RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BZV55-C16,115	0.0200	RFQ	75	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆		llds;最小	下载			到达不受影响	2156-BZV55-C16,115-954			1																												900 mv @ 10 ma		50 NA @ 11.2 V									16 V	40欧姆
PZU4.3B，115	0.0300	RFQ	21	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				310 MW		SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU4.3B，115-954			1																												1.1 V @ 100 mA		3 µA @ 1 V									4.3 v	90欧姆
PMCM6501VPEZ	0.2000	RFQ	7	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-XFBGA，WLCSP			MOSFET （金属 o化物）			6-WLCSP（1.48x0.98）	下载					Ear99	8541.29.0095	1,528			P通道						12 v	6.2a（ta）	1.8V，4.5V	25mohm @ 3A，4.5V	900mv @ 250µA	29.4 NC @ 4.5 V	±8V	1400 pf @ 6 V	-	556毫米（TA），12.5W（tc）
BAT54L，315	0.0300	RFQ	21	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	SOD-882	BAT54		肖特基			DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAT54L，315-954	Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																									30 V	800 mv @ 100 ma		2 µA @ 25 V	150°C （最大）	200mA	10pf @ 1V，1MHz
BAS32L，135	0.0200	RFQ	635	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			标准			llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAS32L，135-954			1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																									75 v	1 V @ 100 ma	4 ns	5 µA @ 75 V	200°C （最大）	200mA	2pf @ 0v，1MHz
BC859BW，115	-	RFQ	4466	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				200兆		SOT-323	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BC859BW，115-954			1																																			30 V	100 ma		15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
PHPT60406NYX	-	RFQ	1984	NXP半导体	-	大部分	积极的			175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669				1.35 w		LFPAK56，Power-SO8	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PHPT60406NYX-954	Ear99	8541.29.0075	1																																			40 V	6 a		100NA			NPN	380mv @ 300mA，6a	230 @ 500mA，2V	153MHz
PSMN015-100B，118	0.8000	RFQ	3	NXP半导体	-	大部分	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PSMN015-100B，118-954	Ear99	8541.29.0075	407			n通道						100 v	75a（ta）	10V	15mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	90 NC @ 10 V	±20V	4900 PF @ 25 V	-	300W（TA）
BTA202X-600E，127	0.2800	RFQ	7	NXP半导体	-	大部分	积极的			125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡						TO-220F	下载					Ear99	8541.30.0080	1,069	单身的				12 ma														逻辑 -敏感门	600 v	2 a	1.5 v	14a，15.4a	10 MA
BAS321115	1.0000	RFQ	1886年	NXP半导体	*	大部分	积极的												下载					Ear99	8541.10.0070	1
BUK7509-55A，127	0.5600	RFQ	3	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK7509-55A，127-954	Ear99	8541.29.0095	1			n通道						55 v	75A（TC）	10V	9mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	62 NC @ 0 V	±20V	3271 PF @ 25 V	-	211W（TC）
PMSTA56,115	0.0200	RFQ	9148	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				200兆		SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMSTA56,115-954			1,000																																			80 V	500 MA		100NA（ICBO）			PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	50MHz
BC51PASX	0.0600	RFQ	54	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子				420兆W		DFN2020d-3	下载					Ear99	8541.29.0075	1																																			45 v	1 a		100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	145MHz
PMV20EN215	1.0000	RFQ	4213	NXP半导体	*	大部分	积极的												下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PMV20EN215-954			1
BZX79-C75,133	0.0200	RFQ	70	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆		Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C75,133-954			1																												900 mv @ 10 ma		50 na @ 52.5 V									75 v	255欧姆
MW7IC930NR1	59.9800	RFQ	2	NXP半导体	-	大部分	过时的		65 v		表面安装	TO-270-16变体，平面线		920MHz〜960MHz	LDMO （双）			TO-270WB-16	-				2156-MW7IC930NR1	Ear99	8542.33.0001	6	2 n通道			10µA		285 MA	3.2W	35.9dB																		-											28 V
BZV55-B3V0,115	0.0200	RFQ	86	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆		llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-B3V0,115-954			1																												900 mv @ 10 ma		10 µA @ 1 V									3 V	95欧姆
PDTC144WM，315	0.0300	RFQ	120	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	SC-101，SOT-883	PDTC144			250兆		DFN1006-3	下载					Ear99	8541.21.0095	15,000																																			50 V	100 ma		1µA			npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	60 @ 5mA，5v		47科姆斯	22 KOHMS
BZV90-C10,115	0.1700	RFQ	4	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				1.5 w		SOT-223	下载					Ear99	8541.10.0050	1,745																												1 V @ 50 mA		200 na @ 7 V									10 v	20欧姆
MRF300AN	-	RFQ	4595	NXP半导体	-	大部分	积极的		133 v		通过洞	TO-247-3		1.8MHz〜250MHz	ldmos			TO-247-3	-				2156-MRF300AN			1	n通道			10µA		100 ma	300W	28.2db																		-											50 V
AFT21H350W03SR6	199.4800	RFQ	150	NXP半导体	-	大部分	过时的		65 v		表面安装	NI-1230-4S		2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos			NI-1230-4S	-				2156-AFT21H350W03SR6			2	n通道			10µA		763 MA	63W	16.4db @ 2.11GHz																		-											28 V
PMBT3906,215	0.0200	RFQ	2	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBT3906			250兆		TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMBT3906,215-954	Ear99	8541.21.0095	1																																			40 V	200 ma		50NA（iCBO）			PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
TD330N16KOFHPSA2	181.5400	RFQ	3	NXP半导体	-	大部分	积极的			130°C（TJ）	底盘安装	模块					系列连接 -SCR/二极管		-				2156-TD330N16KOFHPSA2			2					300 MA															1.6 kV	520 a	2 v	12500a	200 ma	330 a									1 sc，1二极管
PEMB17,115	0.0400	RFQ	12	NXP半导体	*	大部分	积极的												下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PEMB17,115-954	Ear99	8541.21.0095	1
1PS70SB20,115	0.0400	RFQ	11	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	SC-70，SOT-323			肖特基			SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-1PS70SB20,115-954			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																									40 V	550 mv @ 500 mA		100 µA @ 35 V	125°c （最大）	500mA	90pf @ 0v，1MHz
TDZ8V2J，115	0.0300	RFQ	28	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，TDZXJ	大部分	积极的	±2％		-55°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	TDZ8V2			500兆		SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-TDZ8V2J，115-954			10,414																												1.1 V @ 100 mA		700 na @ 5 V									8.2 v	10欧姆
BZX585-B56,115	-	RFQ	2618	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523	BZX585-B56			300兆		SOD-523	下载						0000.00.0000	1																												1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 39.2 V									56 v	200欧姆
BZV90-C51,115	-	RFQ	8346	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				1.5 w		SOT-223	下载					Ear99	8541.10.0050	1																												1 V @ 50 mA		50 NA @ 35.7 V									51 v	180欧姆
BCW33,215	0.0200	RFQ	96	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆		TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCW33,215-954			1																																			32 v	100 ma		100NA（ICBO）			NPN	210mv @ 2.5mA，50mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
BTA216-600F，127	0.5600	RFQ	4	NXP半导体	*	大部分	积极的												下载		不适用	到达不受影响	2156-BTA216-600F，127-954			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²