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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
TDZ4V7J,115 NXP Semiconductors TDZ4V7J,115 -
RFQ
ECAD 1229 0.00000000 NXP半导体 汽车,AEC-Q101,TDZXJ 大部分 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 SC-90,SOD-323F TDZ4V7 500兆 SOD-323F 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-TDZ4V7J,115-954 1 1.1 V @ 100 mA 3 µA @ 2 V 4.7 v 80欧姆
BAT754C,215 NXP Semiconductors BAT754C,215 0.0500
RFQ
ECAD 530 0.00000000 NXP半导体 * 大部分 积极的 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BAT754C,215-954 6,138
PEMB2,115 NXP Semiconductors PEMB2,115 -
RFQ
ECAD 2804 0.00000000 NXP半导体 * 大部分 积极的 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-PEMB2,115-954 1
BZX79-C5V6,113 NXP Semiconductors BZX79-C5V6,113 0.0200
RFQ
ECAD 233 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 400兆 Alf2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZX79-C5V6,113-954 1 900 mv @ 10 ma 1 µA @ 2 V 5.6 v 40欧姆
PBSS4230QAZ NXP Semiconductors PBSS4230QAZ 0.0700
RFQ
ECAD 335 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 3-XDFN暴露垫 325兆 DFN1010D-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-PBSS4230QAZ-954 Ear99 8541.29.0075 4,480 30 V 2 a 100NA(ICBO) NPN 190MV @ 50mA,1a 100 @ 2a,2v 190MHz
BUK7506-55A,127 NXP Semiconductors BUK7506-55A,127 -
RFQ
ECAD 1400 0.00000000 NXP半导体 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 55 v 75A(TC) 10V 6.3MOHM @ 25A,10V 4V @ 1mA ±20V 6000 pf @ 25 V - 300W(TC)
2PA1774SM,315 NXP Semiconductors 2PA1774SM,315 0.0200
RFQ
ECAD 149 0.00000000 NXP半导体 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-101,SOT-883 430兆 SOT-883 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-2PA1774SM,315-954 1 40 V 100 ma 100NA(ICBO) PNP 200mv @ 5mA,50mA 270 @ 1mA,6v 100MHz
PMPB100XPEA,115 NXP Semiconductors PMPB100XPEA,115 1.0000
RFQ
ECAD 9040 0.00000000 NXP半导体 * 大部分 积极的 PMPB100 下载 供应商不确定 到达不受影响 2156-PMPB100XPEA,115-954 1
BZX79-C33,133 NXP Semiconductors BZX79-C33,133 0.0200
RFQ
ECAD 510 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 400兆 Alf2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZX79-C33,133-954 1 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 700 mV 33 V 80欧姆
PMCM6501UNE023 NXP Semiconductors PMCM6501Une023 0.1800
RFQ
ECAD 90 0.00000000 NXP半导体 * 大部分 积极的 下载 供应商不确定 供应商不确定 2156-PMCM6501Une023-954 1
BZV85-C13,113 NXP Semiconductors BZV85-C13,113 0.0400
RFQ
ECAD 122 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1.3 w do-41 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZV85-C13,113-954 1 1 V @ 50 mA 200 NA @ 9.1 V 13 V 10欧姆
PHPT61006NYX NXP Semiconductors PHPT61006NYX -
RFQ
ECAD 1263 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 1.3 w LFPAK56,Power-SO8 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-PHPT61006NYX-954 Ear99 8541.29.0075 1 100 v 6 a 100NA NPN 340mv @ 600mA,6a 140 @ 500mA,2V 170MHz
BZT52H-C18,115 NXP Semiconductors BZT52H-C18,115 0.0200
RFQ
ECAD 92 0.00000000 NXP半导体 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 ±5% -65°C〜150°C(TA) 表面安装 SOD-123F BZT52 375兆 SOD-123F 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZT52H-C18,115-954 1 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 12.6 V 18 V 20欧姆
BZX884-C47,315 NXP Semiconductors BZX884-C47,315 0.0200
RFQ
ECAD 28 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 SOD-882 250兆 DFN1006-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZX884-C47,315-954 Ear99 8541.10.0070 1 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 32.9 V 47 V 170欧姆
PHP20N06T,127 NXP Semiconductors PHP20N06T,127 0.4800
RFQ
ECAD 15 0.00000000 NXP半导体 Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 不适用 到达不受影响 2156-PHP20N06T,127-954 671 n通道 55 v 20.3A(TC) 10V 75mohm @ 10a,10v 4V @ 1mA 11 NC @ 10 V ±20V 483 pf @ 25 V - 62W(TC)
PMBD7100,215 NXP Semiconductors PMBD7100,215 0.0200
RFQ
ECAD 18 0.00000000 NXP半导体 * 大部分 积极的 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-PMBD7100,215-954 1
PMEG6010ESBC,315 NXP Semiconductors PMEG6010ESBC,315 0.0300
RFQ
ECAD 30 0.00000000 NXP半导体 * 大部分 积极的 PMEG6010 下载 供应商不确定 到达不受影响 2156-PMEG6010ESBC,315-954 1
PDTD113EQAZ NXP Semiconductors PDTD113EQAZ 0.0300
RFQ
ECAD 30 0.00000000 NXP半导体 * 大部分 积极的 PDTD113 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-PDTD113EQAZ-954 Ear99 8541.21.0075 1
2PD601BSL,215 NXP Semiconductors 2PD601BSL,215 0.0200
RFQ
ECAD 16 0.00000000 NXP半导体 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 250兆 TO-236AB 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-2PD601BSL,215-954 1 50 V 200 ma 100NA(ICBO) NPN 250mv @ 10mA,100mA 290 @ 2mA,10v 250MHz
PSMN070-200B,118 NXP Semiconductors PSMN070-200B,118 1.0900
RFQ
ECAD 5436 0.00000000 NXP半导体 Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 供应商不确定 到达不受影响 2156-PSMN070-200B,118-954 1 n通道 200 v 35A(TC) 10V 70mohm @ 17a,10v 4V @ 1mA 77 NC @ 10 V ±20V 4570 pf @ 25 V - 250W(TC)
BC53-16PA,115 NXP Semiconductors BC53-16PA,115 -
RFQ
ECAD 6134 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 3-Powerudfn 420兆W 3-Huson(2x2) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BC53-16PA,115-954 1 80 V 1 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,500mA 63 @ 150mA,2V 145MHz
TDZ16J,115 NXP Semiconductors TDZ16J,115 -
RFQ
ECAD 4263 0.00000000 NXP半导体 汽车,AEC-Q101,TDZXJ 大部分 积极的 ±1.88% 150°C(TJ) 表面安装 SC-90,SOD-323F 500兆 SC-90 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-TDZ16J,115-954 1 1.1 V @ 100 mA 50 NA @ 11.2 V 16 V 20欧姆
BZV55-C3V3,115 NXP Semiconductors BZV55-C3V3,115 -
RFQ
ECAD 4298 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 500兆 llds;最小 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZV55-C3V3,115-954 1 900 mv @ 10 ma 5 µA @ 1 V 3.3 v 95欧姆
CLF1G0060S-10 NXP Semiconductors CLF1G0060S-10 1.0000
RFQ
ECAD 7738 0.00000000 NXP半导体 * 大部分 积极的 下载 供应商不确定 到达不受影响 2156-CLF1G0060S-10-954 1
MMBT2222A,215 NXP Semiconductors MMBT2222A,215 -
RFQ
ECAD 2521 0.00000000 NXP半导体 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBT2222 250兆 TO-236AB 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-MMBT2222A,215-954 1 40 V 600 MA 10NA(ICBO) NPN 1V @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,10V 300MHz
NZX22C,133 NXP Semiconductors NZX22C,133 0.0200
RFQ
ECAD 84 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 Alf2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-NZX22C,133-954 1 1.5 V @ 200 ma 50 NA @ 15.4 V 22 v 65欧姆
BZX79-C22,113 NXP Semiconductors BZX79-C22,113 -
RFQ
ECAD 8054 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 400兆 Alf2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZX79-C22,113-954 1 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 700 mV 22 v 55欧姆
PMBD914,215 NXP Semiconductors PMBD914,215 0.0200
RFQ
ECAD 191 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PMBD914 标准 TO-236AB 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-PMBD914,215-954 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µA @ 75 V 150°C (最大) 215ma 1.5pf @ 0v,1MHz
BZV85-C3V9,113 NXP Semiconductors BZV85-C3V9,113 0.0300
RFQ
ECAD 75 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1.3 w do-41 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZV85-C3V9,113-954 1 1 V @ 50 mA 10 µA @ 1 V 3.9 v 15欧姆
PDTD113ZT,215 NXP Semiconductors PDTD113ZT,215 0.0300
RFQ
ECAD 39 0.00000000 NXP半导体 * 大部分 积极的 PDTD113 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-PDTD113ZT,215-954 Ear99 8541.21.0095 10,764
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库