RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

6716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	晶体管类型
2N6790	-	RFQ	6717	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）				到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		n通道			200 v	3.5A（TC）	10V	800MOHM @ 2.25A，10V	4V @ 250µA	14.3 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TC）
APT12080JVR	-	RFQ	3427	Microsemi Corporation	PowerMosv®	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			MOSFET （金属 o化物）				isotop®	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			1200 v	15A（TC）	10V	800MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 2.5mA	485 NC @ 10 V	±30V	7800 PF @ 25 V	-	450W（TC）
APTM10DUM05TG	-	RFQ	1714年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的			-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM10		MOSFET （金属 o化物）	780W			SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）				100V	278a		5mohm @ 125a，10v	4V @ 5mA	700NC @ 10V		20000pf @ 25V	-
3EZ47D5/TR8	-	RFQ	7394	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	3EZ47			3 W			DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,500																				1.2 V @ 200 ma	500 NA @ 35.6 V															47 V	38欧姆
1n827aur	10.2900	RFQ	8107	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	±5％		-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N827			500兆			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1																					2 µA @ 3 V															6.2 v	10欧姆
APTGT100SK60T1G	-	RFQ	2688	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的			-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP4				340 w		标准	SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的																							沟渠场停止	600 v	150 a		1.9V @ 15V，100a						250 µA	是的			6.1 NF @ 25 V
1EZ190DE3/TR12	-	RFQ	8884	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±20％		-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1EZ190			1 w			DO-204AL（DO-41）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	4,000																				1.2 V @ 200 ma	500 NA @ 144.8 V															190 v	1700欧姆
APTM10DHM09TG	-	RFQ	3898	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的			-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM10		MOSFET （金属 o化物）	390W			SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）				100V	139a		10mohm @ 69.5a，10v	4V @ 2.5mA	350NC @ 10V		9875pf @ 25V	-
SMBJ5950CE3/TR13	-	RFQ	3575	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5950			2 w			SMBJ（DO-214AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																				1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 83.6 V															110 v	300欧姆
APTGT150A1202G	-	RFQ	7537	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的			-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP2				690 w		标准	SP2	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	半桥																							沟渠场停止	1200 v	220 a		2.1V @ 15V，150a						50 µA	不			10.7 NF @ 25 V
1N5384E3/TR13	-	RFQ	7155	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±20％		-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5384			5 w			T-18	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,250																				1.2 V @ 1 A	500 NA @ 115 V															160 v	350欧姆
2EZ160DE3/TR12	-	RFQ	6306	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±20％		-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	2EZ160			2 w			DO-204AL（DO-41）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	4,000																				1.2 V @ 200 ma	500 NA @ 121.6 V															160 v	650欧姆
1月2N6796	-	RFQ	9131	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/557	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）				到39	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			100 v	8A（TC）	10V	195mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA	28.51 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
1N5383CE3/TR12	-	RFQ	3636	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％		-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5383			5 w			T-18	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																				1.2 V @ 1 A	500 NA @ 108 V															150 v	330欧姆
2EZ15D/TR8	-	RFQ	5882	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％		-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	2EZ15			2 w			DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,500																				1.2 V @ 200 ma	500 NA @ 11.4 V															15 v	7欧姆
3EZ5.1D2/TR12	-	RFQ	5234	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％		-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	3ez5.1			3 W			DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	4,000																				1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 1 V															5.1 v	3.5欧姆
MSDM150-18	-	RFQ	5694	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的			-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	M3-1			标准				M3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1																				1.4 V @ 150 A	500 µA @ 1800 V	150 a										三期	1.8 kV
SMBJ4751C/TR13	-	RFQ	4876	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4751			2 w			SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																				1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 22.8 V															30 V	40欧姆
APTM50AM19STG	-	RFQ	6793	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产			-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM50		（SIC）	1250W			SP4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）				500V	170a		19mohm @ 85a，10v	5V @ 10mA	492NC @ 10V		22400pf @ 25V	-
APTM20DHM10G	-	RFQ	1853年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的			-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM20		MOSFET （金属 o化物）	694W			SP6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）				200V	175a		12MOHM @ 87.5A，10V	5V @ 5mA	224nc @ 10V		13700pf @ 25V	-
1 PMT5918/TR7	-	RFQ	4761	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±20％		-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点			3 W			do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																				1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 2 V															5.1 v	4欧姆
APTMC120HRM40CT3G	-	RFQ	2705	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		1200V（1.2kV）		底盘安装	SP3	APTMC120						SP3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1																																							2 n通道（相位腿 +双重公（共）
2EZ6.2D5/TR12	-	RFQ	1935年	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	2EZ6.2			2 w			DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	4,000																				1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 3 V															6.2 v	1.5欧姆
1N5939CPE3/TR12	-	RFQ	2629	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％		-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5939			1.5 w			DO-204AL（DO-41）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	4,000																				1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 29.7 V															39 v	45欧姆
2EZ7.5D2E3/TR8	-	RFQ	9843	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％		-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	2EZ7.5			2 w			DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,500																				1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 5 V															7.5 v	2欧姆
3EZ91D5E3/TR8	-	RFQ	3081	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	3EZ91			3 W			DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,500																				1.2 V @ 200 ma	500 NA @ 69.2 V															91 v	115欧姆
APT28F60	-	RFQ	3468	Microsemi Corporation	Power MOS 8™	管子	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT28F60		MOSFET （金属 o化物）				D3PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			600 v	30A（TC）	10V	220MOHM @ 14A，10V	5V @ 1mA	140 NC @ 10 V	±30V	5575 pf @ 25 V	-	520W（TC）
1N5948CE3/TR13	-	RFQ	9110	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％		-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5948			1.5 w			DO-204AL（DO-41）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	5,000																				1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 69.2 V															91 v	200欧姆
APT15GP90KG	-	RFQ	1950年	Microsemi Corporation	PowerMos7®	管子	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	APT15GP90	标准		250 w			TO-220 [K]	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50				600V，15a，4.3Ohm，15V																				pt	900 v	43 a	60 a	3.9V @ 15V，15a	（200µJ）	60 NC	9NS/33NS
MSFC25-16	-	RFQ	2664	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的			-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块					系列连接 -SCR/二极管			-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1			200 MA												1.6 kV	2.5 v	550a @ 50Hz	150 ma	25 a				1 sc，1二极管

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²