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（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BZX79-B8V2113	1.0000	RFQ	6688	NXP半导体	*	大部分	积极的												下载						0000.00.0000	1
BCW30,215	-	RFQ	2289	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆		SOT-23	-						0000.00.0000	1																																		32 v	100 ma		100NA（ICBO）			PNP	150mv @ 2.5mA，50mA	215 @ 2mA，5V	100MHz
NX2301P，215	1.0000	RFQ	2299	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）			SOT-23	下载					Ear99	8541.29.0095	1			P通道						20 v	2A（TA）	2.5V，4.5V	120MOHM @ 1A，4.5V	1.1V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±8V	380 pf @ 6 V	-	400MW（TA），2.8W（TC）
BZT52H-B9V1,115	-	RFQ	2099	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52			375兆		SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-B9V1,115-954			1																											900 mv @ 10 ma		500 na @ 6 V									9.1 v	10欧姆
BZX884-B51,315	0.0300	RFQ	149	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882				250兆		DFN1006-2	下载						0000.00.0000	9,648																											900 mv @ 10 ma		50 NA @ 35.7 V									51 v	180欧姆
BYC5DX-500,127	0.3700	RFQ	48	NXP半导体	-	大部分	积极的				通过洞	TO-220-2完整包			标准			TO-220F	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								500 v	2 V @ 5 A	16 ns	40 µA @ 500 V	150°C （最大）	5a	-
PZU3.0B2A，115	-	RFQ	1522	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323				320兆W		SOD-323	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PZU3.0B2A，115-954			1																											1.1 V @ 100 mA		10 µA @ 1 V									3 V	95欧姆
BZV90-C16115	-	RFQ	4409	NXP半导体	BZV90	大部分	积极的	±5％		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				1.5 w		SC-73	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZV90-C16115-954			1																											1 V @ 50 mA		50 NA @ 11.2 V									16 V	40欧姆
BZV49-C11,115	-	RFQ	4934	NXP半导体	BZV49	大部分	积极的	±5％		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				1 w		SOT-89	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZV49-C11,115-954			1																											1 V @ 50 mA		100 na @ 8 V									11 V	20欧姆
PDTC123EU，115	-	RFQ	4024	NXP半导体	PDTC123E	大部分	积极的				表面安装	SC-70，SOT-323				200兆		SC-70	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PDTC123EU，115-954			1																																		50 V	100 ma		1µA			npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 20mA，5v		2.2 kohms	2.2 kohms
1N4733A，113	0.0300	RFQ	214	NXP半导体	*	大部分	积极的												下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-1N4733A，113-954	Ear99	8541.10.0070	1
BUK7107-55AIE，118	1.7400	RFQ	2	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-5，D²Pak（4引线 +选项卡，TO-263BB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK7107-55AIE，118-954			1			n通道						55 v	75A（TC）	10V	7mohm @ 50a，10v	4V @ 1mA	116 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	电流感应	272W（TC）
MRF6VP2600HR5,178	-	RFQ	3283	NXP半导体	*	大部分	积极的						MRF6VP2600		-				下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1																	-
BUK9E08-55B，127	-	RFQ	4466	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			i2pak	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK9E08-55B，127-954			1			n通道						55 v	75A（TC）	5V，10V	7mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	45 NC @ 5 V	±15V	5280 pf @ 25 V	-	203W（TC）
PMZB1200UPEYL	0.0400	RFQ	604	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN			MOSFET （金属 o化物）			DFN1006B-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMZB1200UPEYL-954	Ear99	8541.21.0095	1			P通道						30 V	410mA（ta）	1.5V，4.5V	1.4OHM @ 410mA，4.5V	950mv @ 250µA	1.2 NC @ 4.5 V	±8V	43.2 pf @ 15 V	-	310MW（TA），1.67W（tc）
PZU9.1B2,115	-	RFQ	9806	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F				310 MW		SC-90	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PZU9.1B2,115-954			1																											1.1 V @ 100 mA		500 na @ 6 V									9.1 v	10欧姆
MMBT3906,215	0.0200	RFQ	74	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆		TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-MMBT3906,215-954			1																																		40 V	200 ma		50NA（iCBO）			PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
PMZ950UPEYL	0.0400	RFQ	356	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883			MOSFET （金属 o化物）			SOT-883	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMZ950UPEYL-954	Ear99	8541.29.0095	1			P通道						20 v	500mA（ta）	1.2V，4.5V	1.4OHM @ 500mA，4.5V	950mv @ 250µA	2.1 NC @ 4.5 V	±8V	43 pf @ 10 V	-	360MW（TA），2.7W（TC）
BC869,115	0.1000	RFQ	43	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				1.2 w		SOT-89	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC869,115-954			1																																		20 v	1 a		100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 100mA，1a	85 @ 500mA，1V	140MHz
PDTC123TU115	0.0200	RFQ	4136	NXP半导体	*	大部分	积极的						PDTC123						下载					Ear99	8541.21.0095	1
PMG85XPH	-	RFQ	7317	NXP半导体	*	大部分	积极的												下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PMG85XPH-954			1
PMN48XPAX	-	RFQ	2032	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457			MOSFET （金属 o化物）			6-TSOP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,260			P通道						20 v	4.1a（ta）	2.5V，4.5V	55mohm @ 2.4a，4.5V	1.25V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±12V	1000 pf @ 10 V	-	530mw（TA），6.25W（tc）
BZT52H-B62,115	-	RFQ	3303	NXP半导体	BZT52H	大部分	积极的	±1.94％		150°C（TJ）	表面安装	SOD-123F				375兆		SOD-123F	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZT52H-B62,115-954			1																											900 mv @ 10 ma		50 NA @ 43.4 V									62 v	140欧姆
PMXB40UNE/S500Z	-	RFQ	2461	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-xdfn暴露垫			MOSFET （金属 o化物）			DFN1010D-3	-				2156-PMXB40UNE/S500Z			1			n通道						12 v	3.2A（ta）	1.2V，4.5V	45mohm @ 3.2a，4.5V	900mv @ 250µA	11.6 NC @ 4.5 V	±8V	556 pf @ 10 V	-	400MW（TA），8.33W（tc）
PMEG2005EGWX	-	RFQ	5456	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的				表面安装	SOD-123			肖特基			SOD-123	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMEG2005EGWX-954	Ear99	8541.10.0070	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								20 v	390 mv @ 500 mA		200 µA @ 20 V	150°C （最大）	500mA	66pf @ 1V，1MHz
TD570N18KOFHPSA1	313.8000	RFQ	2	NXP半导体	-	大部分	积极的			125°C（TJ）	底盘安装	模块					系列连接 -scr		-				2156-TD570N18KOFHPSA1			2					300 MA														1.8 kV	1050 a	2 v	20000a	250 MA	566 a									2 scr
MMBD4148,215	-	RFQ	6158	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			标准			TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-MMBD4148,215-954			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								75 v	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 75 V	150°C （最大）	215ma	1.5pf @ 0v，1MHz
SA2T18H450W19SR6	214.0800	RFQ	25	NXP半导体	-	大部分	过时的		65 v		底盘安装	NI-1230S-4S4S		1.805GHZ〜1.88GHz	ldmos			NI-1230S-4S4S	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-SA2T18H450W19SR6	Ear99	8541.29.0075	1	双重的			10µA		800 MA	89W	16.6dB																	-											30 V
BZX79-B47133	0.0200	RFQ	30	NXP半导体	*	大部分	积极的												下载					Ear99	8541.10.0050	1
PBSS4160PANP，115	-	RFQ	5380	NXP半导体	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	6-UFDFN暴露垫	PBSS4160			510MW		6-Huson（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS4160PANP，115-954			1																																		60V	1a		100NA（ICBO）			NPN，PNP	120MV @ 50mA，500mA	150 @ 500mA，2V	175MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²