RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	电流 -最大	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f
PZU4.7B2,115	-	RFQ	1077	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F			310 MW	SC-90	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PZU4.7B2,115-954			1																1.1 V @ 100 mA		2 µA @ 1 V						4.7 v	80欧姆
BZX79-C36,113	0.0200	RFQ	209	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C36,113-954	Ear99	8541.10.0070	1																900 mv @ 10 ma		50 NA @ 25.2 V						36 V	90欧姆
BAP51LX，315	0.0700	RFQ	9244	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）		SOD-882				DFN1006D-2	-				2156-BAP51LX，315			3,407				100 ma										140兆							0.3pf @ 5V，1MHz	PIN-单	60V			1.5OHM @ 100mA，100MHz
BZV55-C15,115	1.0000	RFQ	1636年	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C15,115-954			1																900 mv @ 10 ma		50 NA @ 10.5 V						15 v	30欧姆
BZX84-B10,215	0.0200	RFQ	1	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-B10,215-954			1																900 mv @ 10 ma		200 na @ 7 V						10 v	20欧姆
PSMN2R0-60PS，127	1.0000	RFQ	5598	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PSMN2R0	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		不适用	到达不受影响	2156-PSMN2R0-60PS，127-954			1			n通道		60 V	120A（TC）	10V	2.2MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	137 NC @ 10 V	±20V	9997 PF @ 30 V	-	338W（TC）
BZX585-C24,115	0.0300	RFQ	251	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523			300兆	SOD-523	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX585-C24,115-954			10,764																1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 16.8 V						24 V	70欧姆
PMEG4002AESFYL	0.0400	RFQ	1	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	0201（0603公制）		肖特基		DSN0603-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMEG4002AESFYL-954	Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度													40 V	525 mv @ 200 ma	1.25 ns	80 µA @ 40 V	150°C （最大）	200mA	18pf @ 1V，1MHz
BZX884-C6V2,315	-	RFQ	5365	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX884-C6V2,315-954			1																900 mv @ 10 ma		3 µA @ 4 V						6.2 v	10欧姆
BZX585-B20,115	-	RFQ	2164	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523			300兆	SOD-523	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX585-B20,115-954	Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 700 mV						20 v	55欧姆
BZX84J-B16,115	0.0300	RFQ	16	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F			550兆	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84J-B16,115-954			10,051																1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 11.2 V						16 V	20欧姆
BZX884-C2V4315	-	RFQ	2439	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载						0000.00.0000	1
BZX84-A3V9,215	0.1000	RFQ	6867	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±1％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-A3V9,215-954			1,304																900 mv @ 10 ma		3 µA @ 1 V						3.9 v	90欧姆
BZX585-B3V0,115	-	RFQ	1500	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523			300兆	SOD-523	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX585-B3V0,115-954			1																1.1 V @ 100 mA		10 µA @ 1 V						3 V	95欧姆
PZU3.9B2L，315	-	RFQ	3873	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-882	pzu3.9		250兆	DFN1006-2	下载						0000.00.0000	1																1.1 V @ 100 mA		3 µA @ 1 V						3.9 v	90欧姆
BZV85-C12,113	0.0400	RFQ	19	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C12,113-954			1																1 V @ 50 mA		200 NA @ 8.4 V						12 v	10欧姆
PZU24B1,115	0.0300	RFQ	59	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			310 MW	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU24B1,115-954			1																1.1 V @ 100 mA		50 na @ 19 V						24 V	30欧姆
PSMN8R5-100ESFQ	0.6900	RFQ	1	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PSMN8R5-100ESFQ-954			1			n通道		100 v	97A（ta）	7V，10V	8.8mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	44.5 NC @ 10 V	±20V	3181 PF @ 50 V	-	183w（ta）
BZT52H-C12,115	0.0200	RFQ	27	NXP半导体	-	大部分	过时的	±5.42％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-123F	BZT52		375兆	SOD-123F	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZT52H-C12,115-954	Ear99	8541.10.0070	1																900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V						12 v	10欧姆
BZX79-B4V3,113	0.0200	RFQ	140	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B4V3,113-954			1																900 mv @ 10 ma		3 µA @ 1 V						4.3 v	90欧姆
PZU20BA，115	0.0200	RFQ	48	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323			320兆W	SOD-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU20BA，115-954			1																1.1 V @ 100 mA		50 na @ 15 V						20 v	20欧姆
BC847cm，315	-	RFQ	2710	NXP半导体	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BC847CM，315-954			1
BZT52H-B3V6,115	0.0200	RFQ	2584	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52		375兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-B3V6,115-954			4,000																900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V						3.6 v	95欧姆
BZX585-B51,115	0.0300	RFQ	104	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523			300兆	SOD-523	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX585-B51,115-954			9,366																1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 35.7 V						51 v	180欧姆
BZX84J-C43115	-	RFQ	7145	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F			550兆	SC-90	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX84J-C43115-954			1																1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 30.1 V						43 V	80欧姆
BZT52H-C30,115	0.0200	RFQ	157	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52		375兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-C30,115-954			1																900 mv @ 10 ma		50 NA @ 21 V						30 V	40欧姆
BUK9675-100A，118	-	RFQ	6750	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BUK9675-100A，118-954			1			n通道		100 v	23A（TC）	5V，10V	72MOHM @ 10a，10v	2V @ 1mA		±15V	1704 PF @ 25 V	-	99W（TC）
PMCXB900UEZ	0.0800	RFQ	1	NXP半导体	Trechfet®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-xfdfn暴露垫	PMCXB900	MOSFET （金属 o化物）	265MW	DFN1010B-6	下载					Ear99	8541.21.0095	3,557	n和p通道互补				20V	600mA，500mA		620MOHM @ 600mA，4.5V	950mv @ 250µA	0.7NC @ 4.5V		21.3pf @ 10V	逻辑级别门
BZV55-B75,115	-	RFQ	5152	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-B75,115-954		0000.00.0000	1																900 mv @ 10 ma		50 na @ 52.5 V						75 v	255欧姆
BZB984-C2V4,115	1.0000	RFQ	2756	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOT-663	BZB984-C2V4		265兆	SOT-663	下载						0000.00.0000	1	1对公共阳极															900 mv @ 10 ma		50 µA @ 1 V						2.4 v	70欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²