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6716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	当前 -关闭状态（最大）	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce
2EZ68D5E3/TR8	-	RFQ	4396	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	2EZ68		2 w		DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,500																								1.2 V @ 200 ma	500 NA @ 51.7 V										68 v	75欧姆
3EZ5.1D5E3/TR12	-	RFQ	1469	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	3ez5.1		3 W		DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	4,000																								1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 1 V										5.1 v	3.5欧姆
1N4729APE3/TR8	-	RFQ	4558	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4729		1 w		DO-204AL（DO-41）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,500																								1.2 V @ 200 ma	100 µA @ 1 V										3.6 v	10欧姆
3EZ120D10E3/TR12	-	RFQ	4136	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	3EZ120		3 W		DO-204AL（DO-41）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	4,000																								1.2 V @ 200 ma	500 NA @ 91.2 V										120 v	300欧姆
SMBG5929BE3/TR13	-	RFQ	5176	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5929		2 w		SMBG（DO-215AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																								1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 11.4 V										15 v	9欧姆
APTGL325DA120D3G	-	RFQ	6170	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	D-3模块			1500 w	标准	D3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的																										沟渠场停止	1200 v	420 a	2.2V @ 15V，300A			5 ma	不			18.6 NF @ 25 V
APT8024B2LLG	25.7000	RFQ	5	Microsemi Corporation	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体		MOSFET （金属 o化物）			T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30			n通道		800 v	31a（TC）	10V	240MOHM @ 15.5A，10V	5V @ 2.5mA	160 NC @ 10 V	±30V	4670 pf @ 25 V	-	565W（TC）
SMBG5940C/TR13	-	RFQ	6306	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5940		2 w		SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																								1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 32.7 V										43 V	53欧姆
APTGT20DDA60T3G	-	RFQ	2771	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP3			62 W	标准	SP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	双提升斩波器																										沟渠场停止	600 v	32 a	1.9V @ 15V，20A			250 µA	是的			1.1 NF @ 25 V
APTGT25A120D1G	-	RFQ	6254	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产		-	底盘安装	D1			140 w	标准	D1	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	半桥																										沟渠场停止	1200 v	40 a	2.1V @ 15V，25a			5 ma	不			1.8 nf @ 25 V
1N5245A（DO-35）	-	RFQ	5373	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5245		500兆		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1																								1.5 V @ 200 ma	100 na @ 10.5 V										15 v	16欧姆
1月2N6770	-	RFQ	2862	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/543	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE		MOSFET （金属 o化物）			TO-204AE（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		500 v	12A（TC）	10V	500mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
3EZ100D2/TR8	-	RFQ	9840	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	3EZ100		3 W		DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,500																								1.2 V @ 200 ma	500 NA @ 76 V										100 v	160欧姆
APT6M100K	-	RFQ	8814	Microsemi Corporation	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-220 [K]	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			n通道		1000 v	6A（TC）	10V	2.5OHM @ 3A，10V	5V @ 1mA	43 NC @ 10 V	±30V	1410 PF @ 25 V	-	225W（TC）
SMBG5955AE3/TR13	-	RFQ	9840	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5955		2 w		SMBG（DO-215AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																								1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 136.8 V										180 v	900欧姆
1EZ180D2E3/TR12	-	RFQ	2808	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1EZ180		1 w		DO-204AL（DO-41）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	4,000																								1.2 V @ 200 ma	500 NA @ 136.8 V										180 v	1500欧姆
APT50GF60JCU2	-	RFQ	4817	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	SOT-227-4，迷你布洛克			277 w	标准	SOT-227	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																										npt	600 v	70 a	2.45V @ 15V，50a			250 µA	不			2.2 NF @ 25 V
JANTX2N2328AU4	-	RFQ	7736	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/276	大部分	过时的		-65°C〜125°C	表面安装	3-SMD，没有铅					U4	-	Rohs不合规	（1 （无限）		Ear99	8541.30.0080	1				2 ma											300 v	600 mv	15a @ 60hz	20 µA	10 µA	标准恢复
APT17N80SC3G	-	RFQ	6620	Microsemi Corporation	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA		MOSFET （金属 o化物）			D3PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30			n通道		800 v	17a（TC）	10V	290MOHM @ 11A，10V	3.9V @ 1mA	90 NC @ 10 V	±20V	2250 pf @ 25 V	-	208W（TC）
1N4730AP/TR8	-	RFQ	2726	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4730		1 w		DO-204AL（DO-41）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,500																								1.2 V @ 200 ma	50 µA @ 1 V										3.9 v	9欧姆
SMBG5916AE3/TR13	-	RFQ	1685年	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5916		2 w		SMBG（DO-215AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																								1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 1 V										4.3 v	6欧姆
APTC60AM70T1G	-	RFQ	3862	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTC60	MOSFET （金属 o化物）	250W		SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）				600V	39a		70mohm @ 39a，10v	3.9V @ 2.7mA	259nc @ 10V		7000pf @ 25V	-
APTCV60HM70BT3G	-	RFQ	1969年	Microsemi Corporation	-	托盘	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP3			250 w	标准	SP3	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	提升斩波器，全桥																										沟渠场停止	600 v	50 a	1.9V @ 15V，50a			250 µA	是的			3.15 NF @ 25 V
1N5363E3/TR13	-	RFQ	2698	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5363		5 w		T-18	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,250																								1.2 V @ 1 A	500 NA @ 21.6 V										30 V	8欧姆
MSD160-16	-	RFQ	8784	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	M3		标准			M3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1																								1.65 V @ 300 A	500 µA @ 1600 V	160 a					三期	1.6 kV
SMBJ4754CE3/TR13	-	RFQ	1588年	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4754		2 w		SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																								1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 29.7 V										39 v	60欧姆
FST16045A	-	RFQ	5354	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的			螺丝安装	TO-249AA孤立的基础		肖特基			TO-249	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			1对公共阳极	45 v	80a	740 mv @ 80 a	2 ma @ 45 V
SMAJ4489E3/TR13	-	RFQ	6961	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA			1.5 w		DO-214AC（SMAJ）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	7,500																								1.2 V @ 200 ma	25 na @ 80 V										100 v	250欧姆
aptgt30a60t1g	-	RFQ	5070	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP1			90 W	标准	SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	半桥																										沟渠场停止	600 v	50 a	1.9V @ 15V，30a			250 µA	是的			1.6 nf @ 25 V
APTGF90DA60D1G	-	RFQ	2309	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产		-	底盘安装	D1			445 w	标准	D1	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																										npt	600 v	130 a	2.45V @ 15V，100a			500 µA	不			4.3 NF @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²