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（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NZX24C，133	0.0200	RFQ	249	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NZX24C，133-954			1																	1.5 V @ 200 ma	50 NA @ 16.8 V					24 V	70欧姆
BZX585-B43,115	0.0300	RFQ	11	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523				300兆	SOD-523	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX585-B43,115-954			1																	1.1 V @ 100 mA	50 NA @ 30.1 V					43 V	150欧姆
BUK7225-55A，118	0.2700	RFQ	9	NXP半导体	-	大部分	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BUK7225-55A，118	Ear99	8541.29.0075	1	n通道					55 v	43A（ta）	10V	25mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	1310 PF @ 25 V	-	94W（ta）
BZT52H-B22,115	-	RFQ	7615	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52			375兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-B22,115-954	Ear99	8541.10.0050	1																	900 mv @ 10 ma	50 NA @ 15.4 V					22 v	25欧姆
PMCM4401VPEZ	-	RFQ	8918	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，WLCSP			MOSFET （金属 o化物）		4-WLCSP（0.78x0.78）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMCM4401VPEZ-954	Ear99	8541.29.0095	1	P通道					12 v	3.9a（ta）	1.8V，4.5V	65mohm @ 3A，4.5V	900mv @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	415 pf @ 6 V	-	400MW（TA），12.5W（tc）
BZV55-C39,115	0.0200	RFQ	837	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C39,115-954		0000.00.0000	1																	900 mv @ 10 ma	50 na @ 27.3 V					39 v	130欧姆
NZX13A，133	0.0200	RFQ	88	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NZX13A，133-954			1																	1.5 V @ 200 ma	100 na @ 8 V					13 V	35欧姆
PZU9.1B2A，115	0.0300	RFQ	25	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-55°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323				320兆W	SOD-323	下载						0000.00.0000	11,632																	1.1 V @ 100 mA	500 na @ 6 V					9.1 v	10欧姆
BUK7Y98-80E，115	-	RFQ	6769	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载			到达不受影响	2156-BUK7Y98-80E，115-954			1
PHB29N08T，118	0.4000	RFQ	2	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PHB29N08T，118-954			812	n通道					75 v	27a（TC）	11V	50mohm @ 14a，11V	5V @ 2mA	19 nc @ 10 V	±30V	810 pf @ 25 V	-	88W（TC）
PHPT60610PYX	-	RFQ	8194	NXP半导体	-	大部分	积极的			175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669				1.5 w	LFPAK56，Power-SO8	下载					Ear99	8541.29.0075	1																			60 V	10 a		100NA			PNP	470MV @ 1A，10A	120 @ 500mA，2V	85MHz
BZV55-C16,115	0.0200	RFQ	75	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	llds;最小	下载			到达不受影响	2156-BZV55-C16,115-954			1																	900 mv @ 10 ma	50 NA @ 11.2 V					16 V	40欧姆
BZT52H-C12,115	0.0200	RFQ	27	NXP半导体	-	大部分	过时的	±5.42％		150°C（TJ）	表面安装	SOD-123F	BZT52			375兆	SOD-123F	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZT52H-C12,115-954	Ear99	8541.10.0070	1																	900 mv @ 10 ma	100 na @ 8 V					12 v	10欧姆
BC55-16PA，115	-	RFQ	1284	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn				650兆	3-Huson（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC55-16PA，115-954			1																			60 V	1 a		100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	180MHz
PZU8.2B2L，315	-	RFQ	8532	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-55°C〜150°C	表面安装	SOD-882	PZU8.2			250兆	DFN1006-2	下载						0000.00.0000	1																	1.1 V @ 100 mA	500 na @ 5 v					8.2 v	10欧姆
PEMH13,315	1.0000	RFQ	4656	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	SOT-563，SOT-666	PEMH13			300MW	SOT-666	下载						0000.00.0000	1																			50V	100mA		1µA			2 NPN- 预偏（双重）	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 10mA，5v	-	4.7kohms	47kohms
BUK6E3R2-55C，127	0.9700	RFQ	4	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK6E3R2-55C，127-954			1	n通道					55 v	120A（TC）	10V	3.2MOHM @ 25A，10V	2.8V @ 1mA	258 NC @ 10 V	±16V	15300 PF @ 25 V	-	306W（TC）
BUK625R0-40C，118	-	RFQ	3532	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK625R0-40C，118-954	Ear99	8541.29.0095	1	n通道					40 V	90A（ta）		5mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	88 NC @ 10 V	±16V	5200 pf @ 25 V	-	158W（TA）
PZU10B3,115	-	RFQ	5443	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F				310 MW	SC-90	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PZU10B3,115-954			1																	1.1 V @ 100 mA	100 na @ 7 V					10 v	10欧姆
PDTA144WT，215	0.0200	RFQ	107	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTA144WT，215-954			1
PDTC123YMB，315	0.0300	RFQ	99	NXP半导体	*	大部分	积极的						PDTC123					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTC123YMB，315-954			1
BC859BW，115	-	RFQ	4466	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				200兆	SOT-323	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BC859BW，115-954			1																			30 V	100 ma		15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
BZX79-C75,133	0.0200	RFQ	70	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C75,133-954			1																	900 mv @ 10 ma	50 na @ 52.5 V					75 v	255欧姆
BZX79-B9V1,133	1.0000	RFQ	9762	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BZX79-B9V1			400兆	Alf2	下载						0000.00.0000	1																	900 mv @ 10 ma	500 na @ 6 V					9.1 v	15欧姆
BZX79-B5V6,113	0.0200	RFQ	281	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B5V6,113-954			1																	900 mv @ 10 ma	1 µA @ 2 V					5.6 v	40欧姆
PZU22B2,115	0.0300	RFQ	32	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				310 MW	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU22B2,115-954			1																	1.1 V @ 100 mA	50 na @ 17 V					22 v	25欧姆
BZX84-C3V0,215	0.0200	RFQ	177	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-C3V0,215-954			1																	900 mv @ 10 ma	10 µA @ 1 V					3 V	95欧姆
MMRF1304NR1	25.6700	RFQ	410	NXP半导体	-	大部分	过时的		133 v		表面安装	TO-270AA		1.8MHz〜2GHz	ldmos		TO-270-2	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-MMRF1304NR1	Ear99	8541.29.0075	1		7µA	10 MA	25W	25.4db											-					50 V
PSMN2R0-60PS，127	1.0000	RFQ	5598	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PSMN2R0		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		不适用	到达不受影响	2156-PSMN2R0-60PS，127-954			1	n通道					60 V	120A（TC）	10V	2.2MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	137 NC @ 10 V	±20V	9997 PF @ 30 V	-	338W（TC）
BUK7509-55A，127	0.5600	RFQ	3	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK7509-55A，127-954	Ear99	8541.29.0095	1	n通道					55 v	75A（TC）	10V	9mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	62 NC @ 0 V	±20V	3271 PF @ 25 V	-	211W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²