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（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
PSMN018-100ESFQ	0.3700	RFQ	4	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PSMN018-100ESFQ-954			1			n通道	100 v	53A（ta）	7V，10V	18mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA	21.4 NC @ 10 V	±20V	1482 PF @ 50 V	-	111W（ta）
BC846AW，115	0.0200	RFQ	535	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			200兆	SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC846AW，115-954			1																					65 v	100 ma	15NA（icbo）			NPN	400mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
PZU20B2,115	0.0300	RFQ	32	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			310 MW	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU20B2,115-954	Ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 100 mA		50 na @ 15 V							20 v	20欧姆
NZX14C，133	0.0200	RFQ	100	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NZX14C，133-954			1															1.5 V @ 200 ma		50 NA @ 9.8 V							14 V	35欧姆
BZV49-C2V4,115	0.1600	RFQ	8	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-243AA			1 w	SOT-89	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV49-C2V4,115-954			1															1 V @ 50 mA		50 µA @ 1 V							2.4 v	100欧姆
PZU10B3,115	-	RFQ	5443	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F			310 MW	SC-90	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PZU10B3,115-954			1															1.1 V @ 100 mA		100 na @ 7 V							10 v	10欧姆
BZX79-B75,133	0.0200	RFQ	74	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B75,133-954			1															900 mv @ 10 ma		50 na @ 52.5 V							75 v	255欧姆
PDTB143EU115	0.0400	RFQ	11	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载					Ear99	8541.21.0075	1
PBSS4260QAZ	0.0800	RFQ	305	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载					Ear99	8541.21.0075	3,904
BC869-16115	0.1100	RFQ	67	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载					Ear99	8541.29.0075	1
1N4728A，113	0.0300	RFQ	258	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-1N4728A，113-954			1
1N4531133	-	RFQ	9164	NXP半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204Ag，do-34，轴向		标准		do-34	下载					Ear99	8541.10.0070	1														75 v	1 V @ 10 mA	4 ns	25 na @ 20 V	200°C （最大）		4pf @ 0v，1MHz
PBSS5160QAZ	-	RFQ	6848	NXP半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	3-XDFN暴露垫			325兆	DFN1010D-3	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PBSS5160QAZ	Ear99	8541.29.0075	1																					60 V	1 a	100NA			PNP	460mv @ 50mA，1a	160 @ 100mA，2V	150MHz
PBSS5520X，135	-	RFQ	7885	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			2.5 w	SOT-89	-				2156-PBSS5520X，135			1																					20 v	5 a	100NA（ICBO）			PNP	270mv @ 500mA，5a	300 @ 500mA，2V	100MHz
PBSS5130QAZ	0.0600	RFQ	9	NXP半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	3-XDFN暴露垫			325兆	DFN1010D-3	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PBSS5130QAZ			1																					30 V	1 a	100NA			PNP	240mv @ 100mA，1a	250 @ 100mA，2V	170MHz
BC857CMB，315	0.0200	RFQ	178	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	BC857		250兆	DFN1006B-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC857CMB，315-954	Ear99	8541.21.0075	1																					45 v	100 ma	15NA（icbo）			PNP	300mv @ 500µA，10mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
BAS16J，115	-	RFQ	5125	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，BAS16	大部分	积极的			表面安装	SC-90，SOD-323F	BAS16	标准		SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAS16J，115-954			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												100 v	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）	250mA	1.5pf @ 0v，1MHz
BZV85-C4V3,113	0.0300	RFQ	30	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C4V3,113-954			1															1 V @ 50 mA		5 µA @ 1 V							4.3 v	13欧姆
PMDXB550UNE/S500Z	-	RFQ	8839	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-xfdfn暴露垫		MOSFET （金属 o化物）	285MW（TA），4.03W（tc）	DFN1010B-6	-				2156-PMDXB550UNE/S500Z			1	2 n通道			30V	590ma（ta）		670MOHM @ 590mA，4.5V	0.95V @ 250µA	1.05NC @ 4.5V		30.3pf @ 15V	标准
PMEG2020EJ/ZL135	-	RFQ	1630	NXP半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-90，SOD-323F		肖特基		SOD-323F	-				2156-PMEG2020EJ/ZL135			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												20 v	525 mv @ 2 a		200 µA @ 20 V	150°C	2a	50pf @ 5V，1MHz
PBSS5160PAP，115	-	RFQ	7374	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-UFDFN暴露垫	PBSS5160		510MW	6-Huson（2x2）	下载						0000.00.0000	1																					60V	1a	100NA（ICBO）			2 PNP （双）	340mv @ 100mA，1a	120 @ 500mA，2V	125MHz
BZT52H-C6V8,115	0.0200	RFQ	150	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52		375兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-C6V8,115-954			1															900 mv @ 10 ma		2 µA @ 4 V							6.8 v	8欧姆
BAW56W135	-	RFQ	7176	NXP半导体	*	大部分	积极的					BAW56W				下载						0000.00.0000	1
BLC6G27LS-100,118	563.3800	RFQ	100	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BLC6G27LS-100,118-954			1
BZX884-B5V1,315	0.0300	RFQ	81	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX884-B5V1,315-954	Ear99	8541.10.0070	1															900 mv @ 10 ma		2 µA @ 2 V							5.1 v	60欧姆
BZX585-C62,115	0.0300	RFQ	96	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523			300兆	SOD-523	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX585-C62,115-954			10,764															1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 43.4 V							62 v	215欧姆
BZX84-C3V6,215	0.0200	RFQ	554	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-C3V6,215-954			1															900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V							3.6 v	90欧姆
BUK7E3R1-40E，127	0.7500	RFQ	1	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK7E3R1-40E，127-954			1			n通道	40 V	100A（TC）	10V	3.1MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	79 NC @ 10 V	±20V	6200 PF @ 25 V	-	234W（TC）
PDTD123YQAZ	0.0300	RFQ	24	NXP半导体	*	大部分	积极的					PDTD123				下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTD123YQAZ-954	Ear99	8541.21.0075	1
BC56-10PA，115	0.0600	RFQ	30	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn			420兆W	3-Huson（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC56-10PA，115-954			1																					80 V	1 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	180MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²