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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX79-B20,113 | 0.0200 | ![]() | 70 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 400兆 | Alf2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX79-B20,113-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 na @ 14 V | 20 v | 55欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV20,143 | - | ![]() | 6288 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 标准 | Alf2 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-BAV20,143-954 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 NA @ 150 V | 175°c (最大) | 250mA | 5pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU10B2A,115 | - | ![]() | 1079 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | PZU10 | 320兆W | SOD-323 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 100 na @ 7 V | 10 v | 10欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-B68,115 | 0.0200 | ![]() | 19 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | llds;最小 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZV55-B68,115-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 47.6 V | 68 v | 240欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMK50XP,518 | 0.1000 | ![]() | 56 | 0.00000000 | NXP半导体 | Trenchmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-so | 下载 | 2(1年) | 到达不受影响 | 2156-PMK50XP,518-954 | 1 | P通道 | 20 v | 7.9A(TC) | 4.5V | 50mohm @ 2.8a,4.5V | 950mv @ 250µA | 10 NC @ 4.5 V | ±12V | 1020 pf @ 20 V | - | 5W(TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-C33,315 | - | ![]() | 8749 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SOD-882 | 250兆 | DFN1006-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX884-C33,315-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 23.1 V | 33 V | 80欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSP32,115 | - | ![]() | 5232 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | BSP32 | 1.3 w | SOT-223 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 80 V | 1 a | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 50mA,500mA | 40 @ 100mA,5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C24,215 | 0.0200 | ![]() | 469 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX84-C24,215-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 16.8 V | 24 V | 70欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4230T,215 | 1.0000 | ![]() | 9776 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 480兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PBSS4230T,215-954 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 V | 2 a | 100NA(ICBO) | NPN | 320mv @ 200mA,2a | 300 @ 1A,2V | 230MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C11,143 | 0.0200 | ![]() | 295 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 400兆 | Alf2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX79-C11,143-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 20欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-B3V6,115 | 0.0300 | ![]() | 162 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | 300兆 | SOD-523 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX585-B3V6,115-954 | 9,366 | 1.1 V @ 100 mA | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C6V8,135 | 0.0200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | llds;最小 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZV55-C6V8,135-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 15欧姆 |
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