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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
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![]() | TDZ4V7J,115 | - | ![]() | 1229 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101,TDZXJ | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | TDZ4V7 | 500兆 | SOD-323F | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-TDZ4V7J,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 80欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT754C,215 | 0.0500 | ![]() | 530 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BAT754C,215-954 | 6,138 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMB2,115 | - | ![]() | 2804 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PEMB2,115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C5V6,113 | 0.0200 | ![]() | 233 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 400兆 | Alf2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX79-C5V6,113-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 v | 40欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4230QAZ | 0.0700 | ![]() | 335 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 3-XDFN暴露垫 | 325兆 | DFN1010D-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PBSS4230QAZ-954 | Ear99 | 8541.29.0075 | 4,480 | 30 V | 2 a | 100NA(ICBO) | NPN | 190MV @ 50mA,1a | 100 @ 2a,2v | 190MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7506-55A,127 | - | ![]() | 1400 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ | 大部分 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 55 v | 75A(TC) | 10V | 6.3MOHM @ 25A,10V | 4V @ 1mA | ±20V | 6000 pf @ 25 V | - | 300W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PA1774SM,315 | 0.0200 | ![]() | 149 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | 430兆 | SOT-883 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-2PA1774SM,315-954 | 1 | 40 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | PNP | 200mv @ 5mA,50mA | 270 @ 1mA,6v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMPB100XPEA,115 | 1.0000 | ![]() | 9040 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | PMPB100 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-PMPB100XPEA,115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C33,133 | 0.0200 | ![]() | 510 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 400兆 | Alf2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX79-C33,133-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 700 mV | 33 V | 80欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMCM6501Une023 | 0.1800 | ![]() | 90 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 供应商不确定 | 2156-PMCM6501Une023-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C13,113 | 0.0400 | ![]() | 122 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.3 w | do-41 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZV85-C13,113-954 | 1 | 1 V @ 50 mA | 200 NA @ 9.1 V | 13 V | 10欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT61006NYX | - | ![]() | 1263 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | SC-100,SOT-669 | 1.3 w | LFPAK56,Power-SO8 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PHPT61006NYX-954 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 100 v | 6 a | 100NA | NPN | 340mv @ 600mA,6a | 140 @ 500mA,2V | 170MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-C18,115 | 0.0200 | ![]() | 92 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C(TA) | 表面安装 | SOD-123F | BZT52 | 375兆 | SOD-123F | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZT52H-C18,115-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 12.6 V | 18 V | 20欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-C47,315 | 0.0200 | ![]() | 28 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SOD-882 | 250兆 | DFN1006-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX884-C47,315-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 32.9 V | 47 V | 170欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHP20N06T,127 | 0.4800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | NXP半导体 | Trenchmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | 2156-PHP20N06T,127-954 | 671 | n通道 | 55 v | 20.3A(TC) | 10V | 75mohm @ 10a,10v | 4V @ 1mA | 11 NC @ 10 V | ±20V | 483 pf @ 25 V | - | 62W(TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBD7100,215 | 0.0200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PMBD7100,215-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG6010ESBC,315 | 0.0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | PMEG6010 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-PMEG6010ESBC,315-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTD113EQAZ | 0.0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | PDTD113 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PDTD113EQAZ-954 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PD601BSL,215 | 0.0200 | ![]() | 16 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-2PD601BSL,215-954 | 1 | 50 V | 200 ma | 100NA(ICBO) | NPN | 250mv @ 10mA,100mA | 290 @ 2mA,10v | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN070-200B,118 | 1.0900 | ![]() | 5436 | 0.00000000 | NXP半导体 | Trenchmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-PSMN070-200B,118-954 | 1 | n通道 | 200 v | 35A(TC) | 10V | 70mohm @ 17a,10v | 4V @ 1mA | 77 NC @ 10 V | ±20V | 4570 pf @ 25 V | - | 250W(TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BC53-16PA,115 | - | ![]() | 6134 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 3-Powerudfn | 420兆W | 3-Huson(2x2) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BC53-16PA,115-954 | 1 | 80 V | 1 a | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 50mA,500mA | 63 @ 150mA,2V | 145MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TDZ16J,115 | - | ![]() | 4263 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101,TDZXJ | 大部分 | 积极的 | ±1.88% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 500兆 | SC-90 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-TDZ16J,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 50 NA @ 11.2 V | 16 V | 20欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C3V3,115 | - | ![]() | 4298 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | llds;最小 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZV55-C3V3,115-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLF1G0060S-10 | 1.0000 | ![]() | 7738 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-CLF1G0060S-10-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT2222A,215 | - | ![]() | 2521 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBT2222 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-MMBT2222A,215-954 | 1 | 40 V | 600 MA | 10NA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX22C,133 | 0.0200 | ![]() | 84 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | Alf2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-NZX22C,133-954 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 50 NA @ 15.4 V | 22 v | 65欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C22,113 | - | ![]() | 8054 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 400兆 | Alf2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX79-C22,113-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 700 mV | 22 v | 55欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBD914,215 | 0.0200 | ![]() | 191 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | PMBD914 | 标准 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PMBD914,215-954 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µA @ 75 V | 150°C (最大) | 215ma | 1.5pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C3V9,113 | 0.0300 | ![]() | 75 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.3 w | do-41 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZV85-C3V9,113-954 | 1 | 1 V @ 50 mA | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 15欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTD113ZT,215 | 0.0300 | ![]() | 39 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | PDTD113 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PDTD113ZT,215-954 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,764 |
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