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（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电容比	电容比条件	q @ vr，f
MRF6VP11KGSR5	271.3200	RFQ	2	NXP半导体	-	大部分	过时的		110 v		表面安装	NI-1230-4S GW		1.8MHz〜150MHz	LDMO （双）			NI-1230-4S海鸥	-				2156-MRF6VP11KGSR5			2	2 n通道		100µA		150 ma	1000W	26dB @ 130MHz																	-							50 V
BB208-03,135	-	RFQ	1101	NXP半导体	-	大部分	过时的			-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323						SOD-323	-				2156-BB208-03,135			1																											5.4pf @ 7.5V，1MHz					单身的	10 v								5.2	C1/C7.5	-
TD780N18KOFHPSA1	377.9300	RFQ	2	NXP半导体	-	大部分	积极的			135°C（TJ）	底盘安装	模块					系列连接 -scr		-				2156-TD780N18KOFHPSA1			1				300 MA														1.8 kV	1050 a	2 v	23500a	250 MA	775 a					2 scr
PMXB75UPE/S500Z	-	RFQ	4745	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XDFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）			DFN1010D-3	-				2156-PMXB75UPE/S500Z			1		P通道						20 v	2.9a（ta）	1.2V，4.5V	85mohm @ 2.9a，4.5V	1V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±8V	608 pf @ 10 V	-	317MW（TA），8.33W（tc）
BB156,135	-	RFQ	1505	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323						SOD-323	-				2156-BB156,135			1																											5.4pf @ 7.5V，1MHz					单身的	10 v								3.9	C1/C7.5	-
PZU18B1,115	-	RFQ	5728	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F				310 MW		SC-90	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PZU18B1,115-954			1																									1.1 V @ 100 mA	50 na @ 13 V									18 V	20欧姆
BZX84-B20,215	-	RFQ	1267	NXP半导体	BZX84	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆		TO-236AB	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX84-B20,215-954			1																									900 mv @ 10 ma	50 na @ 14 V									20 v	55欧姆
BZX84J-C11,115	-	RFQ	3413	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％		150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F				550兆		SC-90	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX84J-C11,115-954			1																									1.1 V @ 100 mA	100 na @ 8 V									11 V	10欧姆
BZT52-C33X	-	RFQ	9569	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，BZT52	大部分	积极的	±6.06％		150°C（TJ）	表面安装	SOD-123				350兆		SOD-123	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZT52-C33X-954			1																									900 mv @ 10 ma	50 NA @ 23.1 V									33 V	40欧姆
PDTA114EE，115	-	RFQ	9293	NXP半导体	*	大部分	过时的												-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PDTA114EE，115-954			1
BZT52H-C3V6,115	-	RFQ	5971	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52			375兆		SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-C3V6,115-954			1																									900 mv @ 10 ma	5 µA @ 1 V									3.6 v	95欧姆
BZV49-C3V0,115	0.1700	RFQ	5	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-243AA				1 w		SOT-89	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV49-C3V0,115-954	Ear99	8541.10.0050	1																									1 V @ 50 mA	10 µA @ 1 V									3 V	95欧姆
MMBZ5263BLT1G	-	RFQ	9111	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				225兆		SOT-23-3（TO-236）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-MMBZ5263BLT1G-954			1																									900 mv @ 10 ma	100 na @ 43 V									56 v	150欧姆
BC856AW，135	-	RFQ	2498	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC856			200兆		SOT-323	下载						0000.00.0000	1																													65 v	100 ma				15NA（icbo）			PNP	600mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
PBSS304PZ，135	0.1900	RFQ	38	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				2 w		SOT-223	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS304PZ，135-954	Ear99	8541.21.0095	1																													60 V	4.5 a				100NA（ICBO）			PNP	375MV @ 225mA，4.5a	150 @ 2a，2v	130MHz
PSMN3R5-80PS，127	-	RFQ	5319	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载						0000.00.0000	1		n通道						80 V	120A（TC）	10V	3.5mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	139 NC @ 10 V	±20V	9961 PF @ 40 V	-	338W（TC）
NXP3875Y，215	-	RFQ	6198	NXP半导体	*	大部分	积极的												下载						0000.00.0000	1
BZT52H-C62,115	0.0200	RFQ	165	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52			375兆		SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-C62,115-954			1																									900 mv @ 10 ma	50 NA @ 43.4 V									62 v	140欧姆
tyn16x-600rt，127	-	RFQ	4757	NXP半导体	*	大部分	积极的						Tyn16						下载		不适用	到达不受影响	2156-TYN16X-600RT，127-954	Ear99	8541.30.0080	1
BZB784-C5V6,115	-	RFQ	5706	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-	表面安装	SC-70，SOT-323				350兆		SOT-323	下载						0000.00.0000	1	1对公共阳极																								900 mv @ 10 ma	1 µA @ 2 V									5.6 v	40欧姆
BZX884-C16,315	0.0300	RFQ	18	NXP半导体	-	大部分	过时的	±5％		150°C（TJ）	表面安装	SOD-882				250兆		DFN1006-2	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX884-C16,315-954	Ear99	8541.10.0070	1																									900 mv @ 10 ma	50 NA @ 11.2 V									16 V	40欧姆
BZX79-C62,113	0.0200	RFQ	429	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆		Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C62,113-954			1																									900 mv @ 10 ma	50 NA @ 43.4 V									62 v	215欧姆
PZU9.1B2L，315	0.0300	RFQ	31	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-55°C〜150°C	表面安装	SOD-882				250兆		DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU9.1B2L，315-954			10,764																									1.1 V @ 100 mA	500 na @ 6 V									9.1 v	10欧姆
BZX84-B4V3,215	0.0200	RFQ	51	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆		TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-B4V3,215-954			1																									900 mv @ 10 ma	3 µA @ 1 V									4.3 v	90欧姆
PHPT60606PYX	-	RFQ	3851	NXP半导体	-	大部分	积极的			175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669				1.35 w		LFPAK56，Power-SO8	-		供应商不确定	供应商不确定	2156-PHPT60606PYX-954			1																													60 V	6 a				100NA			PNP	525mv @ 600mA，6a	120 @ 500mA，2V	110MHz
2PD2150,115	0.0800	RFQ	8	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				2 w		SOT-89	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-2PD2150,115-954	Ear99	8541.29.0075	1																													20 v	3 a				100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，2a	180 @ 100mA，2V	220MHz
BZV85-C5V6,113	0.0400	RFQ	568	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w		do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C5V6,113-954			1																									1 V @ 50 mA	2 µA @ 2 V									5.6 v	7欧姆
BSR41,115	0.1900	RFQ	25	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				1.35 w		SOT-89	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BSR41,115-954			1																													60 V	1 a				100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	100MHz
BZX384-C27,115	0.0200	RFQ	23	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	BZX384			300兆		SOD-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX384-C27,115-954	Ear99	8541.10.0050	1																									1.1 V @ 100 mA	50 na @ 18.9 V									27 V	80欧姆
BZX84-B12,215	0.0200	RFQ	105	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆		TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-B12,215-954			1																									900 mv @ 10 ma	100 na @ 8 V									12 v	25欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²