SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
BZX79-B20,113 NXP Semiconductors BZX79-B20,113 0.0200
RFQ
ECAD 70 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 400兆 Alf2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZX79-B20,113-954 1 900 mv @ 10 ma 50 na @ 14 V 20 v 55欧姆
BAV20,143 NXP Semiconductors BAV20,143 -
RFQ
ECAD 6288 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 标准 Alf2 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-BAV20,143-954 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 NA @ 150 V 175°c (最大) 250mA 5pf @ 0v,1MHz
PZU10B2A,115 NXP Semiconductors PZU10B2A,115 -
RFQ
ECAD 1079 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 SC-76,SOD-323 PZU10 320兆W SOD-323 下载 0000.00.0000 1 1.1 V @ 100 mA 100 na @ 7 V 10 v 10欧姆
BZV55-B68,115 NXP Semiconductors BZV55-B68,115 0.0200
RFQ
ECAD 19 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜200°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 500兆 llds;最小 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZV55-B68,115-954 Ear99 8541.10.0070 1 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 47.6 V 68 v 240欧姆
PMK50XP,518 NXP Semiconductors PMK50XP,518 0.1000
RFQ
ECAD 56 0.00000000 NXP半导体 Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MOSFET (金属 o化物) 8-so 下载 2(1年) 到达不受影响 2156-PMK50XP,518-954 1 P通道 20 v 7.9A(TC) 4.5V 50mohm @ 2.8a,4.5V 950mv @ 250µA 10 NC @ 4.5 V ±12V 1020 pf @ 20 V - 5W(TC)
BZX884-C33,315 NXP Semiconductors BZX884-C33,315 -
RFQ
ECAD 8749 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 SOD-882 250兆 DFN1006-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZX884-C33,315-954 1 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 23.1 V 33 V 80欧姆
BSP32,115 NXP Semiconductors BSP32,115 -
RFQ
ECAD 5232 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA BSP32 1.3 w SOT-223 下载 0000.00.0000 1 80 V 1 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,500mA 40 @ 100mA,5V 100MHz
BZX84-C24,215 NXP Semiconductors BZX84-C24,215 0.0200
RFQ
ECAD 469 0.00000000 NXP半导体 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 250兆 TO-236AB 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZX84-C24,215-954 1 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 16.8 V 24 V 70欧姆
PBSS4230T,215 NXP Semiconductors PBSS4230T,215 1.0000
RFQ
ECAD 9776 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 480兆 TO-236AB 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-PBSS4230T,215-954 Ear99 8541.21.0075 1 30 V 2 a 100NA(ICBO) NPN 320mv @ 200mA,2a 300 @ 1A,2V 230MHz
BZX79-C11,143 NXP Semiconductors BZX79-C11,143 0.0200
RFQ
ECAD 295 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 400兆 Alf2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZX79-C11,143-954 1 900 mv @ 10 ma 100 na @ 8 V 11 V 20欧姆
BZX585-B3V6,115 NXP Semiconductors BZX585-B3V6,115 0.0300
RFQ
ECAD 162 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 SC-79,SOD-523 300兆 SOD-523 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZX585-B3V6,115-954 9,366 1.1 V @ 100 mA 5 µA @ 1 V 3.6 v 90欧姆
BZV55-C6V8,135 NXP Semiconductors BZV55-C6V8,135 0.0200
RFQ
ECAD 50 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 500兆 llds;最小 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZV55-C6V8,135-954 1 900 mv @ 10 ma 2 µA @ 4 V 6.8 v 15欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库