MOSFET | NI-880H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 250 | n通道 | 10µA | 1.6 a | 125W | 13DB | - | 28 V | |||
![]() | MRF5S4140HR3 | 72.6600 | ![]() | 248 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | SOT-957A | MRF5 | 465MHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 1.25 a | 28W | 21dB | - | 28 V | ||||
![]() | MRFG35003NR5 | 17.2800 | ![]() | 900 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 15 v | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55GHz | Phemt fet | PLD-1.5 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 55 MA | 3W | 11.5db | - | 12 v | ||||
![]() | MRF5P21240HR6 | 162.4100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | NI-1230 | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | NI-1230 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 150 | 10µA | 2.2 a | 52W | 13DB | - | 28 V | ||||
![]() | MRF7S19100NR1 | 47.5300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | TO-270AB | MRF7 | 1.93GHZ〜1.99GHz | ldmos | TO-270 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 1 a | 29W | 17.5db | - | 28 V | ||||
![]() | AFT18HW355SR5 | 275.3000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-1230S | AFT18 | 1.88GHz | ldmos | NI-1230S | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | 双重的 | - | 1.1 a | 63W | 15.2db | - | 28 V | |||
![]() | MD7P19130HR3 | 92.8300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI780-4 | MD7P1 | 1.99GHz | ldmos | NI-780-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 双重的 | - | 1.25 a | 40W | 20dB | - | 28 V | |||
![]() | MRF6S27085HR3 | 94.8600 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | SOT-957A | MRF6 | 2.66GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 900 MA | 20W | 15.5db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF6VP3091NBR1 | 80.3700 | ![]() | 127 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 115 v | TO-272BB | MRF6 | 860MHz | ldmos | TO-272 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | - | 350 MA | 18W | 22DB | - | 50 V | |||
![]() | MRF7S21080HSR3 | - | ![]() | 4782 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780 | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 10µA | 800 MA | 22W | 18db | - | 28 V | ||||
![]() | AFT18H357-24NR6 | 148.4200 | ![]() | 900 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | OM-1230-4L2L | AFT18 | 1.81GHz | ldmos | OM-1230-4L2L | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | - | 800 MA | 63W | 17.5db | - | 28 V | |||
![]() | MRF7S19080HR3 | 53.9800 | ![]() | 656 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | SOT-957A | MRF7 | 1.99GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 750 MA | 24W | 18db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF7S21210HR5 | 164.0700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | SOT-957A | MRF7 | 2.17GHz | ldmos | NI-780H-2L | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 1.4 a | 63W | 18.5db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF21010LR1 | 39.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-360 | MRF21 | 2.17GHz | ldmos | NI-360 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 100 ma | 10W | 13.5dB | - | 28 V | ||||
![]() | MRF21030LR5 | - | ![]() | 4860 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-400 | MRF21 | 2.14GHz | ldmos | NI-400 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 6 | - | 250 MA | 30W | 13DB | - | 28 V | ||||||
![]() | MRF7S21150HSR3 | 112.0100 | ![]() | 650 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780 | MRF7 | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.35 a | 44W | 17.5db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF6S21190HR3 | 149.4500 | ![]() | 75 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | NI-880 | MRF6 | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | NI-880 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 1.6 a | 54W | 16dB | - | 28 V |
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