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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PMEG2015EH,115 | 0.0500 | ![]() | 94 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | 肖特基 | SOD-123F | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PMEG2015EH,115-954 | 5,912 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 660 mv @ 1.5 A | 70 µA @ 20 V | 150°C (最大) | 1.5a | 50pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C2V4,215 | 0.0200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX84-C2V4,215-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 100欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PC4617RMB,315 | - | ![]() | 7989 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 3-XFDFN | 2PC4617 | 250兆 | DFN1006B-3 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | NPN | 200mv @ 5mA,50mA | 180 @ 1mA,6v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBT3904,215 | - | ![]() | 9255 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PMBT3904,215-954 | 1 | 40 V | 200 ma | 50NA(iCBO) | NPN | 300mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK762R6-40E,118 | - | ![]() | 8816 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BUK762R6-40E,118-954 | 1 | n通道 | 40 V | 100A(TC) | 10V | 2.6mohm @ 25a,10v | 4V @ 1mA | 91 NC @ 10 V | ±20V | 7130 PF @ 25 V | - | 263W(TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BC807-25,215 | 0.0200 | ![]() | 774 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BC807-25,215-954 | 1 | 45 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | PNP | 700mv @ 50mA,500mA | 160 @ 100mA,1V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C22,143 | 0.0200 | ![]() | 75 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 400兆 | Alf2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX79-C22,143-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 700 mV | 22 v | 55欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC143EQAZ | 0.0300 | ![]() | 39 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | PDTC143 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PDTC143EQAZ-954 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS5350T,215 | 1.0000 | ![]() | 4318 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 300兆 | SOT-23 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 2 a | 100NA(ICBO) | PNP | 390mv @ 300mA,3a | 200 @ 1A,2V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7E2R3-40E,127 | 0.8500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | MOSFET (金属 o化物) | i2pak | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-BUK7E2R3-40E,127-954 | 1 | n通道 | 40 V | 120A(TC) | 10V | 2.3MOHM @ 25A,10V | 4V @ 1mA | 109.2 NC @ 10 V | ±20V | 8500 PF @ 25 V | - | 293W(TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU6.8B2L,315 | - | ![]() | 5372 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-882 | PZU6.8 | 250兆 | DFN1006-2 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 500 NA @ 3.5 V | 6.8 v | 20欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV29F-600,127 | 0.3700 | ![]() | 51 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | 标准 | TO-220AC | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 802 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.9 V @ 8 A | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 9a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG3005AESF,315 | - | ![]() | 9404 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | PMEG3005 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT74,115 | 1.0000 | ![]() | 2777 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | BAT74 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-BAT74S,115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C13,235 | 0.0200 | ![]() | 80 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX84-C13,235-954 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 8 V | 13 V | 30欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C43,115 | 0.0200 | ![]() | 262 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | llds;最小 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZV55-C43,115-954 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 30.1 V | 43 V | 150欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG1020EJ,115 | - | ![]() | 8548 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 肖特基 | SOD-323F | 下载 | 到达不受影响 | 2156-PMEG1020EJ,115-954 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 10 v | 460 mv @ 2 a | 3 ma @ 10 V | 150°C (最大) | 2a | 50pf @ 5V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B5V1,133 | 0.0200 | ![]() | 139 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 400兆 | Alf2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX79-B5V1,133-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-B62,115 | 0.0300 | ![]() | 59 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 550兆 | SOD-323F | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX84J-B62,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 50 NA @ 43.4 V | 62 v | 140欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX54,115 | 0.0700 | ![]() | 132 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 1.25 w | SOT-89 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BCX54,115-954 | 1 | 45 v | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 63 @ 150mA,2V | 180MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF570,215 | 0.0500 | ![]() | 55 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BF570,215-954 | 1 | 15 v | 100 ma | 400NA(ICBO) | NPN | - | 40 @ 10mA,1V | 490MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCM847BV,315 | - | ![]() | 2044 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | BCM847 | 300MW | SOT-666 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BCM847BV,315-954 | 1 | 45V | 100mA | 15NA(icbo) | 2(NPN (双) | 400mv @ 5mA,100mA | 200 @ 2mA,5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54W,115 | 0.0200 | ![]() | 82 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAT54 | 肖特基 | SOT-323 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BAT54W,115-954 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 800 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 150°C (最大) | 200mA | 10pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C18,113 | 0.0200 | ![]() | 470 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 400兆 | Alf2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX79-C18,113-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 12.6 V | 18 V | 45欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMZB600UNEL315 | 0.0400 | ![]() | 150 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 供应商不确定 | 2156-PMZB600UNEL315-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NX7002BKS115 | - | ![]() | 7235 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMT560ENEAX | - | ![]() | 1293 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PMT560ENEAX-954 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 100 v | 1.1A(TA) | 4.5V,10V | 715MOHM @ 1.1A,10V | 2.7V @ 250µA | 4.4 NC @ 10 V | ±20V | 112 PF @ 50 V | - | 750MW(TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BAS16W,115 | 0.0200 | ![]() | 836 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101,BAS16 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAS16 | 标准 | SOT-323 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BAS16W,115-954 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 100 v | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | -65°C〜150°C | 175ma | 1.5pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCV61C,215 | 0.1300 | ![]() | 354 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BCV61C,215-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-A43,215 | 0.1100 | ![]() | 95 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZX84-A43,215-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 30.1 V | 43 V | 150欧姆 |
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