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（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BZB84-C51,215	1.0000	RFQ	2995	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			300兆	SOT-23	下载					0000.00.0000	1	1对公共阳极												900 mv @ 10 ma	50 NA @ 35.7 V				51 v	180欧姆
BC856BMYL	0.0200	RFQ	15	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	BC856		250兆	SOT-883	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC856BMYL-954	Ear99	8541.21.0075	15,560															60 V	100 ma	15NA（icbo）			PNP	200mv @ 500µA，10mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
PSMN035-150B，118	-	RFQ	3385	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	供应商不确定	到达不受影响	2156-PSMN035-150B，118-954	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	150 v	50A（TC）	10V	35mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	79 NC @ 10 V	±20V	4720 PF @ 25 V	-	250W（TC）
PBHV8115T，215	0.0900	RFQ	1	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			300兆	TO-236AB	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBHV8115T，215-954			1															150 v	1 a	100NA			NPN	350mv @ 200mA，1a	50 @ 500mA，10V	30MHz
BC857BW/ZL115	0.0200	RFQ	114	NXP半导体	*	大部分	积极的					BC857				下载	供应商不确定	到达不受影响	2156-BC857BW/ZL115-954			1
BCV63,215	0.0800	RFQ	18	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCV63,215-954			1
BAT17,215	0.0700	RFQ	32	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAT17,215-954		0000.00.0000	1
PDTA143XU，115	0.0200	RFQ	742	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTA143XU，115-954			1
PDTC114TT，215	0.0200	RFQ	570	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		到达不受影响	2156-PDTC114TT，215-954			1
BZV85-C47,113	0.0300	RFQ	109	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C47,113-954			1													1 V @ 50 mA	50 NA @ 33 V				47 V	100欧姆
BZX79-C47,143	0.0200	RFQ	175	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C47,143-954			1													900 mv @ 10 ma	50 NA @ 700 mV				47 V	170欧姆
PBSS5620PA，115	-	RFQ	1519年	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn			2.1 w	3-Huson（2x2）	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS5620PA，115-954			1															20 v	6 a	100NA			PNP	350mv @ 300mA，6a	190 @ 2a，2v	80MHz
BZT52H-C5V6,115	0.0200	RFQ	84	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52		375兆	SOD-123F	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-C5V6,115-954			1													900 mv @ 10 ma	1 µA @ 2 V				5.6 v	40欧姆
BZT52H-C2V4,115	0.0200	RFQ	147	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52		375兆	SOD-123F	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-C2V4,115-954			1													900 mv @ 10 ma	50 µA @ 1 V				2.4 v	85欧姆
BZV55-C10,115	0.0200	RFQ	469	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		到达不受影响	2156-BZV55-C10,115-954	Ear99	8541.10.0070	1													900 mv @ 10 ma	200 na @ 7 V				10 v	20欧姆
BZV85-C20,113	0.0300	RFQ	113	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C20,113-954			1													1 V @ 50 mA	50 na @ 14 V				20 v	24欧姆
PMZ1000UN，315	0.0500	RFQ	10	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMZ1000UN，315-954			1
PZU24B2L，315	0.0300	RFQ	30	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU24B2L，315-954			10,764													1.1 V @ 100 mA	50 na @ 19 V				24 V	30欧姆
CLF1G0035-200P	-	RFQ	2878	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载	供应商不确定	到达不受影响	2156-CLF1G0035-200P-954	Ear99	8541.29.0095	1
PSMN4R3-80PS，127	1.4600	RFQ	4	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	不适用	到达不受影响	2156-PSMN4R3-80PS，127-954			207		n通道	80 V	120A（TC）	10V	4.3mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	111 NC @ 10 V	±20V	8161 PF @ 40 V	-	306W（TC）
BZX79-C10,113	0.0200	RFQ	345	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C10,113-954			1													900 mv @ 10 ma	200 na @ 7 V				10 v	20欧姆
PZU3.9B2A，115	0.0200	RFQ	76	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323			320兆W	SOD-323	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU3.9B2A，115-954			1													1.1 V @ 100 mA	3 µA @ 1 V				3.9 v	90欧姆
PQMD10147	0.0300	RFQ	13	NXP半导体	*	大部分	积极的					PQMD10				下载	供应商不确定	供应商不确定	2156-PQMD10147-954			1
BCV61A，215	0.0800	RFQ	47	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCV61A，215-954			1
BZV85-C36,113	0.0300	RFQ	152	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C36,113-954			1													1 V @ 50 mA	50 na @ 25 V				36 V	50欧姆
BC847CW，115	-	RFQ	5099	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			200兆	SOT-323	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC847CW，115-954			1															45 v	100 ma	15NA（icbo）			NPN	400mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
BSV52,215	0.0500	RFQ	37	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BSV52,215-954			1															12 v	100 ma	400NA（ICBO）			NPN	400mv @ 5mA，50mA	40 @ 10mA，1V	500MHz
PMBT2907A，215	0.0200	RFQ	1	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBT2907		250兆	TO-236AB	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMBT2907A，215-954			1															60 V	600 MA	10NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
PEMB16,115	0.0400	RFQ	12	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PEMB16,115-954			1
BZX84-A6V8,215	0.1000	RFQ	4414	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±1％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-A6V8,215-954			2,785													900 mv @ 10 ma	2 µA @ 4 V				6.8 v	15欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²