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（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
PDTA123TT，215	0.0200	RFQ	108	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTA123TT，215-954			1
PDTC144VU，115	0.0200	RFQ	14	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTC144VU，115-954			14,990
PQMH11147	-	RFQ	1700	NXP半导体	-	大部分	积极的											-				2156-PQMH11147			1
BZV55-B27,115	0.0200	RFQ	125	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-B27,115-954			1																		900 mv @ 10 ma	50 na @ 18.9 V					27 V	80欧姆
SMMUN2116LT1G	-	RFQ	2695	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				246兆	SOT-23-3（TO-236）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-SMMUN2116LT1G-954			1																				50 V	100 ma		500NA			pnp-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v		4.7科姆斯
BZT52H-B22,115	-	RFQ	7615	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52			375兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-B22,115-954	Ear99	8541.10.0050	1																		900 mv @ 10 ma	50 NA @ 15.4 V					22 v	25欧姆
BZX84-C68,215	0.0200	RFQ	104	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-C68,215-954			1																		900 mv @ 10 ma	50 NA @ 47.6 V					68 v	240欧姆
PMSTA56,115	0.0200	RFQ	9148	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				200兆	SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMSTA56,115-954			1,000																				80 V	500 MA		100NA（ICBO）			PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	50MHz
2PB1219AS，115	-	RFQ	6663	NXP半导体	*	大部分	积极的											-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2PB1219AS，115-954			1
BUK7219-55A，118	0.5400	RFQ	1712	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK7219-55A，118-954			1		n通道					55 v	55A（TC）	10V	19mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	2108 PF @ 25 V	-	114W（TC）
NZX16C，133	0.0200	RFQ	26	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NZX16C，133-954			1																		1.5 V @ 200 ma	50 NA @ 11.2 V					16 V	45欧姆
BZV85-C4V3,113	0.0300	RFQ	30	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1.3 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C4V3,113-954			1																		1 V @ 50 mA	5 µA @ 1 V					4.3 v	13欧姆
AFT21H350W03SR6	199.4800	RFQ	150	NXP半导体	-	大部分	过时的		65 v		表面安装	NI-1230-4S		2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos		NI-1230-4S	-				2156-AFT21H350W03SR6			2	n通道		10µA	763 MA	63W	16.4db @ 2.11GHz											-					28 V
BZV55-B5V1,115	0.0200	RFQ	115	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-B5V1,115-954			1																		900 mv @ 10 ma	2 µA @ 2 V					5.1 v	60欧姆
PMV50ENEA215	-	RFQ	4345	NXP半导体	*	大部分	积极的						PMV50					下载					Ear99	8541.29.0095	1
PSMN2R0-60PS，127	1.0000	RFQ	5598	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PSMN2R0		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		不适用	到达不受影响	2156-PSMN2R0-60PS，127-954			1		n通道					60 V	120A（TC）	10V	2.2MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	137 NC @ 10 V	±20V	9997 PF @ 30 V	-	338W（TC）
BZB784-C3V6,115	1.0000	RFQ	3948	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-	表面安装	SC-70，SOT-323	BZB784-C3V6			180兆	SOT-323	下载						0000.00.0000	1	1对公共阳极																	900 mv @ 10 ma	5 µA @ 1 V					3.6 v	90欧姆
PBSS4130QAZ	0.0700	RFQ	243	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	3-XDFN暴露垫				325兆	DFN1010D-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS4130QAZ-954	Ear99	8541.29.0075	1																				30 V	1 a		100NA（ICBO）			NPN	245mv @ 50mA，1a	180 @ 1a，2v	190MHz
BC807-25	-	RFQ	2139	NXP半导体	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT23-3（TO-236）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BC807-25-954			1																				45 v	500 MA		100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	80MHz
PBSS4032PD，115	0.1500	RFQ	2	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457				1 w	6-TSOP	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS4032PD，115-954			2,031																				30 V	2.7 a		100NA			PNP	395mv @ 300mA，3a	200 @ 1A，2V	104MHz
BZX79-B10,133	0.0200	RFQ	105	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B10,133-954			1																		900 mv @ 10 ma	200 na @ 7 V					10 v	20欧姆
BZV55-B4V7,115	-	RFQ	9228	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	llds;最小	下载						0000.00.0000	1																		900 mv @ 10 ma	3 µA @ 2 V					4.7 v	80欧姆
BZB84-C15,215	1.0000	RFQ	6356	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				300兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZB84-C15,215-954	Ear99	8541.10.0050	1	1对公共阳极																	900 mv @ 10 ma	50 NA @ 10.5 V					15 v	30欧姆
pzu9.1bl，315	0.0300	RFQ	92	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-55°C〜150°C	表面安装	SOD-882				250兆	DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU9.1BL，315-954			1																		1.1 V @ 100 mA	500 na @ 6 V					9.1 v	10欧姆
BLS7G2729L-350P，11	-	RFQ	1733年	NXP半导体	-	大部分	积极的											-				2156-BLS7G2729L-350P，11			1
BUK662R5-30C，118	0.5200	RFQ	927	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK662R5-30C，118-954			1		n通道					30 V	100A（TC）	10V	2.8mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	114 NC @ 10 V	±16V	6960 pf @ 25 V	-	204W（TC）
BZX884-B5V1,315	0.0300	RFQ	81	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882				250兆	DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX884-B5V1,315-954	Ear99	8541.10.0070	1																		900 mv @ 10 ma	2 µA @ 2 V					5.1 v	60欧姆
PHPT610030PKX	-	RFQ	9811	NXP半导体	-	大部分	过时的			175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	PHPT610030			1.25W	LFPAK56D	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PHPT610030PKX	Ear99	8541.29.0075	1																				100V	3a		100NA			2 PNP （双）	360mv @ 200mA，2a	150 @ 500mA，10v	125MHz
PZU7.5B3A，115	-	RFQ	9829	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323				320兆W	SOD-323	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PZU7.5B3A，115-954			1																		1.1 V @ 100 mA	500 na @ 4 V					7.5 v	10欧姆
BC857CMB，315	0.0200	RFQ	178	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	BC857			250兆	DFN1006B-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC857CMB，315-954	Ear99	8541.21.0075	1																				45 v	100 ma		15NA（icbo）			PNP	300mv @ 500µA，10mA	420 @ 2mA，5V	100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²