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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) (CIES) @ vce 晶体管类型 (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 噪声图( db typ @ f)
2EZ3.6D5E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ3.6D5E3/TR12 -
RFQ
ECAD 6332 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 2ez3.6 2 w DO-204AL(DO-41) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 4,000 1.2 V @ 200 ma 80 µA @ 1 V 3.6 v 5欧姆
APTC60DSKM45CT1G Microsemi Corporation APTC60DSKM45CT1G -
RFQ
ECAD 1308 0.00000000 Microsemi Corporation coolmos™ 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SP1 APTC60 MOSFET (金属 o化物) 250W SP1 - (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道(双) 600V 49a 45MOHM @ 24.5A,10V 3.9V @ 3mA 150nc @ 10V 7200pf @ 25V 超交界处
APT5012JN Microsemi Corporation APT5012JN -
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ECAD 2325 0.00000000 Microsemi Corporation PowerMosiv® 托盘 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 MOSFET (金属 o化物) isotop® 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 n通道 500 v 43A(TC) 10V 120MOHM @ 21.5A,10V 4V @ 2.5mA 370 NC @ 10 V ±30V 6500 PF @ 25 V - 520W(TC)
SMAJ5947CE3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ5947CE3/TR13 -
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ECAD 5922 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 do-214ac,SMA SMAJ5947 3 W DO-214AC(SMAJ) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 62.2 V 82 v 160欧姆
APTM100DA40T1G Microsemi Corporation APTM100DA40T1G -
RFQ
ECAD 9513 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SP1 MOSFET (金属 o化物) SP1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 1000 v 20A(TC) 10V 480MOHM @ 16A,10V 5V @ 2.5mA 260 NC @ 10 V ±30V 6800 PF @ 25 V - 357W(TC)
2N7334 Microsemi Corporation 2N7334 -
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ECAD 7989 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 14 浸(0.300英寸,7.62mm) 2N733 MOSFET (金属 o化物) 1.4W MO-036AB 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4 n通道 100V 1a 700MOHM @ 600mA,10V 4V @ 250µA 60nc @ 10V - -
2N6800U Microsemi Corporation 2N6800U -
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ECAD 9002 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 18-CLCC MOSFET (金属 o化物) 18-ulcc (9.14x7.49) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 400 v 3A(TC) 10V 1欧姆 @ 2A,10V 4V @ 250µA 5.75 NC @ 10 V ±20V - 800MW(TA),25W(TC)
1N5913BG Microsemi Corporation 1N5913BG 3.0300
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ECAD 3939 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N5913 1.25 w DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 100 µA @ 1 V 3.3 v 10欧姆
SMBG5927CE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG5927CE3/TR13 -
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ECAD 2427 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 DO-215AA,SMB海鸥翼 SMBG5927 2 w SMBG(DO-215AA) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 9.1 V 12 v 6.5欧姆
2N6764 Microsemi Corporation 2N6764 -
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ECAD 3116 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-204AE MOSFET (金属 o化物) TO-3 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 100 v 38A(TC) 10V 65mohm @ 38a,10v 4V @ 250µA 125 NC @ 10 V ±20V - (4W)(150w(ta)(TC)
2EZ3.9D/TR12 Microsemi Corporation 2ez3.9d/tr12 -
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ECAD 2902 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 2ez3.9 2 w DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 4,000 1.2 V @ 200 ma 30 µA @ 1 V 3.9 v 5欧姆
1N5347BE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5347BE3/TR12 -
RFQ
ECAD 4379 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5347 5 w T-18 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 5 µA @ 7.2 V 10 v 2欧姆
3EZ36D/TR8 Microsemi Corporation 3EZ36D/TR8 -
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ECAD 1743年 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 3EZ36 3 W DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 V @ 200 ma 500 NA @ 27.4 V 36 V 22欧姆
1EZ130D5E3/TR12 Microsemi Corporation 1EZ130D5E3/TR12 -
RFQ
ECAD 4928 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1EZ130 1 w DO-204AL(DO-41) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 4,000 1.2 V @ 200 ma 500 NA @ 98.8 V 130 v 910欧姆
3EZ110D/TR12 Microsemi Corporation 3EZ110D/TR12 -
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ECAD 6072 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 3EZ110 3 W DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 4,000 1.2 V @ 200 ma 500 NA @ 83.6 V 110 v 225欧姆
2EZ5.6D5E3/TR12 Microsemi Corporation 2EZ5.6D5E3/TR12 -
RFQ
ECAD 9638 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 2ez5.6 2 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 4,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 2 V 5.6 v 2.5欧姆
SMBG5920CE3/TR13 Microsemi Corporation SMBG5920CE3/TR13 -
RFQ
ECAD 1486 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 DO-215AA,SMB海鸥翼 SMBG5920 2 w SMBG(DO-215AA) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 4 V 6.2 v 2欧姆
APTML102UM09R004T3AG Microsemi Corporation APTML102UM09R004T3AG -
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ECAD 8404 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SP3 APTML102 MOSFET (金属 o化物) 480W SP3 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道(双) 100V 154a(TC) 10mohm @ 69.5a,10v 4V @ 2.5mA - 9875pf @ 25V -
SMAJ4479CE3/TR13 Microsemi Corporation SMAJ4479CE3/TR13 -
RFQ
ECAD 3295 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 do-214ac,SMA 1.5 w DO-214AC(SMAJ) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 V @ 200 ma 50 NA @ 31.2 V 39 v 30欧姆
APTGF15A120T1G Microsemi Corporation APTGF15A120T1G -
RFQ
ECAD 8942 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - 底盘安装 SP1 140 w 标准 SP1 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 半桥 npt 1200 v 25 a 3.7V @ 15V,15a 250 µA 是的 1 nf @ 25 V
APTGF200DA120D3G Microsemi Corporation APTGF200DA120D3G -
RFQ
ECAD 6103 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 D-3模块 1400 w 标准 D3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 单身的 npt 1200 v 300 a 3.7V @ 15V,200a 5 ma 13 nf @ 25 V
APT5020SVRG Microsemi Corporation APT5020SVRG -
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ECAD 1482 0.00000000 Microsemi Corporation PowerMosv® 管子 过时的 - 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA MOSFET (金属 o化物) D3 [S] - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 26a(TC) 10V 200mohm @ 500mA,10v 4V @ 1mA 225 NC @ 10 V - 4440 pf @ 25 V - -
APTM120DDA57T3G Microsemi Corporation APTM120DDA57T3G -
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ECAD 9838 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SP3 APTM120 MOSFET (金属 o化物) 390W SP3 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道(双) 1200V(1.2kV) 17a 684MOHM @ 8.5A,10V 5V @ 2.5mA 187nc @ 10V 5155pf @ 25V -
2N6796U Microsemi Corporation 2n6796u -
RFQ
ECAD 7583 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 18-CLCC MOSFET (金属 o化物) 18-ulcc (9.14x7.49) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 100 v 8A(TC) 10V 180MOHM @ 5A,10V 4V @ 250mA 6.34 NC @ 10 V ±20V - 800MW(TA),25W(TC)
APTGF25DSK120T3G Microsemi Corporation APTGF25DSK120T3G -
RFQ
ECAD 4415 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - 底盘安装 SP3 208 w 标准 SP3 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 双重斩波器 npt 1200 v 40 a 3.7V @ 15V,25a 250 µA 是的 1.65 NF @ 25 V
1N5381B/TR8 Microsemi Corporation 1N5381B/TR8 -
RFQ
ECAD 6638 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5381 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 93.6 V 130 v 190欧姆
MRF559 Microsemi Corporation MRF559 -
RFQ
ECAD 2633 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - 表面安装 宏观x 2W 宏观x 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0075 1,000 9.5db 16V 150mA NPN 30 @ 50mA,10v 870MHz -
2EZ30D2/TR12 Microsemi Corporation 2EZ30D2/TR12 -
RFQ
ECAD 9386 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 2EZ30 2 w DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 4,000 1.2 V @ 200 ma 500 NA @ 22.5 V 30 V 20欧姆
APTJC120AM13VCT1AG Microsemi Corporation APTJC120AM13VCT1AG -
RFQ
ECAD 1840年 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - 底盘安装 模块 APTJC120 - - 模块 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 7 - - - - - - - -
UFR8510R Microsemi Corporation UFR8510R 148.2150
RFQ
ECAD 4020 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 UFR8510 标准 do-5 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 975 MV @ 85 A 50 ns 50 µA @ 100 V -55°C 〜175°C - 675pf @ 10V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库