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（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BZX84J-B51,115	-	RFQ	1651年	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			550兆	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84J-B51,115-954			1														1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 35.7 V							51 v	110欧姆
PMBT4403,215	-	RFQ	5979	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMBT4403,215-954			1																				40 V	600 MA	50NA（iCBO）			PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
PSMN070-200P，127	1.1300	RFQ	8	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PSMN070-200P，127-954			1		n通道	200 v	35A（TC）	10V	70mohm @ 17a，10v	4V @ 1mA	77 NC @ 10 V	±20V	4570 pf @ 25 V	-	250W（TC）
PMBT2222A，235	-	RFQ	4493	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBT2222		250兆	TO-236AB	-		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMBT2222A，235-954	Ear99	8541.21.0075	1																				40 V	600 MA	10µA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
PMP5201V/S711115	-	RFQ	5537	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-PMP5201V/S711115-954			1
PMCM6501VPE/S500Z	0.1900	RFQ	4	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PMCM6501VPE/S500Z-954			1
BAV99/8,215	-	RFQ	9213	NXP半导体	*	大部分	积极的					BAV99				下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BAV99/8,215-954			1
ON5173118	0.7300	RFQ	3	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-ON5173118-954	Ear99	0000.00.0000	1
BUK664R4-55C，118	-	RFQ	5636	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK664R4-55C，118-954	Ear99	8541.29.0095	124		n通道	55 v	100A（TC）	5V，10V	4.9mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	124 NC @ 10 V	±16V	7750 PF @ 25 V	-	204W（TC）
BC847BPN，115	-	RFQ	4290	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载						0000.00.0000	1
PDTC123YMB，315	0.0300	RFQ	99	NXP半导体	*	大部分	积极的					PDTC123				下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTC123YMB，315-954			1
PEMH13,315	1.0000	RFQ	4656	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	PEMH13		300MW	SOT-666	下载						0000.00.0000	1																				50V	100mA	1µA			2 NPN- 预偏（双重）	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 10mA，5v	-	4.7kohms	47kohms
1N4744A，133	0.0400	RFQ	25	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-1N4744A，133-954	Ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 11.4 V							15 v	14欧姆
PBHV8115TLHR	-	RFQ	4414	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			300兆	SOT23-3（TO-236）	-				2156-PBHV8115TLHR			1																				150 v	1 a	100NA			NPN	60mv @ 10mA，100mA	70 @ 50mA，10v	30MHz
PMPB5555NEA/S500X	-	RFQ	2132	NXP半导体	-	大部分	积极的									-				2156-PMPB5555NEA/S500X			1
BUK7Y98-80E，115	-	RFQ	6769	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载			到达不受影响	2156-BUK7Y98-80E，115-954			1
BUK6211-75C，118	-	RFQ	6937	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK6211-75C，118-954	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	75 v	74a（ta）		11mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	81 NC @ 10 V	±16V	5251 PF @ 25 V	-	158W（TA）
BUK9540-100A，127	0.3300	RFQ	2	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK9540-100A，127-954			1		n通道	100 v	39A（TC）	4.5V，10V	39mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	48 NC @ 5 V	±15V	3072 PF @ 25 V	-	158W（TC）
PMXB65ENEZ	0.0900	RFQ	3	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PMXB65ENEZ-954		0000.00.0000	1
BUK7219-55A，118	0.5400	RFQ	1712	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK7219-55A，118-954			1		n通道	55 v	55A（TC）	10V	19mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	2108 PF @ 25 V	-	114W（TC）
BC54-10PASX	0.0600	RFQ	146	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子			420兆W	DFN2020d-3	下载					Ear99	8541.29.0075	1																				45 v	1 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	180MHz
BUK7225-55A，118	0.2700	RFQ	9	NXP半导体	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BUK7225-55A，118	Ear99	8541.29.0075	1		n通道	55 v	43A（ta）	10V	25mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	1310 PF @ 25 V	-	94W（ta）
2n7002bkm/v，315	-	RFQ	9930	NXP半导体	*	大部分	积极的					2N7002				下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-2N7002BKM/V，315-954			1
NZX20B，133	-	RFQ	3245	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	NZX20		500兆	Alf2	下载					Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 200 ma		50 na @ 14 V							20 v	60欧姆
BUK6E3R2-55C，127	0.9700	RFQ	4	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK6E3R2-55C，127-954			1		n通道	55 v	120A（TC）	10V	3.2MOHM @ 25A，10V	2.8V @ 1mA	258 NC @ 10 V	±16V	15300 PF @ 25 V	-	306W（TC）
PHK12NQ03LT，518	0.3000	RFQ	6	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PHK12NQ03LT，518-954			1		n通道	30 V	11.8A（TJ）	4.5V，10V	10.5mohm @ 12a，10v	2V @ 250µA	17.6 NC @ 5 V	±20V	1335 PF @ 16 V	-	2.5W（TA）
BAS16,215	-	RFQ	3763	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，BAS16	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS16	标准		TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAS16,215-954			1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												100 v	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）	215ma	1.5pf @ 0v，1MHz
PSMN018-100ESFQ	0.3700	RFQ	4	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PSMN018-100ESFQ-954			1		n通道	100 v	53A（ta）	7V，10V	18mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA	21.4 NC @ 10 V	±20V	1482 PF @ 50 V	-	111W（ta）
PZU20B2,115	0.0300	RFQ	32	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			310 MW	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU20B2,115-954	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 100 mA		50 na @ 15 V							20 v	20欧姆
BZX84-B24,215	0.0200	RFQ	255	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-B24,215-954	Ear99	8541.10.0050	1														900 mv @ 10 ma		50 NA @ 16.8 V							24 V	70欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²