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（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（ih）（IH））	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	SCR，二极管的数量	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
PZU3.0B2,115	1.0000	RFQ	7015	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			310 MW		SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU3.0B2,115-954			1												1.1 V @ 100 mA		10 µA @ 1 V						3 V	95欧姆
PSMN7R0-100PS127	-	RFQ	7709	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载						0000.00.0000	1
BAV70SRAZ	-	RFQ	1579年	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	6-xfdfn暴露垫		标准			DFN1412-6	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BAV70SRAZ-954			1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）								2对普通阴极	100 v	355mA	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C
BZX79-C5V6,133	0.0200	RFQ	325	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆		Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C5V6,133-954			1												900 mv @ 10 ma		1 µA @ 2 V						5.6 v	40欧姆
BAS40-05W，115	0.0300	RFQ	294	NXP半导体	*	大部分	积极的					BAS40					-		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAS40-05W，115-954			1
PDTB114ETR	0.0300	RFQ	7334	NXP半导体	-	大部分	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTB114		320兆W		TO-236AB	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PDTB114ETR	Ear99	8541.21.0075	6,000																	50 V	500 MA	500NA			pnp-预先偏见	100mV @ 2.5mA，50mA	70 @ 50mA，5V	140 MHz	10 kohms	10 kohms
PUMF12,115	0.0300	RFQ	122	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PUMF12,115-954			1
BZX79-C11,143	0.0200	RFQ	295	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆		Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C11,143-954			1												900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V						11 V	20欧姆
BZX84-A6V8,215	0.1000	RFQ	4414	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±1％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆		TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-A6V8,215-954			2,785												900 mv @ 10 ma		2 µA @ 4 V						6.8 v	15欧姆
PZU18B1,115	-	RFQ	5728	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％	150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F			310 MW		SC-90	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PZU18B1,115-954			1												1.1 V @ 100 mA		50 na @ 13 V						18 V	20欧姆
BZX79-B36,143	0.0200	RFQ	123	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆		Alf2	下载					Ear99	8541.10.0050	1												900 mv @ 10 ma		50 NA @ 25.2 V						36 V	90欧姆
NZX10C，133	-	RFQ	2866	NXP半导体	NZX	大部分	积极的	±2％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆		Alf2	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-NZX10C，133-954			1												1.5 V @ 200 ma		200 na @ 7 V						10 v	25欧姆
BC857A，215	0.0200	RFQ	69	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC857		250兆		TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC857A，215-954			1																	45 v	100 ma	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
BLM7G1822S-20PBY	22.8800	RFQ	1	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BLM7G1822S-20PBY-954			14
PBSS4612PA，115	0.1000	RFQ	77	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn			2.1 w		3-Huson（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS4612PA，115-954			1																	12 v	6 a	100NA			NPN	275mv @ 300mA，6a	260 @ 2a，2v	80MHz
PBSS5620PA，115	-	RFQ	1519年	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn			2.1 w		3-Huson（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS5620PA，115-954			1																	20 v	6 a	100NA			PNP	350mv @ 300mA，6a	190 @ 2a，2v	80MHz
PHPT610035PKX	-	RFQ	3836	NXP半导体	*	大部分	积极的					PHPT610035					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PHPT610035PKX-954	Ear99	8541.29.0075	1
BZX84-C75,215	0.0200	RFQ	209	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆		TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-C75,215-954			1												900 mv @ 10 ma		50 na @ 52.5 V						75 v	255欧姆
BZV85-C5V1,113	0.0300	RFQ	80	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w		do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C5V1,113-954			1												1 V @ 50 mA		3 µA @ 2 V						5.1 v	10欧姆
BZV85-C6V8,133	0.0300	RFQ	5093	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w		do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C6V8,133-954			3,375												1 V @ 50 mA		2 µA @ 4 V						6.8 v	3.5欧姆
PBSS4260PANPSX	-	RFQ	1672年	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS4260PANPSX-954	Ear99	8541.21.0075	1
BZV55-C4V7,135	0.0200	RFQ	18	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆		llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C4V7,135-954			18,104												900 mv @ 10 ma		3 µA @ 2 V						4.7 v	80欧姆
BZX585-B62,115	0.0300	RFQ	95	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523			300兆		SOD-523	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX585-B62,115-954			9,366												1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 43.4 V						62 v	215欧姆
1N4738A，133	0.0400	RFQ	132	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-1N4738A，133-954	Ear99	8541.10.0050	1
TD780N18KOFHPSA1	377.9300	RFQ	2	NXP半导体	-	大部分	积极的		135°C（TJ）	底盘安装	模块				系列连接 -scr		-				2156-TD780N18KOFHPSA1			1		300 MA	1.8 kV	1050 a	2 v	23500a	250 MA	775 a								2 scr
BZX79-B2V7,143	0.0200	RFQ	80	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆		Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B2V7,143-954			1												900 mv @ 10 ma		20 µA @ 1 V						2.7 v	100欧姆
BZX79-C10,113	0.0200	RFQ	345	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆		Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C10,113-954			1												900 mv @ 10 ma		200 na @ 7 V						10 v	20欧姆
PDTA114TM315	0.0200	RFQ	450	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8542.21.0095	15,000
pzu3.0b1,115	0.0300	RFQ	13	NXP半导体	-	大部分	过时的	±2％	150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F			310 MW		SOD-323F	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PZU3.0B1,115-954	Ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 100 mA		10 µA @ 1 V						3 V	95欧姆
PMBT4403YSX	0.0300	RFQ	300	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆		TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMBT4403YSX-954	Ear99	8541.21.0075	10,414																	40 V	600 MA	50NA（iCBO）			PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 10mA，1V	200MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²