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（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BYR29X-600,127	0.5100	RFQ	5	NXP半导体	-	大部分	积极的				通过洞	TO-220-2完整包			标准		TO-220F	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																									600 v		1.7 V @ 8 A	75 ns	10 µA @ 600 V	150°C （最大）	8a	-
NX7002BKW115	0.0200	RFQ	31	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载					Ear99	8541.21.0095	1
ACTT6B-800E，118	-	RFQ	1824年	NXP半导体	-	大部分	积极的			125°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ACTT6				D2PAK	下载					Ear99	8541.30.0080	1	单身的				25 ma														逻辑 -敏感门	800 v	6 a	1.5 v	51a，56a	10 MA
PZU2.4BA，115	0.0200	RFQ	17	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-55°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323				320兆W	SOD-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU2.4BA，115-954			1																													1.1 V @ 100 mA		50 µA @ 1 V								2.4 v	100欧姆
BZV55-C6V2,115	0.0200	RFQ	93	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C6V2,115-954			1																													900 mv @ 10 ma		3 µA @ 4 V								6.2 v	10欧姆
BZB84-B9V1,215	-	RFQ	6918	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				300兆	TO-236AB	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZB84-B9V1,215-954			1																													900 mv @ 10 ma		500 na @ 6 V								9.1 v	15欧姆
PSMN012-80B，118	-	RFQ	4498	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PSMN012-80BS，118-954			1			n通道						80 V	74A（TC）	10V	11mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA	43 NC @ 10 V	±20V	2782 PF @ 12 V	-	148W（TC）
PZU3.0B2,115	1.0000	RFQ	7015	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				310 MW	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU3.0B2,115-954			1																													1.1 V @ 100 mA		10 µA @ 1 V								3 V	95欧姆
MRFX600HSR5	138.9000	RFQ	9931	NXP半导体	-	大部分	积极的		179 v		表面安装	NI-780S-4L		1.8MHz〜400MHz	LDMO （双）		NI-780S-4L	-				2156-MRFX600HSR5			2	2 n通道			10µA		100 ma	600W	26.4db @ 230MHz																	-												65 v
PSMN7R0-100PS127	-	RFQ	7709	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载						0000.00.0000	1
BZB84-B18,215	-	RFQ	4081	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZB84-B18			300兆	TO-236AB	下载						0000.00.0000	1	1对公共阳极																												900 mv @ 10 ma		50 NA @ 12.6 V								18 V	45欧姆
BAV70SRAZ	-	RFQ	1579年	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的				表面安装	6-xfdfn暴露垫			标准		DFN1412-6	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BAV70SRAZ-954			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								2对普通阴极	100 v	355mA	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C
BC53-16PASX	-	RFQ	3565	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子				420兆W	DFN2020d-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC53-16PASX-954	Ear99	8541.21.0075	1																																			80 V	1 a		100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	145MHz
BZV85-C5V1,133	0.0400	RFQ	46	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C5V1,133-954			1																													1 V @ 50 mA		3 µA @ 2 V								5.1 v	10欧姆
BZX79-C5V6,133	0.0200	RFQ	325	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C5V6,133-954			1																													900 mv @ 10 ma		1 µA @ 2 V								5.6 v	40欧姆
BZV55-C10,135	0.0200	RFQ	130	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	llds;最小	下载			到达不受影响	2156-BZV55-C10,135-954			1																													900 mv @ 10 ma		200 na @ 7 V								10 v	20欧姆
PBSS4230T，215	1.0000	RFQ	9776	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				480兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS4230T，215-954	Ear99	8541.21.0075	1																																			30 V	2 a		100NA（ICBO）			NPN	320mv @ 200mA，2a	300 @ 1A，2V	230MHz
BZX84-C24,215	0.0200	RFQ	469	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-C24,215-954			1																													900 mv @ 10 ma		50 NA @ 16.8 V								24 V	70欧姆
PMV30XPEA215	-	RFQ	9535	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMV30XPEA215-954			1
PUMF12,115	0.0300	RFQ	122	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PUMF12,115-954			1
PBSS4260PANPSX	-	RFQ	1672年	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS4260PANPSX-954	Ear99	8541.21.0075	1
BZX585-B62,115	0.0300	RFQ	95	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523				300兆	SOD-523	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX585-B62,115-954			9,366																													1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 43.4 V								62 v	215欧姆
PUMH2,115	0.0300	RFQ	393	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PUMH2,115-954			1
BZX384-B22,115	-	RFQ	4745	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	BZX384			300兆	SOD-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX384-B22,115-954			1																													1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 15.4 V								22 v	55欧姆
PMEG6030ETPX	-	RFQ	2481	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	SOD-128			肖特基		SOD-128/CFP5	-				2156-PMEG6030ETPX			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																									60 V		530 mv @ 3 a	12 ns	200 µA @ 60 V	175°C	3a	360pf @ 1V，1MHz
BZX79-C11,143	0.0200	RFQ	295	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C11,143-954			1																													900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V								11 V	20欧姆
BZX585-B3V6,115	0.0300	RFQ	162	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523				300兆	SOD-523	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX585-B3V6,115-954			9,366																													1.1 V @ 100 mA		5 µA @ 1 V								3.6 v	90欧姆
PDTC144EM，315	-	RFQ	1783年	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的				表面安装	SC-101，SOT-883				250兆	DFN1006-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PDTC144EM，315-954			1																																			50 V	100 ma		1µA			npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	80 @ 5mA，5V	230 MHz	47科姆斯	47科姆斯
BZV55-C11,115	0.0200	RFQ	284	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C11,115-954			1																													900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V								11 V	20欧姆
BC857CW，115	-	RFQ	8946	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC857			200兆	SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC857CW，115-954	Ear99	8541.21.0075	1																																			45 v	100 ma		15NA（icbo）			PNP	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²