RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BZX79-C13,113	0.0200	RFQ	205	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C13,113-954			1													900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V							13 V	30欧姆
BZB84-C2V4,215	-	RFQ	2536	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZB84-C2V4		300兆	TO-236AB	下载						0000.00.0000	1	1对公共阳极												900 mv @ 10 ma		50 µA @ 1 V							2.4 v	100欧姆
BZX79-C43,113	0.0200	RFQ	214	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C43,113-954	Ear99	8541.10.0050	1													900 mv @ 10 ma		50 NA @ 700 mV							43 V	150欧姆
BC847CMB，315	-	RFQ	4081	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	BC847		250兆	DFN1006B-3	-						0000.00.0000	1																			45 v	100 ma	15NA（icbo）			NPN	200mv @ 500µA，10mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
NX3008NBKSH	-	RFQ	3171	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		MOSFET （金属 o化物）	280MW（TA），990MW（（TC）	6-TSSOP	-				2156-NX3008NBKSH			1	2 n通道		30V	350mA（ta）	1.4OHM @ 350mA，4.5V	1.1V @ 250µA	0.68nc @ 4.5V	50pf @ 15V	标准
BAS40-04,235	0.0200	RFQ	1041	NXP半导体	*	大部分	积极的					BAS40				-		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAS40-04,235-954			10,000
BAS70-07V，115	-	RFQ	9923	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	BAS70	肖特基		SOT-666	下载						0000.00.0000	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度								2独立	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 ma		10 µA @ 70 V	150°C （最大）
BZV85-C13,133	0.0300	RFQ	123	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C13,133-954			1													1 V @ 50 mA		200 NA @ 9.1 V							13 V	10欧姆
PZU4.7B，115	0.0300	RFQ	14	NXP半导体	-	大部分	过时的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F			310 MW	SOD-323F	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PZU4.7B，115-954	Ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 100 mA		2 µA @ 1 V							4.66 v	80欧姆
PMEG2010EPASX	0.0900	RFQ	27	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	3-udfn裸露的垫子		肖特基		DFN2020d-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMEG2010EPASX-954	Ear99	8541.10.0080	3,699		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）									20 v		375 mv @ 1 A	50 ns	335 µA @ 20 V	150°C （最大）	1a	175pf @ 1V，1MHz
BAV99W，115	-	RFQ	2469	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，BAV99	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	BAV99	标准		SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAV99W，115-954			1		小信号= <200ma（io（io），任何速度								1对系列连接	100 v	150mA（DC）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）
BAV170,215	-	RFQ	7248	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAV170,215-954			1
PH9130AL115	0.2500	RFQ	153	NXP半导体	*	大部分	积极的					PH9130				下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PH9130AL115-954			1
BZX884-B27315	0.0300	RFQ	479	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载					Ear99	8541.10.0050	1
BC68-25PASX	0.0700	RFQ	85	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子			420兆W	DFN2020d-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC68-25PASX-954	Ear99	8541.21.0075	1																			20 v	2 a	100NA（ICBO）			NPN	600mv @ 200mA，2a	85 @ 500mA，1V	170MHz
BZX384-B4V7,115	-	RFQ	3698	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	BZX384		300兆	SOD-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX384-B4V7,115-954			1													1.1 V @ 100 mA		3 µA @ 2 V							4.7 v	80欧姆
BAS28,215	0.0300	RFQ	799	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BAS28	标准		SOT-143B	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAS28,215-954			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）								2独立	75 v	215ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C （最大）
1N4738A，133	0.0400	RFQ	132	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-1N4738A，133-954	Ear99	8541.10.0050	1
BAS40-07V，115	0.0600	RFQ	842	NXP半导体	*	大部分	积极的					BAS40				下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAS40-07V，115-954			5,293
BZX84-C33,215	0.0200	RFQ	295	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-C33,215-954			1													900 mv @ 10 ma		50 NA @ 23.1 V							33 V	80欧姆
BC856W，115	0.0200	RFQ	341	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC856		200兆	SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC856W，115-954			1																			65 v	100 ma	15NA（icbo）			PNP	600mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
PHPT610035NKX	1.0000	RFQ	5556	NXP半导体	*	大部分	积极的					PHPT610035				下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PHPT610035NKX-954	Ear99	8541.29.0075	1
BC857BQAZ	0.0300	RFQ	85	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-xdfn暴露垫	BC857		280兆	DFN1010D-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC857BQAZ-954	Ear99	8541.21.0075	1																			45 v	100 ma	15NA（icbo）			PNP	400mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
BZX884-C13,315	-	RFQ	7950	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882	BZX884-C13		250兆	DFN1006-2	下载						0000.00.0000	1													900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V							13 V	10欧姆
PMPB55XNEA，115	-	RFQ	2259	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PMPB55XNEA，115-954			1
BZV55-C56,115	0.0200	RFQ	37	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C56,115-954	Ear99	8541.10.0050	1													900 mv @ 10 ma		50 NA @ 39.2 V							56 v	200欧姆
BZV85-C22,133	0.0300	RFQ	60	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C22,133-954			1													1 V @ 50 mA		50 NA @ 15.5 V							22 v	25欧姆
BAV99/8,235	-	RFQ	5453	NXP半导体	*	大部分	积极的					BAV99				下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BAV99/8,235-954			1
BZV90-C6V2,115	0.1600	RFQ	4	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			1.5 w	SOT-223	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV90-C6V2,115-954			1													1 V @ 50 mA		3 µA @ 4 V							6.2 v	10欧姆
PDTA123JQAZ	-	RFQ	6946	NXP半导体	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PDTA123JQAZ-954			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²