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6716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce
UZ7756L	75.4800	RFQ	13	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	轴向	UZ7756			6 W		-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1																10 µA @ 42.6 V													56 v	30欧姆
APTM20DAM10TG	-	RFQ	4061	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4			MOSFET （金属 o化物）			SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	175a（TC）	10V	12MOHM @ 87.5A，10V	5V @ 5mA	224 NC @ 10 V	±30V	13700 PF @ 25 V	-	694W（TC）
aptm20dum10tg	-	RFQ	3956	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM20		MOSFET （金属 o化物）	694W		SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）			200V	175a		12MOHM @ 87.5A，10V	5V @ 5mA	224nc @ 10V		13700pf @ 25V	-
APTDF100H120G	-	RFQ	5216	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP4			标准			SP4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	1														3 V @ 100 A		100 µA @ 1200 V	120 a								单相	1.2 kV
APTDF200H20G	-	RFQ	5917	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP6			标准			SP6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	1														3 V @ 200 A		150 µA @ 1200 V	285 a								单相	200 v
APTGT75H60T2G	-	RFQ	1814年	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP2	APTGT75			250 w	标准	SP2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器																	沟渠场停止	600 v	100 a		1.9V @ 15V，75a					250 µA	是的			4.62 NF @ 25 V
JANTX1N4978C	18.2550	RFQ	7882	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4978			5 w		E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		2 µA @ 51.7 V													68 v	50欧姆
JANTX1N4979CUS	24.6000	RFQ	8662	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4979			5 w		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		2 µA @ 56 V													75 v	55欧姆
JANTX1N4980CUS	24.6000	RFQ	2603	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4980			5 w		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		2 µA @ 62.2 V													82 v	80欧姆
JANTX1N4981CUS	24.6000	RFQ	1424	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4981			5 w		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		2 µA @ 69.2 V													91 v	90欧姆
JANTX1N4984CUS	24.6000	RFQ	3547	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4984			5 w		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		2 µA @ 91.2 V													120 v	170欧姆
JANTX1N4984D	29.4600	RFQ	4326	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4984			5 w		E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		2 µA @ 91.2 V													120 v	170欧姆
JANTX1N4988CUS	24.6000	RFQ	3919	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4988			5 w		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		2 µA @ 136.8 V													180 v	450欧姆
JANTX1N4988DUS	30.7500	RFQ	2061	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4988			5 w		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		2 µA @ 136.8 V													180 v	450欧姆
JANTX1N4472CUS	28.1550	RFQ	6410	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4472			1.5 w		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1 V @ 200 MA		50 na @ 16 V													20 v	12欧姆
JANTX1N4480DUS	49.5750	RFQ	6784	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4480			1.5 w		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1 V @ 200 MA		50 NA @ 34.4 V													43 V	40欧姆
JANTX1N4955C	18.2850	RFQ	2601	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4955			5 w		E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		100 µA @ 5.7 V													7.5 v	1.5欧姆
JANTX1N4963C	18.2850	RFQ	4941	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4963			5 w		E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		5 µA @ 12.2 V													16 V	3.5欧姆
JANTX1N4964C	18.2850	RFQ	2073	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4964			5 w		E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		5 µA @ 13.7 V													18 V	4欧姆
JANTX1N4491DUS	49.5750	RFQ	7293	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4491			1.5 w		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1 V @ 200 MA		250 NA @ 96 V													120 v	400欧姆
JANTX1N4492DUS	49.5750	RFQ	6962	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4492			1.5 w		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1 V @ 200 MA		250 na @ 104 V													130 v	500欧姆
JANTX1N4496CUS	38.7300	RFQ	9565	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4496			1.5 w		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1 V @ 200 MA		250 NA @ 160 V													200 v	1500欧姆
APT45GR65B2DU30	-	RFQ	1373	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT45GR65	标准		543 w		T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30			433V，45A，4.3OHM，15V												80 ns			npt	650 v	118 a	224 a	2.4V @ 15V，45a	203 NC	15NS/100NS
APT75GN120JDQ3G	-	RFQ	4063	Microsemi Corporation	-	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	同位素				379 w	标准	isotop®	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30	单身的																	沟渠场停止	1200 v	124 a		2.1V @ 15V，75a					200 µA	不			4.8 nf @ 25 V
APT15F60B	-	RFQ	4244	Microsemi Corporation	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT15F60		MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	16A（TC）	10V	430MOHM @ 7A，10V	5V @ 500µA	72 NC @ 10 V	±30V	2882 PF @ 25 V	-	290W（TC）
APT20M19JVR	-	RFQ	7350	Microsemi Corporation	PowerMosv®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		200 v	112a（TC）	10V	19mohm @ 500mA，10v	4V @ 1mA	495 NC @ 10 V	±30V	11640 pf @ 25 V	-	500W（TC）
1N5260BDO35E3	-	RFQ	3152	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5260			500兆		do-35	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	10,000														1.5 V @ 200 ma		100 na @ 33 V													43 V	93欧姆
APTGF30TL601G	-	RFQ	6847	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-	底盘安装	SP1				140 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	三级逆变器																	npt	600 v	42 a		2.45V @ 15V，30a					250 µA	不			1.35 NF @ 25 V
1N5235BDO35	-	RFQ	2674	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5235			500兆		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	10,000														1.5 V @ 200 ma		3 µA @ 5 V													6.8 v	5欧姆
1N5271BDO35	-	RFQ	7820	Microsemi Corporation	-	包	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5271			500兆		do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	10,000														1.5 V @ 200 ma		100 NA @ 76 V													100 v	500欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²