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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | 电流 -最大 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 电阻 @ if,f | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZB784-C3V6,115 | 1.0000 | ![]() | 3948 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BZB784-C3V6 | 180兆 | SOT-323 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 1对公共阳极 | 900 mv @ 10 ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C9V1,133 | 0.0200 | ![]() | 290 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 400兆 | Alf2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX79-C9V1,133-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 500 na @ 6 V | 9.1 v | 15欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4744A,133 | 0.0400 | ![]() | 25 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-1N4744A,133-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 11.4 V | 15 v | 14欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMD12,115 | 0.0700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PEMD12,115-954 | 4,699 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMF21,115 | 0.1500 | ![]() | 124 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-PEMF21,115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX10D,133 | 0.0200 | ![]() | 110 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | Alf2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-NZX10D,133-954 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 200 na @ 7 V | 10 v | 25欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT61006PYX | - | ![]() | 9296 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | SC-100,SOT-669 | 1.3 w | LFPAK56,Power-SO8 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PHPT61006PYX-954 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 100 v | 6 a | 100NA | PNP | 130mv @ 50mA,1a | 170 @ 500mA,2V | 116MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA123TT,215 | 0.0200 | ![]() | 108 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PDTA123TT,215-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAP51LX,315 | 0.0700 | ![]() | 9244 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | SOD-882 | DFN1006D-2 | - | 2156-BAP51LX,315 | 3,407 | 100 ma | 140兆 | 0.3pf @ 5V,1MHz | PIN-单 | 60V | 1.5OHM @ 100mA,100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-B10,115 | 0.0200 | ![]() | 351 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | llds;最小 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZV55-B10,115-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 200 na @ 7 V | 10 v | 20欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMSTA56,115 | 0.0200 | ![]() | 9148 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 200兆 | SOT-323 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PMSTA56,115-954 | 1,000 | 80 V | 500 MA | 100NA(ICBO) | PNP | 250mv @ 10mA,100mA | 100 @ 100mA,1V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC68-25PA,115 | 0.0700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 3-Powerudfn | 420兆W | 3-Huson(2x2) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BC68-25PA,115-954 | 1 | 20 v | 2 a | 100NA(ICBO) | NPN | 600mv @ 200mA,2a | 160 @ 500mA,1V | 170MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C15,115 | 1.0000 | ![]() | 1636年 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | llds;最小 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZV55-C15,115-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 10.5 V | 15 v | 30欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-B51,115 | 0.0300 | ![]() | 104 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | 300兆 | SOD-523 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX585-B51,115-954 | 9,366 | 1.1 V @ 100 mA | 50 NA @ 35.7 V | 51 v | 180欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C4V7,113 | 0.0200 | ![]() | 262 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX79-C4V7,113-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C30,143 | 0.0200 | ![]() | 165 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 400兆 | Alf2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX79-C30,143-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 700 mV | 30 V | 80欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NX3008PBKV,115 | - | ![]() | 2027 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | NX3008 | - | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-NX3008PBKV,115-954 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B10,215 | 0.0200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX84-B10,215-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 200 na @ 7 V | 10 v | 20欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C3V6,215 | 0.0200 | ![]() | 554 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX84-C3V6,215-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS5160QAZ | - | ![]() | 6848 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 3-XDFN暴露垫 | 325兆 | DFN1010D-3 | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-PBSS5160QAZ | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 60 V | 1 a | 100NA | PNP | 460mv @ 50mA,1a | 160 @ 100mA,2V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV49-C47,115 | 0.1600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-243AA | 1 w | SOT-89 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZV49-C47,115-954 | 1 | 1 V @ 50 mA | 50 NA @ 32.9 V | 47 V | 170欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C9V1,113 | 0.0400 | ![]() | 107 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.3 w | do-41 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZV85-C9V1,113-954 | 1 | 1 V @ 50 mA | 700 NA @ 6.5 V | 9.1 v | 5欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4240Y,115 | - | ![]() | 2824 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 430兆 | 6-TSSOP | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PBSS4240Y,115-954 | 1 | 40 V | 2 a | 100NA(ICBO) | NPN | 320mv @ 200mA,2a | 300 @ 1A,2V | 230MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC807-40,235 | - | ![]() | 4637 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BC807-40,235-954 | 1 | 45 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | PNP | 700mv @ 50mA,500mA | 250 @ 100mA,1V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7C10-75AITE,118 | 1.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK-7 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-BUK7C10-75AITE,118-954 | 1 | n通道 | 75 v | 75A(TC) | 10V | 10mohm @ 50a,10v | 4V @ 1mA | 121 NC @ 10 V | ±20V | 4700 PF @ 25 V | 电流感应 | 272W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS32L,135 | 0.0200 | ![]() | 635 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 标准 | llds;最小 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BAS32L,135-954 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 75 v | 1 V @ 100 ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 200°C (最大) | 200mA | 2pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMMT591A,215 | 0.0400 | ![]() | 4937 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PMMT591A,215-954 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,740 | 40 V | 1 a | 100NA | PNP | 500mv @ 100mA,1a | 300 @ 100mA,5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-C30,115 | 0.0200 | ![]() | 157 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C(TA) | 表面安装 | SOD-123F | BZT52 | 375兆 | SOD-123F | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZT52H-C30,115-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 21 V | 30 V | 40欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-C2V7,135 | 0.0300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | 300兆 | SOD-523 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-BZX585-C2V7,135-954 | 10,764 | 1.1 V @ 100 mA | 20 µA @ 1 V | 2.7 v | 100欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBLS6004D,115 | 0.0600 | ![]() | 63 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | PBLS6004 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PBLS6004D,115-954 | 1 |
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