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（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
PMEG3005AESF，315	-	RFQ	9404	NXP半导体	*	大部分	积极的						PMEG3005					下载					Ear99	8541.10.0070	1
PBSS8110Y，115	-	RFQ	8170	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363				625兆	6-TSSOP	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS8110Y，115-954			1																											100 v	1 a		100NA			NPN	200mv @ 100mA，1a	150 @ 250mA，10V	100MHz
PMEG2015EH，115	0.0500	RFQ	94	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	SOD-123F			肖特基		SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMEG2015EH，115-954			5,912		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		20 v		660 mv @ 1.5 A	70 µA @ 20 V	150°C （最大）	1.5a	50pf @ 1V，1MHz
BZX84-C13,235	0.0200	RFQ	80	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-C13,235-954	Ear99	8541.10.0050	1																						900 mv @ 10 ma	100 na @ 8 V								13 V	30欧姆
PBSS5230QAZ	0.0600	RFQ	554	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	3-XDFN暴露垫				325兆	DFN1010D-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS5230QAZ-954	Ear99	8541.29.0075	1																											30 V	2 a		100NA（ICBO）			PNP	210mv @ 50mA，1a	60 @ 2a，2v	170MHz
A7101CLTK2/T0BC27J	1.3400	RFQ	6	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-A7101CLTK2/T0BC27J-954			243
PZU22B1,115	-	RFQ	2294	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F				310 MW	SC-90	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PZU22B1,115-954			1																						1.1 V @ 100 mA	50 na @ 17 V								22 v	20欧姆
BUK7E2R3-40E，127	0.8500	RFQ	3	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK7E2R3-40E，127-954			1			n通道					40 V	120A（TC）	10V	2.3MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	109.2 NC @ 10 V	±20V	8500 PF @ 25 V	-	293W（TC）
BUK762R6-40E，118	-	RFQ	8816	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BUK762R6-40E，118-954			1			n通道					40 V	100A（TC）	10V	2.6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	91 NC @ 10 V	±20V	7130 PF @ 25 V	-	263W（TC）
PZU6.8B2L，315	-	RFQ	5372	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-55°C〜150°C	表面安装	SOD-882	PZU6.8			250兆	DFN1006-2	下载						0000.00.0000	1																						1.1 V @ 100 mA	500 NA @ 3.5 V								6.8 v	20欧姆
PBSS5350T，215	1.0000	RFQ	4318	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				300兆	SOT-23	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																											50 V	2 a		100NA（ICBO）			PNP	390mv @ 300mA，3a	200 @ 1A，2V	100MHz
AFT27S010NT1	10.3900	RFQ	2	NXP半导体	-	大部分	过时的		65 v		表面安装	PLD-1.5W		728MHz〜3.6GHz	ldmos		PLD-1.5W	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-AFT27S010NT1	Ear99	8541.29.0075	1				10µA	90 MA	1.26W	21.7db											-											28 V
PBLS1503Y，115	0.0700	RFQ	222	NXP半导体	*	大部分	积极的						PBLS1503					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBLS1503Y，115-954			4,873
PMZB950UPELYL	1.0000	RFQ	3640	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN			MOSFET （金属 o化物）		DFN1006B-3	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PMZB950UPELYL-954			1			P通道					20 v	500mA（ta）	1.2V，4.5V	1.4OHM @ 500mA，4.5V	950mv @ 250µA	2.1 NC @ 4.5 V	±8V	43 pf @ 10 V	-	360MW（TA）
BZX79-B5V1,133	0.0200	RFQ	139	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B5V1,133-954			1																						900 mv @ 10 ma	2 µA @ 2 V								5.1 v	60欧姆
BZX84J-B62,115	0.0300	RFQ	59	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				550兆	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84J-B62,115-954			1																						1.1 V @ 100 mA	50 NA @ 43.4 V								62 v	140欧姆
BZB984-C13,115	0.0400	RFQ	18	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-	表面安装	SOT-663				265兆	SOT-663	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZB984-C13,115-954			1	1对公共阳极																					900 mv @ 10 ma	100 na @ 8 V								13 V	10欧姆
BZX884-C2V4,315	-	RFQ	7068	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882				250兆	DFN1006-2	-		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX884-C2V4,315-954			3200																						900 mv @ 10 ma	50 µA @ 1 V								2.4 v	100欧姆
BZV49-C22,115	-	RFQ	1276	NXP半导体	BZV49	大部分	积极的	±5％		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				1 w	SOT-89	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZV49-C22,115-954			1																						1 V @ 50 mA	50 NA @ 15.4 V								22 v	55欧姆
BZV85-C10,133	0.0400	RFQ	98	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1.3 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C10,133-954			1																						1 V @ 50 mA	200 na @ 7 V								10 v	8欧姆
PBSS4220V，115	0.0500	RFQ	12	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666				900兆	SOT-666	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS4220V，115-954	Ear99	8541.21.0075	1																											20 v	2 a		100NA			NPN	350mv @ 200mA，2a	200 @ 1A，2V	210MHz
BAS70-04W，115	-	RFQ	9472	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	SC-70，SOT-323			肖特基		SC-70	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BAS70-04W，115-954			1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																	1对系列连接	70 v	70mA	1 V @ 15 ma	10 µA @ 70 V	150°C
BZX585-B75,115	-	RFQ	1700	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523	BZX585-B75			300兆	SOD-523	下载						0000.00.0000	1																						1.1 V @ 100 mA	50 na @ 52.5 V								75 v	255欧姆
NZX18A，133	0.0200	RFQ	37	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NZX18A，133-954			1																						1.5 V @ 200 ma	50 NA @ 12.6 V								18 V	55欧姆
BZX79-B7V5,143	-	RFQ	2731	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX79-B7V5,143-954			1																						900 mv @ 10 ma	1 µA @ 5 V								7.5 v	15欧姆
BZX84-C2V4,215	0.0200	RFQ	4	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-C2V4,215-954			1																						900 mv @ 10 ma	50 µA @ 1 V								2.4 v	100欧姆
BZV85-C16,113	0.0300	RFQ	28	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C16,113-954			1																						1 V @ 50 mA	50 na @ 11 V								16 V	15欧姆
NZH16C，115	0.0200	RFQ	204	NXP半导体	-	大部分	积极的	±3％		-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123F				500兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NZH16C，115-954			1																						900 mv @ 10 ma	40 na @ 12 V								16 V	18欧姆
PDTA113ET，215	-	RFQ	8996	NXP半导体	*	大部分	积极的											-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PDTA113ET，215-954			1
PDTC123EU，115	-	RFQ	4024	NXP半导体	PDTC123E	大部分	积极的				表面安装	SC-70，SOT-323				200兆	SC-70	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PDTC123EU，115-954			1																											50 V	100 ma		1µA			npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 20mA，5v		2.2 kohms	2.2 kohms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²