RFQ
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（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
NZX22C，133	0.0200	RFQ	84	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NZX22C，133-954			1														1.5 V @ 200 ma	50 NA @ 15.4 V				22 v	65欧姆
PDTD113ZT，215	0.0300	RFQ	39	NXP半导体	*	大部分	积极的					PDTD113				下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTD113ZT，215-954	Ear99	8541.21.0095	10,764
BZB984-C3V6,115	0.0400	RFQ	133	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOT-663			265兆	SOT-663	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZB984-C3V6,115-954	Ear99	8541.10.0050	1	1对公共阳极													900 mv @ 10 ma	5 µA @ 1 V				3.6 v	85欧姆
BZV85-C3V9,113	0.0300	RFQ	75	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C3V9,113-954			1														1 V @ 50 mA	10 µA @ 1 V				3.9 v	15欧姆
PZU7.5B，115	0.0300	RFQ	110	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			310 MW	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU7.5B，115-954	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 100 mA	500 na @ 4 V				7.5 v	10欧姆
PDTC143EQAZ	0.0300	RFQ	39	NXP半导体	*	大部分	积极的					PDTC143				下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTC143EQAZ-954	Ear99	8541.21.0075	1
PBSS5220PAPSX	-	RFQ	9176	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫			370MW	DFN2020d-6	-				2156-PBSS5220PAPSX			1																20V	2a	100NA（ICBO）			2 PNP	390mv @ 200mA，2a	160 @ 1A，2V	95MHz
PMGD175XNEX	-	RFQ	5004	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	PMGD175	MOSFET （金属 o化物）	260MW（TA）	SOT-363	下载					Ear99	8541.21.0095	1	2 n 通道（双）			30V	870ma（ta）		252MOHM @ 900mA，4.5V	1.25V @ 250µA	1.65nc @ 4.5V		81pf @ 15V	-
PBSS4260PANP，115	1.0000	RFQ	2332	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS4260PANP，115-954			1
BCV65,215	0.0800	RFQ	4	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCV65,215-954			1
TDZ13J，115	-	RFQ	3114	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，TDZXJ	大部分	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	TDZ13		500兆	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-TDZ13J，115-954			1														1.1 V @ 100 mA	100 na @ 8 V				13 V	10欧姆
PSMN8R7-80PS，127	0.7500	RFQ	6	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PSMN8R7-80PS，127-954	Ear99	0000.00.0000	398		n通道		80 V	90A（TC）	10V	8.7MOHM @ 10a，10v	4V @ 1mA	52 NC @ 10 V	±20V	3346 pf @ 40 V	-	170W（TC）
PBSS5112PAP，115	0.1400	RFQ	34	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS5112PAP，115-954			2,166
PH4030DLV115	-	RFQ	7942	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PH4030DLV115-954			1
BUK764R0-75C，118	-	RFQ	1887年	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK764R0-75C，118-954			1		n通道		75 v	100A（TC）	10V	4mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	142 NC @ 10 V	±20V	11659 PF @ 25 V	-	333W（TC）
NZX6V2C133	-	RFQ	8589	NXP半导体	NZX	大部分	积极的	±2.42％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	Alf2	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-NZX6V2C133-954			1														1.5 V @ 200 ma	3 µA @ 4 V				6.15 v	15欧姆
BZX79-B27,143	0.0200	RFQ	40	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B27,143-954			1														900 mv @ 10 ma	50 na @ 18.9 V				27 V	80欧姆
BZV55-B2V7,115	-	RFQ	7094	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-B2V7,115-954	Ear99	8541.10.0050	1														900 mv @ 10 ma	20 µA @ 1 V				2.7 v	100欧姆
BC54-16PA，115	0.0600	RFQ	29	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn			420兆W	3-Huson（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC54-16PA，115-954	Ear99	8541.21.0075	1																45 v	1 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	180MHz
MMBT3906,215	0.0200	RFQ	74	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-MMBT3906,215-954			1																40 V	200 ma	50NA（iCBO）			PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
BZX79-C27,113	0.0200	RFQ	520	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C27,113-954	Ear99	8541.10.0070	1														900 mv @ 10 ma	50 na @ 18.9 V				27 V	80欧姆
BZB84-B3V3,215	-	RFQ	8942	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZB84-B3V3		300兆	TO-236AB	下载						0000.00.0000	1	1对公共阳极													900 mv @ 10 ma	5 µA @ 1 V				3.3 v	95欧姆
PZU27B，115	0.0300	RFQ	1401	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F			310 MW	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU27B，115-954	Ear99	8541.10.0050	30														1.1 V @ 100 mA	50 NA @ 21 V				27 V	40欧姆
BC857B，215	0.0200	RFQ	7760	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC857		250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC857B，215-954			900																45 v	100 ma	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
BUK6C3R3-75C，118	1.5900	RFQ	480	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BUK6C3R3-75C，118-954	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		75 v	181a（TC）	10V	3.4mohm @ 90A，10V	2.8V @ 1mA	253 NC @ 10 V	±16V	15800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BZV55-C30,115	0.0200	RFQ	248	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C30,115-954			1														900 mv @ 10 ma	50 NA @ 21 V				30 V	80欧姆
PDTD123YT/APGR	-	RFQ	5108	NXP半导体	*	大部分	过时的									-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PDTD123YT/APGR-954			1
PSMN070-200B，118	1.0900	RFQ	5436	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PSMN070-200B，118-954			1		n通道		200 v	35A（TC）	10V	70mohm @ 17a，10v	4V @ 1mA	77 NC @ 10 V	±20V	4570 pf @ 25 V	-	250W（TC）
PBR941	0.2500	RFQ	175	NXP半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			360MW	TO-236AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2832-PBR941TR	Ear99	8541.21.0075	2,000			16dB													10V	50mA				NPN		100 @ 5mA，6v	9GHz			1.5db〜2.1db @ 1GHz〜2GHz
PUMH9/ZL165	-	RFQ	1482	NXP半导体	-	大部分	过时的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363			200MW	6-TSSOP	-				2156-PUMH9/ZL165			1																50V	100mA	100NA			2 NPN-预先偏见	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 5mA，5V	230MHz	10KOHMS	47KOHM

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²