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（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
PDTA114EMB，315	-	RFQ	6345	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	SC-101，SOT-883	PDTA114			250兆	DFN1006B-3	下载						0000.00.0000	1																				50 V	100 ma		1µA			pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	180 MHz	10 kohms	10 kohms
PMV130ENEAR	-	RFQ	5510	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMV130-NER-954	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					40 V	2.1a（ta）	4.5V，10V	120MOHM @ 1.5A，10V	2.5V @ 250µA	3.6 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 20 V	-	460MW（ta），5W（（（（（（（（（（（
PHPT610035PKX	-	RFQ	3836	NXP半导体	*	大部分	积极的						PHPT610035					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PHPT610035PKX-954	Ear99	8541.29.0075	1
BC848B，235	-	RFQ	4135	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载						0000.00.0000	1																				30 V	100 ma		15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	100MHz
BZV55-C3V0,115	0.0200	RFQ	210	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	llds;最小	下载			到达不受影响	2156-BZV55-C3V0,115-954			1																		900 mv @ 10 ma	10 µA @ 1 V					3 V	95欧姆
PZT4403,115	0.0900	RFQ	3	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				1.15 w	SOT-223	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZT4403,115-954			1																				40 V	600 MA		50NA（iCBO）			PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	200MHz
PQMH13147	-	RFQ	2526	NXP半导体	-	大部分	积极的											-				2156-PQMH13147			1
MRF6VP3091NR1	-	RFQ	6863	NXP半导体	-	大部分	过时的		115 v		表面安装	TO-270AB		470MHz〜1.215GHz	ldmos （双），普通来源		TO-270 WB-4	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-MRF6VP3091NR1-954			1	2 n通道		10µA	450 MA	90W	22DB											-					50 V
PHP29N08T，127	0.5400	RFQ	24	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		不适用	到达不受影响	2156-PHP29N08T，127-954			600		n通道					75 v	27a（TC）	11V	50mohm @ 14a，11V	5V @ 2mA	19 nc @ 10 V	±30V	810 pf @ 25 V	-	88W（TC）
BZV55-C3V0,135	0.0200	RFQ	50	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	llds;最小	下载			到达不受影响	2156-BZV55-C3V0,135-954			1																		900 mv @ 10 ma	10 µA @ 1 V					3 V	95欧姆
PDTC124XMB，315	0.0300	RFQ	147	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	SC-101，SOT-883	PDTC124			250兆	DFN1006B-3	下载						0000.00.0000	1																				50 V	100 ma		1µA			npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	80 @ 5A，5V	230 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
BCW89,215	0.0200	RFQ	142	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW89			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCW89,215-954			1																				60 V	100 ma		100NA（ICBO）			PNP	150mv @ 2.5mA，50mA	120 @ 2mA，5V	150MHz
PDTD123ET，215	-	RFQ	4805	NXP半导体	PDTD123E	大部分	积极的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PDTD123ET，215-954			1																				50 V	500 MA		500NA			npn-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	40 @ 50mA，5V		2.2 kohms	2.2 kohms
PMP5201Y，135	1.0000	RFQ	9027	NXP半导体	*	大部分	积极的						PMP5201					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMP5201Y，135-954	Ear99	8541.21.0095	1
BF620,115	-	RFQ	7826	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				1.1 w	SOT-89	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BF620,115-954	Ear99	8541.29.0075	1																				300 v	50 mA		10NA（ICBO）			NPN	600mv @ 5mA，30mA	50 @ 25mA，20V	60MHz
BF723,115	0.1000	RFQ	27	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				1.2 w	SOT-223	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BF723,115-954	Ear99	8541.29.0075	1																				250 v	100 ma		10NA（ICBO）			PNP	600mv @ 5mA，30mA	50 @ 25mA，20V	60MHz
A2T18H455W23NR6	162.2600	RFQ	153	NXP半导体	-	大部分	过时的		65 v		表面安装	OM-1230-4L2S		1.805GHZ〜1.88GHz	ldmos		OM-1230-4L2S	-				2156-A2T18H455W23NR6			2	n通道		10µA	1.08 a	87W	14.5db @ 1.805GHz											-					31.5 v
MRF6S20010NR1	34.2200	RFQ	500	NXP半导体	-	大部分	过时的		68 v		表面安装	TO-270-2		1.6GHz〜2.2GHz	ldmos		TO-270-2	-				2156-MRF6S20010NR1			9	n通道		10µA	130 MA	10W	15.5db @ 2.17GHz											-					28 V
MHT1004NR3	124.8400	RFQ	158	NXP半导体	-	大部分	过时的		65 v		底盘安装	OM-780-2		-	ldmos		OM-780-2	-				2156-MHT1004NR3			3	n通道		10µA	100 ma	280W	15.2db											-					32 v
BFU768F，115	0.1600	RFQ	14	NXP半导体	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	表面安装	SOT-343F				220MW	4-DFP	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BFU768F，115	Ear99	8541.21.0075	1						13.1db														2.8V	70mA					NPN		155 @ 10mA，2V	110GHz			1.1db〜1.2dB @ 5GHz〜5.9GHz
PBHV9115TLH215	0.0900	RFQ	12	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PBHV9115TLH215-954			1
BZV55-C4V7,135	0.0200	RFQ	18	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C4V7,135-954			18,104																		900 mv @ 10 ma	3 µA @ 2 V					4.7 v	80欧姆
PDTA143ZM，315	1.0000	RFQ	6664	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	SC-101，SOT-883	PDTA143			250兆	DFN1006-3	下载						0000.00.0000	1																				50 V	100 ma		1µA			pnp-预先偏见	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 10mA，5v		4.7科姆斯	47科姆斯
PDTC114ET215	0.0200	RFQ	235	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载					Ear99	8541.21.0075	1
BUK9Y11-80EX	-	RFQ	8848	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BUK9Y11-80EX-954	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					80 V	84A（TC）	5V	10mohm @ 25a，10v	2.1V @ 1mA	44.2 NC @ 5 V	±10V	6506 pf @ 25 V	-	（194W）（TC）
BCP56-16HX	-	RFQ	3505	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			175°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA					SOT-223	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCP56-16HX-954		8541.29.0075	1																				80 V	1 a		100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	100MHz
PHPT60410PYX	0.2100	RFQ	40	NXP半导体	-	大部分	积极的			175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669				1.3 w	LFPAK56，Power-SO8	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PHPT60410PYX-954	Ear99	8541.29.0095	1,550																				40 V	10 a		100NA			PNP	800mv @ 500mA，10a	240 @ 500mA，2V	97MHz
BUK663R2-40C，118	0.5000	RFQ	724	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK663R2-40C，118-954			1		n通道					40 V	100A（TC）	10V	3.2MOHM @ 25A，10V	2.8V @ 1mA	125 NC @ 10 V	±16V	8020 PF @ 25 V	-	204W（TC）
PZU6.2B2L，315	1.0000	RFQ	3739	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-55°C〜150°C	表面安装	SOD-882	PZU6.2			250兆	DFN1006-2	下载						0000.00.0000	1																		1.1 V @ 100 mA	500 na @ 3 V					6.2 v	30欧姆
BZX585-C51,115	1.0000	RFQ	8366	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523	BZX585-C51			300兆	SOD-523	下载						0000.00.0000	1																		1.1 V @ 100 mA	50 NA @ 35.7 V					51 v	180欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²