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6716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
1N4730AP/TR12	-	RFQ	9137	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4730		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	4,000																		1.2 V @ 200 ma		50 µA @ 1 V						3.9 v	9欧姆
APTML20UM18R010T1AG	-	RFQ	5077	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1		MOSFET （金属 o化物）		SP1	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		200 v	109a（TC）	10V	19mohm @ 50a，10v	4V @ 2.5mA		±30V	9880 pf @ 25 V	-	480W（TC）
SMBG5335CE3/TR13	-	RFQ	6680	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5335		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																		1.2 V @ 1 A		50 µA @ 1 V						3.9 v	2欧姆
JANTX1N4988DUS	30.7500	RFQ	2061	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4988		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1																		1.5 V @ 1 A		2 µA @ 136.8 V						180 v	450欧姆
1N5955PE3/TR8	-	RFQ	6836	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5955		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,500																		1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 136.8 V						180 v	900欧姆
2EZ140D5E3/TR8	-	RFQ	2980	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	2EZ140		2 w	DO-204AL（DO-41）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,500																		1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 106.4 V						140 v	500欧姆
SMBJ5950AE3/TR13	-	RFQ	7980	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5950		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																		1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 83.6 V						110 v	300欧姆
1N5340B	-	RFQ	2293	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5340		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																		1.2 V @ 1 A		1 µA @ 3 V						6 V	1欧姆
1N5372B	-	RFQ	8715	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5372		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																		1.2 V @ 1 A		500 NA @ 44.6 V						62 v	42欧姆
1 PMT4622C/TR13	-	RFQ	9890	Microsemi Corporation	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa			1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	12,000																		1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V						3.9 v	1650年
1N4732CE3/TR13	-	RFQ	4337	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4732		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	5,000																		1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V						4.7 v	8欧姆
3EZ16D10E3/TR8	-	RFQ	8109	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	3EZ16		3 W	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,500																		1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 12.2 V						16 V	5.5欧姆
3EZ13D/TR12	-	RFQ	2322	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	3EZ13		3 W	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	4,000																		1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 9.9 V						13 V	4.5欧姆
2EZ10DE3/TR12	-	RFQ	1562	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	2ez10		2 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	4,000																		1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 7.6 V						10 v	3.5欧姆
1N5953BPE3/TR8	-	RFQ	1236	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5953		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,500																		1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 114 V						150 v	600欧姆
APT9F100	-	RFQ	1035	Microsemi Corporation	Power MOS 8™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA		MOSFET （金属 o化物）		D3PAK	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		1000 v	9A（TC）	10V	1.6OHM @ 5A，10V	5V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±30V	2606 pf @ 25 V	-	337W（TC）
CPT400100A	-	RFQ	4401	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的			底盘安装	TO-244AB		肖特基		TO-244AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对公共阳极	100 v	200a	890 mv @ 200 a		5 ma @ 100 V
JANTX1N4495C	33.2550	RFQ	3416	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4495		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1																		1 V @ 200 MA		250 NA @ 144 V						180 v	1300欧姆
1N4703（DO35）	-	RFQ	2605	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4703		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1																		1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 12.1 V						16 V
MS1076C	-	RFQ	1560年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的									-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1
Jan1n6622u	14.1900	RFQ	3890	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/585	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N6622	标准		D-5A	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														600 v		1.4 V @ 1.2 A	30 ns	500 NA @ 600 V	-65°C〜150°C	1.2a	-
JANTXV2N6764T1	-	RFQ	4486	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/543	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））		MOSFET （金属 o化物）		TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		100 v	38A（TC）	10V	65mohm @ 38a，10v	4V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
MRF8372	-	RFQ	9377	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			2.2W	8-so	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	2,500				8db〜9.5dB																				16V	200mA			NPN	30 @ 50mA，5v	870MHz	-
3EZ68D/TR8	-	RFQ	6449	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	3EZ68		3 W	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,500																		1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 51.7 V						68 v	70欧姆
APTM50DHM35G	-	RFQ	4534	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM50	MOSFET （金属 o化物）	781W	SP6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）				500V	99a		39mohm @ 49.5a，10v	5V @ 5mA	280NC @ 10V		14000pf @ 25V	-
2EZ10D/TR12	-	RFQ	2996	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	2ez10		2 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	4,000																		1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 7.6 V						10 v	3.5欧姆
1N5928BG	3.0300	RFQ	1149	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5928		1.25 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1																		1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.9 V						13 V	7欧姆
1N5915CPE3/TR12	-	RFQ	8739	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5915		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	4,000																		1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V						3.9 v	7.5欧姆
CPT300100D	-	RFQ	4674	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的			底盘安装	TO-244AB		肖特基		TO-244AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对系列连接	100 v	150a	980 mv @ 200 a		4 mA @ 100 V
1N5386/TR12	-	RFQ	4978	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5386		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																		1.2 V @ 1 A		500 NA @ 130 V						180 v	430欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²