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（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	电流 -最大	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BAT54L，315	0.0300	RFQ	21	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	SOD-882	BAT54		肖特基		DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAT54L，315-954	Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																									30 V	800 mv @ 100 ma		2 µA @ 25 V	150°C （最大）	200mA	10pf @ 1V，1MHz
1N4749A，133	0.0400	RFQ	57	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-1N4749A，133-954			1																												1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 18.2 V													24 V	25欧姆
PHPT60410NYX	0.1900	RFQ	118	NXP半导体	-	大部分	积极的			175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669				1.3 w	LFPAK56，Power-SO8	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PHPT60410NYX-954	Ear99	8541.29.0075	1,550																																		40 V	10 a							100NA					NPN	460mv @ 500mA，10a	230 @ 500mA，2V	128MHz
PHK31NQ03LT，518	0.5400	RFQ	88	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PHK31NQ03LT，518-954			1			n通道							30 V	30.4A（TC）	4.5V，10V	4.4mohm @ 25a，10v	2.15V @ 1mA	33 NC @ 4.5 V	±20V	4235 pf @ 12 V	-	6.9W（TC）
BTA202X-600E，127	0.2800	RFQ	7	NXP半导体	-	大部分	积极的			125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡					TO-220F	下载					Ear99	8541.30.0080	1,069	单身的					12 ma														逻辑 -敏感门	600 v	2 a	1.5 v	14a，15.4a	10 MA
BZX79-C3V0,133	0.0200	RFQ	409	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C3V0,133-954			1																												900 mv @ 10 ma		10 µA @ 1 V													3 V	95欧姆
BZX79-C3V6,133	0.0200	RFQ	620	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C3V6,133-954			1																												900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V													3.6 v	90欧姆
PMCXB900UEZ	0.0800	RFQ	1	NXP半导体	Trechfet®	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-xfdfn暴露垫	PMCXB900		MOSFET （金属 o化物）	265MW	DFN1010B-6	下载					Ear99	8541.21.0095	3,557	n和p通道互补									20V	600mA，500mA		620MOHM @ 600mA，4.5V	950mv @ 250µA	0.7NC @ 4.5V		21.3pf @ 10V	逻辑级别门
MRF1517NT1	4.3100	RFQ	5	NXP半导体	-	大部分	过时的		25 v		表面安装	PLD-1.5		-	ldmos		PLD-1.5	-				2156-MRF1517NT1			70	n通道			4a			150 ma	8W	14dB @ 520MHz																	-										7.5 v
NMBT3906VL	0.0200	RFQ	400	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-NMBT3906VL-954			1
A2I20H060GNR1	30.9400	RFQ	500	NXP半导体	-	大部分	积极的		65 v		表面安装	TO-270WBG-15		1.8GHz〜2.2GHz	LDMO （双）		TO-270WBG-15	-				2156-A2I20H060GNR1			10	2 n通道			-			24 ma	12W	32.4dB																	-										28 V
BZV55-B11,135	0.0200	RFQ	30	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	llds;最小	下载			到达不受影响	2156-BZV55-B11,135-954			1																												900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V													11 V	20欧姆
PMBF4391	0.8700	RFQ	22	NXP半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2832-PMBF4391TR	Ear99	8541.21.0080	575			n通道							40 V							14pf @ 20V																						40 V	50 mA @ 20 V	4 V @ 1 na				30欧姆
BAP50-04W，115	0.1100	RFQ	14	NXP半导体	-	大部分	过时的			-65°C 〜150°C（TJ）		2-SMD，没有铅					CS300	-				2156-BAP50-04W，115			2,645					50 mA														240兆														0.5pf @ 5V，1MHz				PIN-单	50V								5ohm @ 10mA，100MHz
TDZ27J，115	1.0000	RFQ	9840	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，TDZXJ	大部分	积极的	±2％		-55°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	TDZ27			500兆	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-TDZ27J，115-954	Ear99	8541.10.0050	1																												1.1 V @ 100 mA		50 na @ 18.9 V													27 V	40欧姆
BUK664R4-55C，118	-	RFQ	5636	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK664R4-55C，118-954	Ear99	8541.29.0095	124			n通道							55 v	100A（TC）	5V，10V	4.9mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	124 NC @ 10 V	±16V	7750 PF @ 25 V	-	204W（TC）
PSMN2R8-25MLC115	-	RFQ	2760	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载					Ear99	8541.29.0095	1
PQMB11147	-	RFQ	4895	NXP半导体	-	大部分	积极的											-				2156-PQMB11147			1
1N914B	-	RFQ	7402	NXP半导体	-	大部分	积极的				通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			标准		do-35	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-1N914B-954			1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																									100 v	1 V @ 200 MA	4 ns	5 µA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
BZX884-C12,315	0.0300	RFQ	18	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882				250兆	DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX884-C12,315-954	Ear99	8541.10.0070	1																												900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V													12 v	10欧姆
ON5173118	0.7300	RFQ	3	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-ON5173118-954	Ear99	0000.00.0000	1
BZX84J-B13,115	-	RFQ	1433	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				550兆	SOD-323F	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BZX84J-B13,115-954			1																												1.1 V @ 100 mA		100 na @ 8 V													13 V	10欧姆
NZX16C，133	0.0200	RFQ	26	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NZX16C，133-954			1																												1.5 V @ 200 ma		50 NA @ 11.2 V													16 V	45欧姆
PDTA114EK115	0.0300	RFQ	30	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	到达受影响	2156-PDTA114EK115-954			1
PUMB24,115	0.0200	RFQ	365	NXP半导体	*	大部分	积极的						PUMB24					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PUMB24,115-954			1
AFT21H350W03SR6	199.4800	RFQ	150	NXP半导体	-	大部分	过时的		65 v		表面安装	NI-1230-4S		2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos		NI-1230-4S	-				2156-AFT21H350W03SR6			2	n通道			10µA			763 MA	63W	16.4db @ 2.11GHz																	-										28 V
PMV50ENEA215	-	RFQ	4345	NXP半导体	*	大部分	积极的						PMV50					下载					Ear99	8541.29.0095	1
BZX79-B10,133	0.0200	RFQ	105	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B10,133-954			1																												900 mv @ 10 ma		200 na @ 7 V													10 v	20欧姆
PBSS4032PD，115	0.1500	RFQ	2	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457				1 w	6-TSOP	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS4032PD，115-954			2,031																																		30 V	2.7 a							100NA					PNP	395mv @ 300mA，3a	200 @ 1A，2V	104MHz
BZX84-C68,215	0.0200	RFQ	104	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-C68,215-954			1																												900 mv @ 10 ma		50 NA @ 47.6 V													68 v	240欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

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2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²