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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (amp) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 噪音图 | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电压 -测试 | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电容比 | 电容比条件 | q @ vr,f |
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![]() | MRF6VP3450HR5 | 230.3700 | ![]() | 497 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 110 v | 底盘安装 | NI-1230 | 470MHz〜860MHz | ldmos | NI-1230 | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-MRF6VP3450HR5 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 双重,共同来源 | 10µA | 1.4 a | 450W | 22.5dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK663R2-40C,118 | 0.5000 | ![]() | 724 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-BUK663R2-40C,118-954 | 1 | n通道 | 40 V | 100A(TC) | 10V | 3.2MOHM @ 25A,10V | 2.8V @ 1mA | 125 NC @ 10 V | ±16V | 8020 PF @ 25 V | - | 204W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C56,113 | 0.0200 | ![]() | 400 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 400兆 | Alf2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX79-C56,113-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 39.2 V | 56 v | 200欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C11,115 | 0.0200 | ![]() | 284 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | llds;最小 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZV55-C11,115-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 20欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40-05W,115 | 0.0300 | ![]() | 294 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | BAS40 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BAS40-05W,115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4738A,133 | 0.0400 | ![]() | 132 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-1N4738A,133-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-B62,115 | 0.0300 | ![]() | 95 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | 300兆 | SOD-523 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX585-B62,115-954 | 9,366 | 1.1 V @ 100 mA | 50 NA @ 43.4 V | 62 v | 215欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCV61A,215 | 0.0800 | ![]() | 47 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BCV61A,215-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC856AW,135 | - | ![]() | 2498 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BC856 | 200兆 | SOT-323 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 65 v | 100 ma | 15NA(icbo) | PNP | 600mv @ 5mA,100mA | 125 @ 2mA,5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C10,135 | 0.0200 | ![]() | 130 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | llds;最小 | 下载 | 到达不受影响 | 2156-BZV55-C10,135-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 200 na @ 7 V | 10 v | 20欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-A6V8,215 | 0.1000 | ![]() | 4414 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX84-A6V8,215-954 | 2,785 | 900 mv @ 10 ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 15欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C11,143 | 0.0200 | ![]() | 295 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 400兆 | Alf2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX79-C11,143-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 20欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU18B1,115 | - | ![]() | 5728 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 310 MW | SC-90 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-PZU18B1,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 50 na @ 13 V | 18 V | 20欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX10C,133 | - | ![]() | 2866 | 0.00000000 | NXP半导体 | NZX | 大部分 | 积极的 | ±2% | 175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | Alf2 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-NZX10C,133-954 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 200 na @ 7 V | 10 v | 25欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B36,143 | 0.0200 | ![]() | 123 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 400兆 | Alf2 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 25.2 V | 36 V | 90欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLM7G1822S-20PBY | 22.8800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-BLM7G1822S-20PBY-954 | 14 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4612PA,115 | 0.1000 | ![]() | 77 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 3-Powerudfn | 2.1 w | 3-Huson(2x2) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PBSS4612PA,115-954 | 1 | 12 v | 6 a | 100NA | NPN | 275mv @ 300mA,6a | 260 @ 2a,2v | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857A,215 | 0.0200 | ![]() | 69 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BC857 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BC857A,215-954 | 1 | 45 v | 100 ma | 15NA(icbo) | PNP | 650mv @ 5mA,100mA | 125 @ 2mA,5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT610035PKX | - | ![]() | 3836 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | PHPT610035 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PHPT610035PKX-954 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS5620PA,115 | - | ![]() | 1519年 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 3-Powerudfn | 2.1 w | 3-Huson(2x2) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PBSS5620PA,115-954 | 1 | 20 v | 6 a | 100NA | PNP | 350mv @ 300mA,6a | 190 @ 2a,2v | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C6V8,133 | 0.0300 | ![]() | 5093 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.3 w | do-41 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZV85-C6V8,133-954 | 3,375 | 1 V @ 50 mA | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 3.5欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C4V7,135 | 0.0200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | llds;最小 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZV55-C4V7,135-954 | 18,104 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 80欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C75,215 | 0.0200 | ![]() | 209 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX84-C75,215-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 na @ 52.5 V | 75 v | 255欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C5V1,113 | 0.0300 | ![]() | 80 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | 200°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZV85-C5V1,113-954 | 1 | 1 V @ 50 mA | 3 µA @ 2 V | 5.1 v | 10欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV49-C2V7,115 | 0.1700 | ![]() | 16 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-243AA | 1 w | SOT-89 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZV49-C2V7,115-954 | 1 | 1 V @ 50 mA | 20 µA @ 1 V | 2.7 v | 100欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C9V1,115 | - | ![]() | 8169 | 0.00000000 | NXP半导体 | BZV55 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 400兆 | llds;最小 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-BZV55-C9V1,115-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 500 na @ 6 V | 9.05 v | 15欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB156,135 | - | ![]() | 1505 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | SOD-323 | - | 2156-BB156,135 | 1 | 5.4pf @ 7.5V,1MHz | 单身的 | 10 v | 3.9 | C1/C7.5 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFX1K80H-230MHz | 1.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 179 v | 底盘安装 | SOT-979A | 1.8MHz〜400MHz | ldmos | NI-1230-4H | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 2156-MRFX1K80H-230MHz | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | 100mA | 1.5 a | 1800W | 25.1db | - | 65 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMB16,115 | 0.0400 | ![]() | 12 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PEMB16,115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C51,215 | 1.0000 | ![]() | 2995 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 300兆 | SOT-23 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 1对公共阳极 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 35.7 V | 51 v | 180欧姆 |
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