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（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	电压连接到电流 -反向泄漏 @ @ vr	当前耦合到电压 -向前（ -vf）（最大） @如果
2PB709BSL，215	0.0300	RFQ	416	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆		TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-2PB709BSL，215-954			1																																				50 V	200 ma		10NA（ICBO）			PNP	250mv @ 10mA，100mA	210 @ 2mA，10v	200MHz
BCX54,115	0.0700	RFQ	132	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				1.25 w		SOT-89	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCX54,115-954			1																																				45 v	1 a		100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	180MHz
AFT09MP055NR1	21.6700	RFQ	351	NXP半导体	-	大部分	积极的		40 V		表面安装	TO-270AB		764MHz〜941MHz	LDMO （双）			TO-270 WB-4	-				2156-AFT09MP055NR1			14	2 n通道			-		550 MA	57W	15.7dB @ 870MHz																	-													12.5 v
PZU3.0B2A，115	-	RFQ	1522	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323				320兆W		SOD-323	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PZU3.0B2A，115-954			1																													1.1 V @ 100 mA		10 µA @ 1 V									3 V	95欧姆
TDZ5V6J/ZL，135	0.0300	RFQ	1	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，TDZXJ	大部分	积极的	±2％		-55°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	TDZ5V6			500兆		SOD-323F	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-TDZ5V6J/ZL，135-954			1																													1.1 V @ 100 mA		10 µA @ 2.5 V									5.6 v	40欧姆
PEMH18,115	-	RFQ	1354	NXP半导体	*	大部分	积极的												下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PEMH18,115-954			1
PDTA123EU，115	1.0000	RFQ	7226	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	SC-70，SOT-323	PDTA123			200兆		SOT-323	下载						0000.00.0000	1																																				50 V	100 ma		1µA			pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 20mA，5V		2.2 kohms	2.2 kohms
TD570N18KOFHPSA1	313.8000	RFQ	2	NXP半导体	-	大部分	积极的			125°C（TJ）	底盘安装	模块					系列连接 -scr		-				2156-TD570N18KOFHPSA1			2					300 MA														1.8 kV	1050 a	2 v	20000a	250 MA	566 a											2 scr
BYV29F-600,127	0.3700	RFQ	51	NXP半导体	-	大部分	积极的				通过洞	TO-220-2			标准			TO-220AC	下载					Ear99	8541.10.0080	802		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																									600 v		1.9 V @ 8 A	35 ns	50 µA @ 600 V	150°C （最大）	9a	-
BZV85-C16,113	0.0300	RFQ	28	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w		do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C16,113-954			1																													1 V @ 50 mA		50 na @ 11 V									16 V	15欧姆
PDTC123EU，115	-	RFQ	4024	NXP半导体	PDTC123E	大部分	积极的				表面安装	SC-70，SOT-323				200兆		SC-70	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PDTC123EU，115-954			1																																				50 V	100 ma		1µA			npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 20mA，5v		2.2 kohms	2.2 kohms
BZX79-B27,143	0.0200	RFQ	40	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆		Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B27,143-954			1																													900 mv @ 10 ma		50 na @ 18.9 V									27 V	80欧姆
BUK7508-55A，127	0.9300	RFQ	10	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK7508-55A，127-954	Ear99	0000.00.0000	1			n通道						55 v	75a（ta）		8mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	76 NC @ 0 V	±20V	4352 PF @ 25 V	-	254W（TA）
BAS70-04W，115	-	RFQ	9472	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	SC-70，SOT-323			肖特基			SC-70	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BAS70-04W，115-954			1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																								1对系列连接	70 v	70mA	1 V @ 15 ma		10 µA @ 70 V	150°C
BZX585-B75,115	-	RFQ	1700	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523	BZX585-B75			300兆		SOD-523	下载						0000.00.0000	1																													1.1 V @ 100 mA		50 na @ 52.5 V									75 v	255欧姆
NZX18A，133	0.0200	RFQ	37	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆		Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NZX18A，133-954			1																													1.5 V @ 200 ma		50 NA @ 12.6 V									18 V	55欧姆
BZX79-B7V5,143	-	RFQ	2731	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆		Alf2	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX79-B7V5,143-954			1																													900 mv @ 10 ma		1 µA @ 5 V									7.5 v	15欧姆
BUK6C3R3-75C，118	1.5900	RFQ	480	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK-7	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BUK6C3R3-75C，118-954	Ear99	8541.29.0095	1			n通道						75 v	181a（TC）	10V	3.4mohm @ 90A，10V	2.8V @ 1mA	253 NC @ 10 V	±16V	15800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BZX84-C2V4,215	0.0200	RFQ	4	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆		TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-C2V4,215-954			1																													900 mv @ 10 ma		50 µA @ 1 V									2.4 v	100欧姆
NZH16C，115	0.0200	RFQ	204	NXP半导体	-	大部分	积极的	±3％		-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123F				500兆		SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NZH16C，115-954			1																													900 mv @ 10 ma		40 na @ 12 V									16 V	18欧姆
PDTA113ET，215	-	RFQ	8996	NXP半导体	*	大部分	积极的												-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PDTA113ET，215-954			1
PMEG2002AESFB，315	-	RFQ	2666	NXP半导体	*	大部分	积极的												下载					Ear99	8541.10.0070	1
BZX79-B36,143	0.0200	RFQ	123	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆		Alf2	下载					Ear99	8541.10.0050	1																													900 mv @ 10 ma		50 NA @ 25.2 V									36 V	90欧姆
PUMB15,115	-	RFQ	7596	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	PUMB15			300MW		6-TSSOP	下载						0000.00.0000	1																																				50V	100mA		1µA			2 PNP-）	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 10mA，5V	-	4.7kohms	4.7kohms
PDTC115EM，315	1.0000	RFQ	9747	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	SC-101，SOT-883	PDTC115			250兆		DFN1006-3	下载						0000.00.0000	1																																				50 V	20 ma		1µA			npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	80 @ 5mA，5V		100 kohms	100 kohms
PDZ3.9BGW，115	1.0000	RFQ	4316	NXP半导体	*	大部分	积极的												下载					Ear99	8541.10.0050	1
BZX79-B8V2,113	0.0200	RFQ	130	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆		Alf2	下载					Ear99	8541.10.0050	1																													900 mv @ 10 ma		700 na @ 5 V									8.2 v	15欧姆
PDTC115EMB，315	0.0300	RFQ	189	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	SC-101，SOT-883	PDTC115			250兆		DFN1006B-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																																				50 V	20 ma		1µA			npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	80 @ 5mA，5V	230 MHz	100 kohms	100 kohms
BAW56,215	-	RFQ	2043	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAW56		标准			SOT-23	下载						0000.00.0000	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								1对公共阳极		215ma（dc）	1.25		500	150°C （最大）																80	150
BZB84-C51,215	1.0000	RFQ	2995	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				300兆		SOT-23	下载						0000.00.0000	1	1对公共阳极																												900 mv @ 10 ma		50 NA @ 35.7 V									51 v	180欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²