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（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	电流 -最大	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
NZX20B，133	-	RFQ	3245	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	NZX20			500兆	Alf2	下载					Ear99	8541.10.0050	1																					1.5 V @ 200 ma	50 na @ 14 V										20 v	60欧姆
MW7IC930NR1	59.9800	RFQ	2	NXP半导体	-	大部分	过时的		65 v		表面安装	TO-270-16变体，平面线		920MHz〜960MHz	LDMO （双）		TO-270WB-16	-				2156-MW7IC930NR1	Ear99	8542.33.0001	6	2 n通道			10µA		285 MA	3.2W	35.9dB											-									28 V
AFT21S230SR3	192.4100	RFQ	1	NXP半导体	-	大部分	过时的		65 v		表面安装	NI-780S-6		2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos		NI-780S-6	-				2156-AFT21S230SR3			2	n通道			-		1.5 a	50W	16.7db @ 2.11GHz											-									28 V
RD6.2FM（01）-T1-AZ	-	RFQ	3520	NXP半导体	-	大部分	过时的	±6.45％		150°C（TJ）	表面安装	do-214ac，SMA				1 w	2-power迷你模具	-				2156-RD6.2FM（01）-t1-az			1																						20 µA @ 3 V										6.2 v	40欧姆
MW7IC930GNR1	-	RFQ	3875	NXP半导体	-	大部分	过时的		65 v		表面安装	TO-270-16变体，鸥翼		920MHz〜960MHz	LDMO （双）		TO-270 WBL-16海鸥	-				2156-MW7IC930GNR1			1	2 n通道			10µA		285 MA	3.2W	35.9dB											-									28 V
MRF6V2150NBR1	59.8400	RFQ	164	NXP半导体	-	大部分	过时的		110 v		底盘安装	TO-272BB		450MHz	ldmos		TO-272 WB-4	-				2156-MRF6V2150NBR1	Ear99	8541.21.0075	6	n通道			-		450 MA	150W	25DB											-									50 V
PQMH9Z	0.0300	RFQ	8934	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的				表面安装	6-xfdfn暴露垫				230MW	DFN1010B-6	-				2156-PQMH9Z			2,592																										50V	100mA				1µA				2 NPN-预先偏见	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 5mA，5V	230MHz	10KOHMS	47kohms
BAP65LX，315	0.0800	RFQ	4	NXP半导体	-	大部分	过时的			-65°C 〜150°C（TJ）		SOD-882					-	-				2156-BAP65LX，315			4,929					100 ma													135兆							0.37pf @ 20V，1MHz				PIN-单	30V				350MOHM @ 100mA，100MHz
AFV10700H5	537.6400	RFQ	27	NXP半导体	-	大部分	积极的		105 v		底盘安装	NI-780-4		960MHz〜1.215GHz	LDMO （双）		NI-780-4	-				2156-AFV10700HR5			1	2 n通道			1µA		100 ma	700W	19.2db @ 1.03GHz											-									52 v
PMEG2005EAL，315	0.0400	RFQ	1	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	SOD-882			肖特基		DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMEG2005AEL，315-954			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		20 v	440 mv @ 500 mA	1.5 ma @ 20 V	150°C （最大）	500mA	25pf @ 1V，1MHz
BZV55-B10,115	0.0200	RFQ	351	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-B10,115-954			1																					900 mv @ 10 ma	200 na @ 7 V										10 v	20欧姆
BUK9675-100A，118	-	RFQ	6750	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BUK9675-100A，118-954			1			n通道						100 v	23A（TC）	5V，10V	72MOHM @ 10a，10v	2V @ 1mA		±15V	1704 PF @ 25 V	-	99W（TC）
BUK6213-30C，118	0.2400	RFQ	17	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK6213-30C，118-954			1			n通道						30 V	47A（TC）	10V	14mohm @ 10a，10v	2.8V @ 1mA	19.5 NC @ 10 V	±16V	1108 PF @ 25 V	-	60W（TC）
PDZ2.7B，115	-	RFQ	2481	NXP半导体	PDZ-B	大部分	积极的	±2％		150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323				400兆	SOD-323	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PDZ2.7B，115-954			1																					1.1 V @ 100 mA	20 µA @ 1 V										2.7 v	100欧姆
BZT52H-C30,115	0.0200	RFQ	157	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52			375兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-C30,115-954			1																					900 mv @ 10 ma	50 NA @ 21 V										30 V	40欧姆
BUK7E3R1-40E，127	0.7500	RFQ	1	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK7E3R1-40E，127-954			1			n通道						40 V	100A（TC）	10V	3.1MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	79 NC @ 10 V	±20V	6200 PF @ 25 V	-	234W（TC）
PBHV8115TLH215	0.0900	RFQ	4	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-PBHV8115TLH215-954			4,000
BUK7C10-75AITE，118	1.4100	RFQ	5	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK7C10-75AITE，118-954			1			n通道						75 v	75A（TC）	10V	10mohm @ 50a，10v	4V @ 1mA	121 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 25 V	电流感应	272W（TC）
BZX585-C2V7,135	0.0300	RFQ	29	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523				300兆	SOD-523	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BZX585-C2V7,135-954			10,764																					1.1 V @ 100 mA	20 µA @ 1 V										2.7 v	100欧姆
PHK12NQ03LT，518	0.3000	RFQ	6	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PHK12NQ03LT，518-954			1			n通道						30 V	11.8A（TJ）	4.5V，10V	10.5mohm @ 12a，10v	2V @ 250µA	17.6 NC @ 5 V	±20V	1335 PF @ 16 V	-	2.5W（TA）
BZT52H-C6V2,115	0.0200	RFQ	41	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52			375兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-C6V2,115-954			1																					900 mv @ 10 ma	3 µA @ 4 V										6.2 v	10欧姆
BUK7E5R2-100E，127	1.1100	RFQ	473	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK7E5R2-100E，127-954		0000.00.0000	1			n通道						100 v	120A（TC）	10V	5.2MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	180 NC @ 10 V	±20V	11810 PF @ 25 V	-	349W（TC）
BZX585-C9V1,115	0.0300	RFQ	341	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523				300兆	SOD-523	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX585-C9V1,115-954			9,947																					1.1 V @ 100 mA	500 na @ 6 V										9.1 v	10欧姆
PDTA143XT，215	0.0200	RFQ	547	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTA143XT，215-954			1
BAT54L，315	0.0300	RFQ	21	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	SOD-882	BAT54		肖特基		DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAT54L，315-954	Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																		30 V	800 mv @ 100 ma	2 µA @ 25 V	150°C （最大）	200mA	10pf @ 1V，1MHz
1N4749A，133	0.0400	RFQ	57	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-1N4749A，133-954			1																					1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 18.2 V										24 V	25欧姆
PEMB17,115	0.0400	RFQ	12	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PEMB17,115-954	Ear99	8541.21.0095	1
BZX84-C51,215	0.0200	RFQ	261	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-C51,215-954			1																					900 mv @ 10 ma	50 NA @ 35.7 V										51 v	180欧姆
PBSS5160QAZ	-	RFQ	6848	NXP半导体	-	大部分	过时的			150°C（TJ）	表面安装	3-XDFN暴露垫				325兆	DFN1010D-3	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PBSS5160QAZ	Ear99	8541.29.0075	1																										60 V	1 a				100NA				PNP	460mv @ 50mA，1a	160 @ 100mA，2V	150MHz
PMN70XPE，115	0.0600	RFQ	47	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PMN70XPE，115-954			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²