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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | (amp) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | 噪音图 | 电压 -测试 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MRF6V2300NR1 | - | ![]() | 1534年 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 110 v | 底盘安装 | TO-272BB | 600MHz | ldmos | TO-272 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 2.5mA | 900 MA | 300W | 25.5db | - | 50 V | ||||
![]() | MRF5S19100HSR5 | 65.5900 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780 | MRF5 | 1.93GHZ〜1.99GHz | ldmos | NI-780 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 1 a | 22W | 13.9db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF5S4140HR5 | 72.6600 | ![]() | 640 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | SOT-957A | MRF5 | 465MHz | ldmos | NI-780H-2L | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 1.25 a | 28W | 21dB | - | 28 V | ||||
![]() | MRF7S19170HSR3 | 136.5600 | ![]() | 37 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-880S | MRF7 | 1.99GHz | ldmos | NI-880S | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 1.4 a | 50W | 17.2db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF8HP21130HSR3 | 78.4700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780S-4 | MRF8 | 2.17GHz | ldmos | NI-780S-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 5A991 | 8541.29.0075 | 250 | 双重的 | - | 360 MA | 28W | 14dB | - | 28 V | |||
![]() | MRF6VP3450HSR5 | 225.1400 | ![]() | 344 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 110 v | 底盘安装 | NI-1230-4S | 470MHz〜860MHz | ldmos | NI-1230-4S | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 双重的 | 10µA | 1.4 a | 450W | 22.5dB | - | 50 V | |||
![]() | MRF7S21170HSR3 | - | ![]() | 3990 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-880S | MRF7 | 2.17GHz | ldmos | NI-880S | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.4 a | 50W | 16dB | - | 28 V | ||||
![]() | MRF9582NT1 | 7.6400 | ![]() | 748 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 17 V | 表面安装 | PLD-1 | - | n通道 | PLD-1 | - | 2156-MRF9582NT1 | 40 | n通道 | 1.5a | 38dB | 10.5db | - | |||||||||
![]() | MRFE8VP8600HR5 | 165.6200 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 115 v | 底盘安装 | NI-1230 | 470MHz〜860MHz | ldmos | NI-1230 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 双重的 | 20µA | 1.4 a | 140W | 21dB | - | 50 V | ||||||
![]() | MMRF1306HR5 | 194.6700 | ![]() | 41 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 133 v | 底盘安装 | SOT-979A | 230MHz | ldmos | NI-1230-4H | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 双重的 | - | 100 ma | 1250W | 24dB | - | 50 V | ||||||
![]() | MRF8S9120NR3 | 77.7300 | ![]() | 88 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 70 v | 表面安装 | OM-780-2 | 960MHz | ldmos | OM-780-2 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 800 MA | 33W | 19.8db | - | 28 V | |||||||
![]() | MRF5S19100HR5 | 62.3800 | ![]() | 65 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780 | MRF5 | 1.93GHZ〜1.99GHz | ldmos | NI-780 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 15 | - | 1 a | 22W | 13.9db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF7S18170HR3 | 124.0700 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-957A | 1.805GHZ〜1.88GHz | ldmos | NI-880H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 10µA | 1.4 a | 50W | 17.5db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF6S9130HSR5 | 72.8200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | NI-780 | MRF6 | 880MHz | ldmos | NI-780 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 950 MA | 27W | 19.2db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF6S19200HR5 | 137.8000 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 66 v | SOT-957A | MRF6 | 1.93GHZ〜1.99GHz | ldmos | NI-780H-2L | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 1.6 a | 56W | 17.9db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF8P23160WHSR3 | - | ![]() | 8104 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780-4 | MRF8 | 2.32GHz | MOSFET | NI-780-4 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | n通道 | - | 600 MA | 30W | 14.1db | - | 28 V | |||
![]() | MRF5S9101MR1 | 47.3600 | ![]() | 166 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | 表面安装 | TO-270AB | 869MHz〜960MHz | - | TO-270 WB-4 | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 10µA | 700 MA | 100W | 17.5db | - | 26 V | |||
![]() | MD7P19130HSR5 | 105.7400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780S-4 | MD7P1 | 1.99GHz | ldmos | NI-780S-4 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3 | 双重的 | - | 1.25 a | 40W | 20dB | - | 28 V | |||||
![]() | MRF8S19260HR6 | 134.5400 | ![]() | 131 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | SOT-1110A | MRF8 | 1.99GHz | ldmos | NI1230-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | - | 1.6 a | 74W | 18.2db | - | 30 V | |||
![]() | MRF7S19100NBR1 | 47.5300 | ![]() | 54 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | TO-272BB | MRF7 | 1.93GHZ〜1.99GHz | ldmos | TO-272 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 1 a | 29W | 17.5db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF5S21090HR5 | 63.5800 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | SOT-957A | MRF5 | 2.11GHz | ldmos | NI-780H-2L | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 850 MA | 19w | 14.5db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF8S9170NR3 | 152.7700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 70 v | 底盘安装 | NI-780S-4 | 920MHz〜960MHz | ldmos | NI-780S-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 2 | 10µA | 1 a | 50W | 19.3db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF19125R5 | - | ![]() | 6613 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-880 | MRF19 | 1.93GHz | ldmos | NI-880 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 2 | - | 1.3 a | 24W | 13.5dB | - | 26 V | ||||||
![]() | MRF8S9202NR3 | 101.9900 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 70 v | OM-780-2 | MRF8 | 920MHz | ldmos | OM-780-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 1.3 a | 58W | 19db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF8P23080HSR3 | 72.6100 | ![]() | 450 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 表面安装 | NI-780S-4L | 2.3GHz | ldmos | NI-780S-4L | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 双重的 | - | 280 MA | 16W | 14.6dB | - | 28 V | |||||
![]() | MRF6S23140HR3 | 110.1200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | 底盘安装 | SOT-957A | 2.3GHz〜2.4GHz | ldmos | NI-880H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 250 | 10µA | 1.3 a | 28W | 15.2db | - | 28 V | ||||
MRF8S23120HR5 | 71.8800 | ![]() | 195 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-957A | 2.3GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 800 MA | 28W | 16dB | - | 28 V | |||||||
![]() | MRF6VP2600HR5-FR | 345.0200 | ![]() | 66 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 110 v | 底盘安装 | NI-1230 | 500MHz | ldmos | NI-1230 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | 50µA | 2.6 a | 600W | 25DB | - | 50 V | |||
![]() | MRFG35005NR5 | 22.3900 | ![]() | 898 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 15 v | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55GHz | Phemt fet | PLD-1.5 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 50 | - | 80 ma | 4.5W | 11DB | - | 12 v | ||||
![]() | MRF8S18120HSR3 | 108.5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780 | MRF8 | 1.81GHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 800 MA | 72W | 18.2db | - | 28 V |
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