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（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
PMEG150G20ELPX	-	RFQ	3493	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的				表面安装	SOD-128			标准		SOD-128/CFP5	-				2156-PMEG150G20ELPX			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	150 v	850 mv @ 2 a	14 ns	30 NA @ 150 V	175°C	2a	70pf @ 1V，1MHz
BZX384-C43,115	0.0200	RFQ	225	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323	BZX384			300兆	SOD-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX384-C43,115-954			1																				1.1 V @ 100 mA		5 na @ 30.1 V								43 V	150欧姆
PDTD123TT，215	0.0300	RFQ	66	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTD123TT，215-954	Ear99	8541.21.0075	10,764
A2T21H450W19SR6	217.4300	RFQ	277	NXP半导体	-	大部分	过时的		65 v		底盘安装	NI-1230S-4S4S		2.11GHz〜2.2GHz	ldmos		NI-1230S-4S4S	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-A2T21H450W19SR6	Ear99	8541.29.0075	1				10µA	800 MA	89W	15.7dB											-										30 V
PEMB18,115	0.0400	RFQ	12	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PEMB18,115-954			1
NZX6V2A，133	0.0200	RFQ	218	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NZX6V2A，133-954			1																				1.5 V @ 200 ma		3 µA @ 4 V								6.2 v	15欧姆
BUK7E4R6-60E，127	0.6400	RFQ	2	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载		不适用	到达不受影响	2156-BUK7E4R6-60E，127-954			1			n通道					60 V	100A（TC）	10V	4.6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	82 NC @ 10 V	±20V	6230 PF @ 25 V	-	234W（TC）
BZX79-B3V6,113	0.0200	RFQ	200	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B3V6,113-954			1																				900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V								3.6 v	90欧姆
BZX84-C6V2,235	0.0200	RFQ	120	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-C6V2,235-954			1																				900 mv @ 10 ma		3 µA @ 4 V								6.2 v	10欧姆
PMDXB1200UPEZ	0.0700	RFQ	13	NXP半导体	*	大部分	积极的						PMDXB1200		-			下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PMDXB1200UPEZ-954			1																-
BZT52H-B2V4,115	0.0200	RFQ	19	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52			375兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-B2V4,115-954			1																				900 mv @ 10 ma		50 µA @ 1 V								2.4 v	85欧姆
BZX384-C11,115	-	RFQ	7400	NXP半导体	BZX384	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323				300兆	SOD-323	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX384-C11,115-954			1																				1.1 V @ 100 mA		100 na @ 8 V								11 V	20欧姆
BZX884-B30,315	0.0300	RFQ	28	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882				250兆	DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX884-B30,315-954	Ear99	8541.10.0050	1																				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 21 V								30 V	80欧姆
2PD601BRL，215	0.0200	RFQ	9154	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-2PD601BRL，215-954			1																										50 V	200 MA		100NA（ICBO）			NPN	250mv @ 10mA，100mA	210 @ 2mA，10v	250MHz
NZX13C，133	1.0000	RFQ	4910	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	NZX13			500兆	Alf2	下载					Ear99	8541.10.0050	1																				1.5 V @ 200 ma		100 na @ 8 V								13 V	35欧姆
AFV10700HR5178	496.2300	RFQ	50	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-AFV10700HR5178-954			1
BZX79-B9V1,143	0.0200	RFQ	103	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-B9V1,143-954			1																				900 mv @ 10 ma		500 na @ 6 V								9.1 v	15欧姆
NZX7V5D，133	-	RFQ	5910	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	NZX7V5			500兆	Alf2	下载					Ear99	8541.10.0050	1																				1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 5 V								7.5 v	15欧姆
BYV32E-200,127	-	RFQ	7891	NXP半导体	*	大部分	积极的						Byv32					下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BYV32E-200,127-954	Ear99	8541.10.0080	381
MW7IC2725NR1	56.4600	RFQ	950	NXP半导体	-	大部分	过时的		65 v		表面安装	TO-270-16变体，平面线		2.5GHz〜2.7GHz	LDMO （双）		TO-270WB-16	-				2156-MW7IC2725NR1			6	2 n通道			10µA	275 MA	4W	28.5db											-										28 V
PQMD13147	-	RFQ	5836	NXP半导体	-	大部分	积极的											-				2156-PQMD13147			1
BZB84-C3V0,215	0.0200	RFQ	149	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				300兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZB84-C3V0,215-954	Ear99	8541.10.0050	1	1对公共阳极																			900 mv @ 10 ma		10 µA @ 1 V								3 V	95欧姆
1PS88SB82,115	-	RFQ	9512	NXP半导体	-	大部分	过时的				表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363			肖特基		6-TSSOP	-				2156-1PS88SB82,115			1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																	15 v	700 mv @ 30 ma		200 na @ 1 V	-65°C〜125°C
PMV333，215	-	RFQ	7551	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载					Ear99	8541.21.0095	1			P通道					20 v	4.4a（ta）	1.8V，4.5V	36mohm @ 3a，4.5V	950mv @ 250µA	22.1 NC @ 4.5 V	±8V	1820 PF @ 10 V	-	490MW（TA）
PBSS4220V，115	0.0500	RFQ	12	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666				900兆	SOT-666	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS4220V，115-954	Ear99	8541.21.0075	1																										20 v	2 a		100NA			NPN	350mv @ 200mA，2a	200 @ 1A，2V	210MHz
BCW72,235	0.0300	RFQ	130	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCW72,235-954			1																										45 v	100 ma		100NA（ICBO）			NPN	210mv @ 2.5mA，50mA	200 @ 2mA，5V	100MHz
AFT20P060-4NR3	51.9900	RFQ	2	NXP半导体	-	大部分	过时的		65 v		表面安装	OM-780-4L		2.17GHz	LDMO （双）		OM-780-4L	-				2156-AFT20P060-4NR3			6	2 n通道			-	450 MA	60W	18.9db											-										28 V
BZV85-C3V6,133	0.0300	RFQ	30	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1.3 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C3V6,133-954			1																				1 V @ 50 mA		50 µA @ 1 V								3.6 v	15欧姆
BZV85-C62,133	0.0300	RFQ	20	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1.3 w	do-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C62,133-954			1																				1 V @ 50 mA		50 NA @ 43 V								62 v	175欧姆
PMZ290Nuneyl	-	RFQ	1610	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883			MOSFET （金属 o化物）		SOT-883	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PMZ290Uneyl-954	Ear99	8541.29.0095	1			n通道					20 v	1A（1A）	1.8V，4.5V	380MOHM @ 500mA，4.5V	950mv @ 250µA	0.68 NC @ 4.5 V	±8V	83 pf @ 10 V	-	360MW（TA），2.7W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²