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6716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce
1N5224B（DO-35）	-	RFQ	2842	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5224			500兆		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 200 ma	75 µA @ 1 V														2.8 v	30欧姆
1N5235B（DO-35）	-	RFQ	6195	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5235			500兆		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 200 ma	3 µA @ 5 V														6.8 v	5欧姆
1N5241B（DO-35）	-	RFQ	2327	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5241			500兆		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 200 ma	2 µA @ 8.4 V														11 V	22欧姆
APT18F60	-	RFQ	9706	Microsemi Corporation	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT18F60		MOSFET （金属 o化物）			D3PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	19a（tc）	10V	370MOHM @ 9A，10V	5V @ 1mA	90 NC @ 10 V	±30V	3550 pf @ 25 V	-	335W（TC）
APT50GP60LDLG	-	RFQ	1742年	Microsemi Corporation	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT50GP60	标准		625 w		TO-264	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1			400V，50a，4.3Ohm，15V														pt	600 v	150 a	190 a	2.7V @ 15V，50a	（456µJ）（在），635µJ（635µJ）上	165 NC	19NS/85NS
APTC60DAM70CT1G	-	RFQ	8383	Microsemi Corporation	coolmos™	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTC60		MOSFET （金属 o化物）	250W		SP1	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）			600V	39a		70mohm @ 39a，10v	3.9V @ 2.7mA	259nc @ 10V		7000pf @ 25V	超交界处
APTDC10H601G	-	RFQ	1779年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-	底盘安装	SP1			schottky			SP1	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	1														1.8 V @ 10 A	200 µA @ 600 V	10 a									单相	600 v
APTDC20H601G	-	RFQ	7752	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP1			schottky			SP1	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1														1.8 V @ 20 A	400 µA @ 600 V	20 a									单相	600 v
APT12057JLL	-	RFQ	2549	Microsemi Corporation	PowerMos7®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT12057		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1200 v	19a（tc）	10V	570MOHM @ 10A，10V	5V @ 2.5mA	290 NC @ 10 V	±30V	6200 PF @ 25 V	-	520W（TC）
APTML20UM18R010T1AG	-	RFQ	5077	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1			MOSFET （金属 o化物）			SP1	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	109a（TC）	10V	19mohm @ 50a，10v	4V @ 2.5mA		±30V	9880 pf @ 25 V	-	480W（TC）
APTC90TAM60TPG	-	RFQ	3062	Microsemi Corporation	coolmos™	托盘	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTC90		MOSFET （金属 o化物）	462W		sp6-p	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	100	6 n通道（3相桥）			900V	59a		60mohm @ 52a，10v	3.5V @ 6mA	540NC @ 10V		13600pf @ 100V	超交界处
APTCV60HM70RT3G	-	RFQ	9408	Microsemi Corporation	-	托盘	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP3				250 w	单相桥梁整流器	SP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器																沟渠场停止	600 v	50 a		1.9V @ 15V，50a						250 µA	是的			3.15 NF @ 25 V
APT40DS04HJ	-	RFQ	5306	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			标准			SOT-227	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	1														580 mv @ 40 a	20 ma @ 45 V	40 a									单相	45 v
VJ448M	-	RFQ	9221	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4平方，VJ			标准			VJ	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1														1.3 V @ 1 A	5 µA @ 400 V	10 a									单相	400 v
APTGF25H120T2G	-	RFQ	8075	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-	底盘安装	SP2				208 w	标准	SP2	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器																npt	1200 v	40 a		3.7V @ 15V，25a						250 µA	是的			1.65 NF @ 25 V
APT60DF100HJ	-	RFQ	1749年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			标准			SOT-227	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	1														2.8 V @ 60 A	100 µA @ 1000 V	90 a									单相	1 kV
MSD130-18	-	RFQ	9781	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	M3			标准				下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1														1.8 V @ 300 A	300 µA @ 1800 V	130 a									三期	1.8 kV
CDLL3046A-1	-	RFQ	2190	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的					CDLL3046						-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1
CDLL3049B-1	-	RFQ	9605	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的					CDLL3049						-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1
CDLL3051B-1	-	RFQ	7243	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的					CDLL3051						-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1
1 PMT4624C/TR7	-	RFQ	3038	Microsemi Corporation	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa				1 w		do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000														1.1 V @ 200 ma	10 µA @ 3 V														4.7 v	1600欧姆
UZ7756L	75.4800	RFQ	13	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	轴向	UZ7756			6 W		-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1															10 µA @ 42.6 V														56 v	30欧姆
JANTX1N4472CUS	28.1550	RFQ	6410	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4472			1.5 w		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1 V @ 200 MA	50 na @ 16 V														20 v	12欧姆
JANTX1N4480DUS	49.5750	RFQ	6784	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4480			1.5 w		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1 V @ 200 MA	50 NA @ 34.4 V														43 V	40欧姆
JANTX1N4491DUS	49.5750	RFQ	7293	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4491			1.5 w		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1 V @ 200 MA	250 NA @ 96 V														120 v	400欧姆
JANTX1N4492DUS	49.5750	RFQ	6962	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4492			1.5 w		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1 V @ 200 MA	250 na @ 104 V														130 v	500欧姆
JANTX1N4955C	18.2850	RFQ	2601	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4955			5 w		E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A	100 µA @ 5.7 V														7.5 v	1.5欧姆
JANTX1N4963C	18.2850	RFQ	4941	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4963			5 w		E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A	5 µA @ 12.2 V														16 V	3.5欧姆
JANTX1N4964C	18.2850	RFQ	2073	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4964			5 w		E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A	5 µA @ 13.7 V														18 V	4欧姆
JANTX1N4978C	18.2550	RFQ	7882	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4978			5 w		E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A	2 µA @ 51.7 V														68 v	50欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²