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（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
PMN48XPAX	-	RFQ	2032	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457			MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,260			P通道					20 v	4.1a（ta）	2.5V，4.5V	55mohm @ 2.4a，4.5V	1.25V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±12V	1000 pf @ 10 V	-	530mw（TA），6.25W（tc）
BZT52H-B62,115	-	RFQ	3303	NXP半导体	BZT52H	大部分	积极的	±1.94％		150°C（TJ）	表面安装	SOD-123F				375兆	SOD-123F	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZT52H-B62,115-954			1																				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 43.4 V								62 v	140欧姆
PMEG2005EGWX	-	RFQ	5456	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的				表面安装	SOD-123			肖特基		SOD-123	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMEG2005EGWX-954	Ear99	8541.10.0070	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	20 v	390 mv @ 500 mA		200 µA @ 20 V	150°C （最大）	500mA	66pf @ 1V，1MHz
MMBD4148,215	-	RFQ	6158	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			标准		TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-MMBD4148,215-954			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	75 v	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 75 V	150°C （最大）	215ma	1.5pf @ 0v，1MHz
SA2T18H450W19SR6	214.0800	RFQ	25	NXP半导体	-	大部分	过时的		65 v		底盘安装	NI-1230S-4S4S		1.805GHZ〜1.88GHz	ldmos		NI-1230S-4S4S	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-SA2T18H450W19SR6	Ear99	8541.29.0075	1	双重的			10µA	800 MA	89W	16.6dB											-										30 V
BAS116GWJ	1.0000	RFQ	6893	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的				表面安装	SOD-123			标准		SOD-123	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAS116GWJ-954	Ear99	8541.10.0070	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																	75 v	1.25 V @ 150 mA	3 µs	5 na @ 75 V	150°C （最大）	215ma	2pf @ 0v，1MHz
BZX79-C24,113	0.0200	RFQ	350	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C24,113-954	Ear99	8541.10.0070	1																				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 16.8 V								24 V	70欧姆
PHP45NQ10T，127	0.9500	RFQ	4	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		不适用	到达不受影响	2156-PHP45NQ10T，127-954			341			n通道					100 v	47A（TC）	10V	25mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	61 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 25 V	-	150W（TC）
PSMN6R0-30YLB，115	-	RFQ	9157	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PSMN6R0-30YLB，115-954	Ear99	8541.29.0095	1			n通道					30 V	71A（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 20A，10V	1.95V @ 1mA	19 nc @ 10 V	±20V	1088 pf @ 15 V	-	58W（TC）
PMBT3904,215	-	RFQ	9255	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMBT3904,215-954			1																										40 V	200 ma		50NA（iCBO）			NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
BAT74，115	1.0000	RFQ	2777	NXP半导体	*	大部分	积极的						BAT74					下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BAT74S，115-954			1
BZX84J-C24,115	0.0300	RFQ	68	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				550兆	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84J-C24,115-954			11,823																				1.1 V @ 100 mA		50 NA @ 16.8 V								24 V	30欧姆
BZX884-B2V4,315	-	RFQ	7880	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882				250兆	DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX884-B2V4,315-954			1																				900 mv @ 10 ma		50 µA @ 1 V								2.4 v	100欧姆
BZX84-B3V3,215	1.0000	RFQ	1891年	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-B3V3,215-954			1																				900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V								3.3 v	95欧姆
PDTA143TT，215	0.0200	RFQ	206	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTA143TT，215-954			1
BLP05M7200Y	-	RFQ	9352	NXP半导体	-	大部分	积极的											-				2156-BLP05M7200Y			1
PEMD19,115	0.0400	RFQ	12	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PEMD19,115-954			1
BZV55-C43,115	0.0200	RFQ	262	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C43,115-954	Ear99	8541.10.0070	1																				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 30.1 V								43 V	150欧姆
PZU7.5B3,115	0.0300	RFQ	33	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				310 MW	SOD-323F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU7.5B3,115-954			1																				1.1 V @ 100 mA		500 na @ 4 V								7.5 v	10欧姆
2PC4617RMB，315	-	RFQ	7989	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	2PC4617			250兆	DFN1006B-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																										50 V	100 ma		100NA（ICBO）			NPN	200mv @ 5mA，50mA	180 @ 1mA，6v	100MHz
PMXB43UNE/S500Z	-	RFQ	3938	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XDFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		DFN1010D-3	-				2156-PMXB43UNE/S500Z			1			n通道					20 v	3.2A（ta）	1.5V，4.5V	54mohm @ 3.2A，4.5V	900mv @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	551 pf @ 10 V	-	400MW（TA），8.33W（tc）
PH3120L，115	0.2500	RFQ	17	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PH3120L，115-954			1			n通道					20 v	100A（TC）	4.5V，10V	2.65mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	48.5 NC @ 4.5 V	±20V	4457 PF @ 10 V	-	62.5W（TC）
PMEG2010BELD，315	0.0500	RFQ	270	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	SOD-882			肖特基		DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMEG2010BELD，315-954			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	20 v	490 mv @ 1 A	1.6 ns	200 µA @ 20 V	150°C （最大）	1a	40pf @ 1V，1MHz
BC52-10PASX	0.0600	RFQ	59	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子				420兆W	DFN2020d-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC52-10PASX-954	Ear99	8541.21.0075	1																										60 V	1 a		100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	145MHz
PDTC124TU，115	-	RFQ	5646	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	SC-70，SOT-323	PDTC124			200兆	SOT-323	-						0000.00.0000	1																										50 V	100 ma		1µA			npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	100 @ 1mA，5V		22 KOHMS
PSMN8R5-100PSFQ	-	RFQ	3291	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PSMN8R5-100PSFQ-954			1			n通道					100 v	98a（ta）	7V，10V	8.7MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	44.5 NC @ 10 V	±20V	3181 PF @ 50 V	-	183w（ta）
BAS56,215	0.0300	RFQ	6825	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAS56,215-954	Ear99	8541.10.0070	3,780
BLF8G27LS-100PJ	-	RFQ	4497	NXP半导体	-	大部分	过时的		65 v		表面安装	SOT-1121b		2.5GHz〜2.7GHz	ldmos （双），普通来源		最多	-				2156-BLF8G27LS-100PJ			1	2 n通道			-	860 MA	25W	18db											-										28 V
BZV55-C18,115	0.0200	RFQ	25	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C18,115-954			1																				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 12.6 V								18 V	45欧姆
BZX884-B10,315	0.0300	RFQ	322	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882				250兆	DFN1006-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX884-B10,315-954			1																				900 mv @ 10 ma		200 na @ 7 V								10 v	10欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²