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（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BZX84J-C11,115	-	RFQ	3413	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F			550兆	SC-90	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX84J-C11,115-954			1														1.1 V @ 100 mA		100 na @ 8 V							11 V	10欧姆
PMEG4002ESFYL	0.0300	RFQ	1	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	0201（0603公制）		肖特基		DSN0603-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMEG4002ESFYL-954	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度												40 V	600 mv @ 200 ma	1.28 ns	6.5 µA @ 40 V	150°C （最大）	200mA	17pf @ 1V，1MHz
BC856W，115	0.0200	RFQ	341	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC856		200兆	SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC856W，115-954			1																				65 v	100 ma	15NA（icbo）			PNP	600mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
BC847CW，115	-	RFQ	5099	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			200兆	SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC847CW，115-954			1																				45 v	100 ma	15NA（icbo）			NPN	400mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
PMEG3002EAL315	-	RFQ	5787	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SOD-882	PMEG3002	肖特基		DFN1006-2	下载						0000.00.0000	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度												30 V	480 mv @ 200 ma		50 µA @ 30 V	150°C （最大）	200mA	25pf @ 1V，1MHz
BZX84-C33,215	0.0200	RFQ	295	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-C33,215-954			1														900 mv @ 10 ma		50 NA @ 23.1 V							33 V	80欧姆
BC52PASX	-	RFQ	7926	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC52PASX-954			1
BCV63,215	0.0800	RFQ	18	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCV63,215-954			1
NX7002AK215	-	RFQ	3044	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	-				2156-NX7002AK215			1		n通道	60 V	（190mA ta），300mA tc）	5V，10V	4.5Ohm @ 100mA，10v	2.1V @ 250µA	0.43 NC @ 4.5 V	±20V	20 pf @ 10 V	-	265MW（TA），1.33W（tc）
BCM847BV，115	-	RFQ	9326	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	BCM847		300MW	SOT-666	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCM847BV，115-954			1																				45V	100mA	15NA（icbo）			2（NPN （双）	400mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	250MHz
PDTA114EE，115	-	RFQ	9293	NXP半导体	*	大部分	过时的									-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PDTA114EE，115-954			1
BUK762R0-40C，118	-	RFQ	7294	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK762R0-40C，118-954			1		n通道	40 V	100A（TC）	10V	2mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	175 NC @ 10 V	±20V	11323 PF @ 25 V	-	333W（TC）
BC55-10PA，115	1.0000	RFQ	5909	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn			650兆	3-Huson（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC55-10PA，115-954			1																				60 V	1 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	180MHz
PMCM4401VNE/S500Z	-	RFQ	1093	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PMCM4401VNE/S500Z-954			1
PZU5.6B3,115	0.0300	RFQ	4529	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			310 MW	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU5.6B3,115-954	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 100 mA		1 µA @ 2.5 V							5.6 v	40欧姆
PMBTA14,215	0.0400	RFQ	99	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMBTA14,215-954			7,378																				30 V	500 MA	100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
BZX884-C16,315	0.0300	RFQ	18	NXP半导体	-	大部分	过时的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX884-C16,315-954	Ear99	8541.10.0070	1														900 mv @ 10 ma		50 NA @ 11.2 V							16 V	40欧姆
PMBT3906,235	0.0200	RFQ	157	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBT3906		250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMBT3906,235-954			1																				40 V	200 ma	50NA（iCBO）			PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
BZV55-C3V0,115	0.0200	RFQ	210	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载			到达不受影响	2156-BZV55-C3V0,115-954			1														900 mv @ 10 ma		10 µA @ 1 V							3 V	95欧姆
PSMN035-150B，118	-	RFQ	3385	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PSMN035-150B，118-954	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	150 v	50A（TC）	10V	35mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	79 NC @ 10 V	±20V	4720 PF @ 25 V	-	250W（TC）
PMEG2002AESFB，315	-	RFQ	2666	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载					Ear99	8541.10.0070	1
BSR41,115	0.1900	RFQ	25	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			1.35 w	SOT-89	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BSR41,115-954			1																				60 V	1 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	100MHz
BSP32,115	-	RFQ	5232	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP32		1.3 w	SOT-223	下载						0000.00.0000	1																				80 V	1 a	100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 100mA，5V	100MHz
PHP225,118	0.2100	RFQ	4	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PHP225,118-954			1
BCW89,215	0.0200	RFQ	142	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW89		250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCW89,215-954			1																				60 V	100 ma	100NA（ICBO）			PNP	150mv @ 2.5mA，50mA	120 @ 2mA，5V	150MHz
PSMN012-80B，118	-	RFQ	4498	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PSMN012-80BS，118-954			1		n通道	80 V	74A（TC）	10V	11mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA	43 NC @ 10 V	±20V	2782 PF @ 12 V	-	148W（TC）
BZX884-C4V3,315	0.0300	RFQ	16	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	-		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX884-C4V3,315-954	Ear99	8541.10.0050	1														900 mv @ 10 ma		3 µA @ 1 V							4.3 v	90欧姆
PZU7.5B2L，315	0.0300	RFQ	117	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU7.5B2L，315-954			10,764														1.1 V @ 100 mA		500 na @ 4 V							7.5 v	10欧姆
BZT52H-C5V6,115	0.0200	RFQ	84	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52		375兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-C5V6,115-954			1														900 mv @ 10 ma		1 µA @ 2 V							5.6 v	40欧姆
PQMD10147	0.0300	RFQ	13	NXP半导体	*	大部分	积极的					PQMD10				下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-PQMD10147-954			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²