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（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
PHPT60406NYX	-	RFQ	1984	NXP半导体	-	大部分	积极的			175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669				1.35 w	LFPAK56，Power-SO8	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PHPT60406NYX-954	Ear99	8541.29.0075	1																										40 V	6 a				100NA			NPN	380mv @ 300mA，6a	230 @ 500mA，2V	153MHz
BC51PA，115	-	RFQ	5795	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn				420兆W	3-Huson（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC51PA，115-954			1																										45 v	1 a				100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	145MHz
BLC8G27LS-180AVY	-	RFQ	7434	NXP半导体	-	大部分	积极的											-				2156-BLC8G27LS-180AVY			1
BB131,115	0.1000	RFQ	12	NXP半导体	-	大部分	过时的			-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323					SOD-323	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BB131,115	Ear99	8541.10.0070	1																									1.055pf @ 28V，1MHz				单身的	30 V										16	C0.5/C28	-
BZX585-B51,115	0.0300	RFQ	104	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523				300兆	SOD-523	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX585-B51,115-954			9,366																				1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 35.7 V										51 v	180欧姆
PDTC144WM，315	0.0300	RFQ	120	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	SC-101，SOT-883	PDTC144			250兆	DFN1006-3	下载					Ear99	8541.21.0095	15,000																										50 V	100 ma				1µA			npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	60 @ 5mA，5v		47科姆斯	22 KOHMS
BZV55-B6V8,115	0.0200	RFQ	67	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-B6V8,115-954			1																				900 mv @ 10 ma		2 µA @ 4 V										6.8 v	15欧姆
BZT52H-B3V6,115	0.0200	RFQ	2584	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52			375兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-B3V6,115-954			4,000																				900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V										3.6 v	95欧姆
BAT54VV，115	-	RFQ	5705	NXP半导体	*	大部分	积极的						BAT54					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAT54VV，115-954			1
2PD601ASL，235	-	RFQ	7114	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2PD601			250兆	TO-236AB	下载					Ear99	8541.21.0075	1																										50 V	100 ma				10NA（ICBO）			NPN	250mv @ 10mA，100mA	290 @ 2mA，10v	100MHz
BZX79-C5V6,143	-	RFQ	5295	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BZX79-C5V6			400兆	Alf2	下载						0000.00.0000	1																				900 mv @ 10 ma		1 µA @ 2 V										5.6 v	40欧姆
BUK763R1-40B，118	1.1900	RFQ	12	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BUK763R1-40B，118-954			1			n通道					40 V	75A（TC）	10V	3.1MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	94 NC @ 10 V	±20V	6808 PF @ 25 V	-	300W（TC）
PZU15B3A，115	-	RFQ	5452	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323				320兆W	SOD-323	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PZU15B3A，115-954			1																				1.1 V @ 100 mA		50 na @ 11 V										15 v	15欧姆
PBLS6005D，115	-	RFQ	8192	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	SC-74，SOT-457	PBLS6005			600MW	6-TSOP	下载						0000.00.0000	1																										50V，60V	100mA，700mA				1µA，100NA			1 NPN预偏，1 pnp	150mv @ 500µA，10mA / 340mv @ 100mA，1a	80 @ 5mA，5v / 150 @ 500mA，5V	185MHz	47kohms	47kohms
NZX9V1C，133	-	RFQ	5504	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NZX9V1C，133-954			1																				1.5 V @ 200 ma		500 na @ 6 V										9.1 v	20欧姆
MRF300AN	-	RFQ	4595	NXP半导体	-	大部分	积极的		133 v		通过洞	TO-247-3		1.8MHz〜250MHz	ldmos		TO-247-3	-				2156-MRF300AN			1	n通道			10µA	100 ma	300W	28.2db											-										50 V
PBLS4003D，115	0.0700	RFQ	66	NXP半导体	*	大部分	积极的						PBLS4003					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBLS4003D，115-954			4,473
NZH10C，115	0.0200	RFQ	30	NXP半导体	-	大部分	积极的	±3％		-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123F				500兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NZH10C，115-954			1																				900 mv @ 10 ma		200 na @ 7 V										10 v	8欧姆
BZX84J-C68,115	0.0300	RFQ	30	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				550兆	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84J-C68,115-954			11,823																				1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 47.6 V										68 v	160欧姆
BC68-25PA，115	0.0700	RFQ	7	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn				420兆W	3-Huson（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC68-25PA，115-954			1																										20 v	2 a				100NA（ICBO）			NPN	600mv @ 200mA，2a	160 @ 500mA，1V	170MHz
PDTA123YM，315	-	RFQ	5284	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	SC-101，SOT-883	PDTA123			250兆	DFN1006-3	下载						0000.00.0000	1																										50 V	100 ma				1µA			pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	35 @ 5mA，5v		2.2 kohms	10 kohms
BZX79-B75,133	0.0200	RFQ	74	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B75,133-954			1																				900 mv @ 10 ma		50 na @ 52.5 V										75 v	255欧姆
PDTC114EM，315	-	RFQ	8997	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的				表面安装	SC-101，SOT-883				250兆	DFN1006-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PDTC114EM，315-954			1																										50 V	100 ma				1µA			npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	230 MHz	10 kohms	10 kohms
BZV85-C62,113	0.0400	RFQ	55	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1.3 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C62,113-954			1																				1 V @ 50 mA		50 NA @ 43 V										62 v	175欧姆
BZX79-C2V4,133	0.0200	RFQ	339	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C2V4,133-954			1																				900 mv @ 10 ma		50 µA @ 1 V										2.4 v	100欧姆
BZB84-C68,215	1.0000	RFQ	6985	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZB84-C68			300兆	TO-236AB	下载						0000.00.0000	1	1对公共阳极																			900 mv @ 10 ma		50 NA @ 47.6 V										68 v	240欧姆
BAS16J，115	-	RFQ	5125	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，BAS16	大部分	积极的				表面安装	SC-90，SOD-323F	BAS16		标准		SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAS16J，115-954			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	100 v	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）	250mA	1.5pf @ 0v，1MHz
BZX84-A3V9,215	0.1000	RFQ	6867	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±1％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-A3V9,215-954			1,304																				900 mv @ 10 ma		3 µA @ 1 V										3.9 v	90欧姆
PMPB20EN/S500X	0.0700	RFQ	5	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		DFN2020MD-6	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	2156-PMPB20EN/S500X	Ear99	8541.21.0075	1			n通道					30 V	7.2A（ta）	4.5V，10V	19.5mohm @ 7a，10v	2V @ 250µA	10.8 NC @ 10 V	±20V	435 pf @ 10 V	-	1.7W（TA），12.5W（tc）
PZU20BA，115	0.0200	RFQ	48	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-55°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323				320兆W	SOD-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU20BA，115-954			1																				1.1 V @ 100 mA		50 na @ 15 V										20 v	20欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²