RFQ
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（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
PHPT60406NYX	-	RFQ	1984	NXP半导体	-	大部分	积极的			175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669				1.35 w	LFPAK56，Power-SO8	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PHPT60406NYX-954	Ear99	8541.29.0075	1																				40 V	6 a		100NA			NPN	380mv @ 300mA，6a	230 @ 500mA，2V	153MHz
PSMN015-100B，118	0.8000	RFQ	3	NXP半导体	-	大部分	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PSMN015-100B，118-954	Ear99	8541.29.0075	407		n通道					100 v	75a（ta）	10V	15mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	90 NC @ 10 V	±20V	4900 PF @ 25 V	-	300W（TA）
MRF1517NT1	4.3100	RFQ	5	NXP半导体	-	大部分	过时的		25 v		表面安装	PLD-1.5		-	ldmos		PLD-1.5	-				2156-MRF1517NT1			70	n通道		4a	150 ma	8W	14dB @ 520MHz											-					7.5 v
BZV55-B5V1,115	0.0200	RFQ	115	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-B5V1,115-954			1																		900 mv @ 10 ma	2 µA @ 2 V					5.1 v	60欧姆
BZV55-B27,115	0.0200	RFQ	125	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-B27,115-954			1																		900 mv @ 10 ma	50 na @ 18.9 V					27 V	80欧姆
BZX84-C51,215	0.0200	RFQ	261	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-C51,215-954			1																		900 mv @ 10 ma	50 NA @ 35.7 V					51 v	180欧姆
BC807,215	0.0200	RFQ	497	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC807,215-954			1																				45 v	500 MA		100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	80MHz
A2I22D050NR1	51.7500	RFQ	2	NXP半导体	-	大部分	过时的		65 v		表面安装	TO-270WB-15		1.8GHz〜2.2GHz	LDMO （双）		TO-270WB-15	-				2156-A2I22D050NR1			6	2 n通道		10µA	520 MA	5.3W	31.1db @ 1.88GHz											-					28 V
BAW56SRAZ	0.0300	RFQ	6639	NXP半导体	*	大部分	积极的						BAW56					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAW56SRAZ-954	Ear99	8541.10.0070	1
PZU6.2B，115	0.0300	RFQ	18	NXP半导体	-	大部分	过时的	±5％		150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F				310 MW	SOD-323F	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PZU6.2B，115-954	Ear99	8541.10.0050	1																		1.1 V @ 100 mA	500 na @ 3 V					6.2 v	30欧姆
PSMN015-60PS，127	-	RFQ	8129	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		不适用	到达不受影响	2156-PSMN015-60PS，127-954			1		n通道					60 V	50A（TC）	10V	14.8mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA	20.9 NC @ 10 V	±20V	1220 pf @ 30 V	-	86W（TC）
BLC8G27LS-180AVY	-	RFQ	7434	NXP半导体	-	大部分	积极的											-				2156-BLC8G27LS-180AVY			1
BUK662R5-30C，118	0.5200	RFQ	927	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK662R5-30C，118-954			1		n通道					30 V	100A（TC）	10V	2.8mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	114 NC @ 10 V	±16V	6960 pf @ 25 V	-	204W（TC）
BZB984-C3V3,115	0.0400	RFQ	5822	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-	表面安装	SOT-663				265兆	SOT-663	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZB984-C3V3,115-954	Ear99	8541.10.0050	1	1对公共阳极																	900 mv @ 10 ma	5 µA @ 1 V					3.3 v	85欧姆
BZV85-C9V1,113	0.0400	RFQ	107	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1.3 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C9V1,113-954			1																		1 V @ 50 mA	700 NA @ 6.5 V					9.1 v	5欧姆
RD6.2FM（01）-T1-AZ	-	RFQ	3520	NXP半导体	-	大部分	过时的	±6.45％		150°C（TJ）	表面安装	do-214ac，SMA				1 w	2-power迷你模具	-				2156-RD6.2FM（01）-t1-az			1																			20 µA @ 3 V					6.2 v	40欧姆
PMBT2222,215	1.0000	RFQ	2242	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBT2222			250兆	TO-236AB	-		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMBT2222,215-954	Ear99	8541.21.0075	1																				30 V	600 MA		10NA（ICBO）			NPN	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	250MHz
BCV62C，215	0.1400	RFQ	2	NXP半导体	*	大部分	积极的						BCV62					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCV62C，215-954	Ear99	8541.21.0075	1
BZX585-B43,115	0.0300	RFQ	11	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523				300兆	SOD-523	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX585-B43,115-954			1																		1.1 V @ 100 mA	50 NA @ 30.1 V					43 V	150欧姆
BAP70-02/AX	0.2300	RFQ	66	NXP半导体	*	大部分	积极的											-		供应商不确定	到达受影响	2156-BAP70-02/AX-954			1
BZX79-C3V0,133	0.0200	RFQ	409	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C3V0,133-954			1																		900 mv @ 10 ma	10 µA @ 1 V					3 V	95欧姆
PBSS4032PD，115	0.1500	RFQ	2	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457				1 w	6-TSOP	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS4032PD，115-954			2,031																				30 V	2.7 a		100NA			PNP	395mv @ 300mA，3a	200 @ 1A，2V	104MHz
BC807-25	-	RFQ	2139	NXP半导体	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT23-3（TO-236）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BC807-25-954			1																				45 v	500 MA		100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	80MHz
MRF085HR5178	146.7100	RFQ	100	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-MRF085HR5178-954			1
BZX79-C36143	0.0200	RFQ	90	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载					Ear99	8541.10.0050	1
BAS16GW115	1.0000	RFQ	6834	NXP半导体	*	大部分	积极的						BAS16					下载					Ear99	8541.10.0070	1
BUK625R0-40C，118	-	RFQ	3532	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK625R0-40C，118-954	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					40 V	90A（ta）		5mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	88 NC @ 10 V	±16V	5200 pf @ 25 V	-	158W（TA）
MMRF1304NR1	25.6700	RFQ	410	NXP半导体	-	大部分	过时的		133 v		表面安装	TO-270AA		1.8MHz〜2GHz	ldmos		TO-270-2	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-MMRF1304NR1	Ear99	8541.29.0075	1			7µA	10 MA	25W	25.4db											-					50 V
PHK31NQ03LT，518	0.5400	RFQ	88	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PHK31NQ03LT，518-954			1		n通道					30 V	30.4A（TC）	4.5V，10V	4.4mohm @ 25a，10v	2.15V @ 1mA	33 NC @ 4.5 V	±20V	4235 pf @ 12 V	-	6.9W（TC）
BZX79-B5V6,113	0.0200	RFQ	281	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B5V6,113-954			1																		900 mv @ 10 ma	1 µA @ 2 V					5.6 v	40欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²