RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BZX79-C3V0,133	0.0200	RFQ	409	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C3V0,133-954			1																						900 mv @ 10 ma		10 µA @ 1 V										3 V	95欧姆
BZV49-C47,115	0.1600	RFQ	6	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-243AA				1 w	SOT-89	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV49-C47,115-954			1																						1 V @ 50 mA		50 NA @ 32.9 V										47 V	170欧姆
PNS40010ER，115	-	RFQ	6908	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	SOD-123W			标准		SOD-123W	-		供应商不确定	到达不受影响	2156-PNS40010ER，115-954			1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																		400 v		1.1 V @ 1 A	1.8 µs	1 µA @ 400 V	175°c （最大）	1a	20pf @ 4V，1MHz
PSMN2R8-25MLC115	-	RFQ	2760	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载					Ear99	8541.29.0095	1
BZX585-B56,115	-	RFQ	2618	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523	BZX585-B56			300兆	SOD-523	下载						0000.00.0000	1																						1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 39.2 V										56 v	200欧姆
PZU24B2A，115	1.0000	RFQ	3445	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-55°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	PZU24			320兆W	SOD-323	下载						0000.00.0000	1																						1.1 V @ 100 mA		50 na @ 19 V										24 V	30欧姆
BAT54SW，115	0.0200	RFQ	21	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的				表面安装	SC-70，SOT-323	BAT54		肖特基		SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAT54SW，115-954	Ear99	8541.10.0070	15,000																			1对系列连接	30 V	200mA	800 mv @ 100 ma			150°C （最大）
BCV62C，215	0.1400	RFQ	2	NXP半导体	*	大部分	积极的						BCV62					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCV62C，215-954	Ear99	8541.21.0075	1
PZU4.7B2,115	-	RFQ	1077	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F				310 MW	SC-90	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PZU4.7B2,115-954			1																						1.1 V @ 100 mA		2 µA @ 1 V										4.7 v	80欧姆
BUK6218-40C，118	0.2200	RFQ	2350	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK6218-40C，118-954			1			n通道					40 V	42A（TC）	10V	16mohm @ 10a，10v	2.8V @ 1mA	22 NC @ 10 V	±16V	1170 pf @ 25 V	-	60W（TC）
BZX585-C62,115	0.0300	RFQ	96	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523				300兆	SOD-523	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX585-C62,115-954			10,764																						1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 43.4 V										62 v	215欧姆
A2I22D050NR1	51.7500	RFQ	2	NXP半导体	-	大部分	过时的		65 v		表面安装	TO-270WB-15		1.8GHz〜2.2GHz	LDMO （双）		TO-270WB-15	-				2156-A2I22D050NR1			6	2 n通道			10µA	520 MA	5.3W	31.1db @ 1.88GHz											-												28 V
BC54-10PASX	0.0600	RFQ	146	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子				420兆W	DFN2020d-3	下载					Ear99	8541.29.0075	1																												45 v	1 a				100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	180MHz
BUK6610-75C，118	0.4100	RFQ	7	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK6610-75C，118-954			1			n通道					75 v	78A（TC）	10V	10mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	81 NC @ 10 V	±16V	5251 PF @ 25 V	-	158W（TC）
PBSS5330PASX	-	RFQ	3171	NXP半导体	-	大部分	积极的			175°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子				600兆	DFN2020d-3	下载					Ear99	8541.29.0075	1																												30 V	3 a				100NA			PNP	320mv @ 300mA，3a	175 @ 1A，2V	165MHz
PBSS5220T，215	-	RFQ	8901	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				480兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS5220T，215-954			1																												20 v	2 a				100NA（ICBO）			PNP	225mv @ 200mA，2a	200 @ 1A，2V	100MHz
PMMT591A，215	0.0400	RFQ	4937	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMMT591A，215-954	Ear99	8541.21.0075	3,740																												40 V	1 a				100NA			PNP	500mv @ 100mA，1a	300 @ 100mA，5V	150MHz
BZX84-C27,215	-	RFQ	2500	NXP半导体	BZX84	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX84-C27,215-954			1																						900 mv @ 10 ma		50 na @ 18.9 V										27 V	80欧姆
PHPT60406NYX	-	RFQ	1984	NXP半导体	-	大部分	积极的			175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669				1.35 w	LFPAK56，Power-SO8	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PHPT60406NYX-954	Ear99	8541.29.0075	1																												40 V	6 a				100NA			NPN	380mv @ 300mA，6a	230 @ 500mA，2V	153MHz
BC51PA，115	-	RFQ	5795	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn				420兆W	3-Huson（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC51PA，115-954			1																												45 v	1 a				100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	145MHz
BLC8G27LS-180AVY	-	RFQ	7434	NXP半导体	-	大部分	积极的											-				2156-BLC8G27LS-180AVY			1
BB131,115	0.1000	RFQ	12	NXP半导体	-	大部分	过时的			-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323					SOD-323	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BB131,115	Ear99	8541.10.0070	1																											1.055pf @ 28V，1MHz				单身的	30 V										16	C0.5/C28	-
BZX585-B51,115	0.0300	RFQ	104	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523				300兆	SOD-523	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX585-B51,115-954			9,366																						1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 35.7 V										51 v	180欧姆
PDTC144WM，315	0.0300	RFQ	120	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	SC-101，SOT-883	PDTC144			250兆	DFN1006-3	下载					Ear99	8541.21.0095	15,000																												50 V	100 ma				1µA			npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	60 @ 5mA，5v		47科姆斯	22 KOHMS
BZV55-B6V8,115	0.0200	RFQ	67	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-B6V8,115-954			1																						900 mv @ 10 ma		2 µA @ 4 V										6.8 v	15欧姆
BZT52H-B3V6,115	0.0200	RFQ	2584	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52			375兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-B3V6,115-954			4,000																						900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V										3.6 v	95欧姆
BAT54VV，115	-	RFQ	5705	NXP半导体	*	大部分	积极的						BAT54					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAT54VV，115-954			1
2PD601ASL，235	-	RFQ	7114	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2PD601			250兆	TO-236AB	下载					Ear99	8541.21.0075	1																												50 V	100 ma				10NA（ICBO）			NPN	250mv @ 10mA，100mA	290 @ 2mA，10v	100MHz
BZX79-C5V6,143	-	RFQ	5295	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BZX79-C5V6			400兆	Alf2	下载						0000.00.0000	1																						900 mv @ 10 ma		1 µA @ 2 V										5.6 v	40欧姆
BUK763R1-40B，118	1.1900	RFQ	12	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BUK763R1-40B，118-954			1			n通道					40 V	75A（TC）	10V	3.1MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	94 NC @ 10 V	±20V	6808 PF @ 25 V	-	300W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²