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（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BZX84J-B11,115	1.0000	RFQ	7693	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				550兆		SOD-323F	下载						0000.00.0000	1																											1.1 V @ 100 mA	100 na @ 8 V												11 V	10欧姆
BZV55-C8V2,115	0.0200	RFQ	1	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆		llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C8V2,115-954			1																											900 mv @ 10 ma	700 na @ 5 V												8.2 v	15欧姆
PBSS306NZ，135	-	RFQ	3248	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				700兆		SOT-223	-				2156-PBSS306NZ，135			1																																	100 v	5.1 a					100NA（ICBO）				NPN	300mv @ 255mA，5.1a	200 @ 500mA，2V	110MHz
PSMN8R5-100ESFQ	0.6900	RFQ	1	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			i2pak	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PSMN8R5-100ESFQ-954			1			n通道						100 v	97A（ta）	7V，10V	8.8mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	44.5 NC @ 10 V	±20V	3181 PF @ 50 V	-	183w（ta）
BUK6213-30C，118	0.2400	RFQ	17	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK6213-30C，118-954			1			n通道						30 V	47A（TC）	10V	14mohm @ 10a，10v	2.8V @ 1mA	19.5 NC @ 10 V	±16V	1108 PF @ 25 V	-	60W（TC）
BZX585-C2V7,135	0.0300	RFQ	29	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523				300兆		SOD-523	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BZX585-C2V7,135-954			10,764																											1.1 V @ 100 mA	20 µA @ 1 V												2.7 v	100欧姆
PHK12NQ03LT，518	0.3000	RFQ	6	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PHK12NQ03LT，518-954			1			n通道						30 V	11.8A（TJ）	4.5V，10V	10.5mohm @ 12a，10v	2V @ 250µA	17.6 NC @ 5 V	±20V	1335 PF @ 16 V	-	2.5W（TA）
PMBF4391	0.8700	RFQ	22	NXP半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆		TO-236AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2832-PMBF4391TR	Ear99	8541.21.0080	575			n通道						40 V							14pf @ 20V																				40 V	50 mA @ 20 V	4 V @ 1 na				30欧姆
NMBT3906VL	0.0200	RFQ	400	NXP半导体	*	大部分	积极的												下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-NMBT3906VL-954			1
PDTC124XM，315	-	RFQ	2391	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	SC-101，SOT-883	PDTC124			250兆		DFN1006-3	下载						0000.00.0000	1																																	50 V	100 ma					1µA				npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	80 @ 5mA，5V		22 KOHMS	47科姆斯
PMCXB900UEZ	0.0800	RFQ	1	NXP半导体	Trechfet®	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-xfdfn暴露垫	PMCXB900		MOSFET （金属 o化物）	265MW		DFN1010B-6	下载					Ear99	8541.21.0095	3,557	n和p通道互补								20V	600mA，500mA		620MOHM @ 600mA，4.5V	950mv @ 250µA	0.7NC @ 4.5V		21.3pf @ 10V	逻辑级别门
BZV85-C9V1,113	0.0400	RFQ	107	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1.3 w		do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C9V1,113-954			1																											1 V @ 50 mA	700 NA @ 6.5 V												9.1 v	5欧姆
MRF1517NT1	4.3100	RFQ	5	NXP半导体	-	大部分	过时的		25 v		表面安装	PLD-1.5		-	ldmos			PLD-1.5	-				2156-MRF1517NT1			70	n通道			4a		150 ma	8W	14dB @ 520MHz																	-										7.5 v
PMBT2222A，235	-	RFQ	4493	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBT2222			250兆		TO-236AB	-		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMBT2222A，235-954	Ear99	8541.21.0075	1																																	40 V	600 MA					10µA（ICBO）				NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
BUK7509-55A，127	0.5600	RFQ	3	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK7509-55A，127-954	Ear99	8541.29.0095	1			n通道						55 v	75A（TC）	10V	9mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	62 NC @ 0 V	±20V	3271 PF @ 25 V	-	211W（TC）
BCW33,215	0.0200	RFQ	96	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆		TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCW33,215-954			1																																	32 v	100 ma					100NA（ICBO）				NPN	210mv @ 2.5mA，50mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
PHP23NQ11T，127	0.6600	RFQ	6	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		不适用	到达不受影响	2156-PHP23NQ11T，127-954			496			n通道						110 v	23A（TC）	10V	70MOHM @ 13A，10V	4V @ 1mA	22 NC @ 10 V	±20V	830 pf @ 25 V	-	100W（TC）
BZX79-C3V9,143	0.0200	RFQ	245	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆		Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C3V9,143-954	Ear99	8541.10.0050	1																											900 mv @ 10 ma	3 µA @ 1 V												3.9 v	90欧姆
BCP51-10,135	-	RFQ	5939	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP51			1 w		SOT-223	下载						0000.00.0000	1																																	45 v	1 a					100NA（ICBO）				PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	145MHz
TD330N16KOFHPSA2	181.5400	RFQ	3	NXP半导体	-	大部分	积极的			130°C（TJ）	底盘安装	模块					系列连接 -SCR/二极管		-				2156-TD330N16KOFHPSA2			2					300 MA														1.6 kV	520 a	2 v	12500a	200 ma	330 a								1 sc，1二极管
BZX79-C47,133	0.0200	RFQ	160	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆		Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C47,133-954			1																											900 mv @ 10 ma	50 NA @ 700 mV												47 V	170欧姆
BC51PASX	0.0600	RFQ	54	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子				420兆W		DFN2020d-3	下载					Ear99	8541.29.0075	1																																	45 v	1 a					100NA（ICBO）				PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	145MHz
PMBT4401/S911,215	0.0200	RFQ	72	NXP半导体	*	大部分	积极的												下载					Ear99	8541.21.0075	1
PZU4.3B2A，115	-	RFQ	7770	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323				320兆W		SOD-323	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PZU4.3B2A，115-954			1																											1.1 V @ 100 mA	3 µA @ 1 V												4.3 v	90欧姆
BC869-16115	0.1100	RFQ	67	NXP半导体	*	大部分	积极的												下载					Ear99	8541.29.0075	1
BZX884-C2V4315	-	RFQ	2439	NXP半导体	*	大部分	积极的												下载						0000.00.0000	1
PMEG2020EJ/ZL135	-	RFQ	1630	NXP半导体	-	大部分	过时的				表面安装	SC-90，SOD-323F			肖特基			SOD-323F	-				2156-PMEG2020EJ/ZL135			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								20 v	525 mv @ 2 a	200 µA @ 20 V	150°C	2a	50pf @ 5V，1MHz
PMXB65ENEZ	0.0900	RFQ	3	NXP半导体	*	大部分	积极的												下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PMXB65ENEZ-954		0000.00.0000	1
PDTD123YQAZ	0.0300	RFQ	24	NXP半导体	*	大部分	积极的						PDTD123						下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTD123YQAZ-954	Ear99	8541.21.0075	1
A2I20H060GNR1	30.9400	RFQ	500	NXP半导体	-	大部分	积极的		65 v		表面安装	TO-270WBG-15		1.8GHz〜2.2GHz	LDMO （双）			TO-270WBG-15	-				2156-A2I20H060GNR1			10	2 n通道			-		24 ma	12W	32.4dB																	-										28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²