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（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
CLF1G0060S-10	1.0000	RFQ	7738	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载	供应商不确定	到达不受影响	2156-CLF1G0060S-10-954			1
BUK764R0-75C，118	-	RFQ	1887年	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK764R0-75C，118-954			1		n通道	75 v	100A（TC）	10V	4mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	142 NC @ 10 V	±20V	11659 PF @ 25 V	-	333W（TC）
BZV85-C13,113	0.0400	RFQ	122	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C13,113-954			1														1 V @ 50 mA		200 NA @ 9.1 V							13 V	10欧姆
PH4030DLV115	-	RFQ	7942	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载	供应商不确定	到达不受影响	2156-PH4030DLV115-954			1
2PD601BSL，215	0.0200	RFQ	16	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-2PD601BSL，215-954			1																				50 V	200 MA	100NA（ICBO）			NPN	250mv @ 10mA，100mA	290 @ 2mA，10v	250MHz
BZV55-B2V7,115	-	RFQ	7094	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-B2V7,115-954	Ear99	8541.10.0050	1														900 mv @ 10 ma		20 µA @ 1 V							2.7 v	100欧姆
BUK7E4R6-60E，127	0.6400	RFQ	2	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	不适用	到达不受影响	2156-BUK7E4R6-60E，127-954			1		n通道	60 V	100A（TC）	10V	4.6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	82 NC @ 10 V	±20V	6230 PF @ 25 V	-	234W（TC）
BZV85-C27,133	0.0400	RFQ	101	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C27,133-954			1														1 V @ 50 mA		50 na @ 19 V							27 V	40欧姆
A7101CLTK2/T0BC2WJ	0.9700	RFQ	112	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载	供应商不确定	到达不受影响	2156-A7101CLTK2/T0BC2WJ-954			311
PMBD914,215	0.0200	RFQ	191	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBD914	标准		TO-236AB	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMBD914,215-954			1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												100 v	1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C （最大）	215ma	1.5pf @ 0v，1MHz
TDZ4V7J，115	-	RFQ	1229	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，TDZXJ	大部分	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	TDZ4V7		500兆	SOD-323F	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-TDZ4V7J，115-954			1														1.1 V @ 100 mA		3 µA @ 2 V							4.7 v	80欧姆
BCV62,215	0.0800	RFQ	9	NXP半导体	*	大部分	积极的					BCV62				下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCV62,215-954			1
NZH16C，115	0.0200	RFQ	204	NXP半导体	-	大部分	积极的	±3％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-123F			500兆	SOD-123F	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-NZH16C，115-954			1														900 mv @ 10 ma		40 na @ 12 V							16 V	18欧姆
PHPT61006NYX	-	RFQ	1263	NXP半导体	-	大部分	积极的		175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			1.3 w	LFPAK56，Power-SO8	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PHPT61006NYX-954	Ear99	8541.29.0075	1																				100 v	6 a	100NA			NPN	340mv @ 600mA，6a	140 @ 500mA，2V	170MHz
BUK769R6-80E，118	0.8600	RFQ	486	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BUK769R6-80E，118-954	Ear99	8541.29.0095	348		n通道	80 V	75A（TC）	10V	9.6mohm @ 20a，10v	4V @ 1mA	59.8 NC @ 10 V	±20V	4682 PF @ 25 V	-	182W（TC）
BZV55-B11,115	0.0200	RFQ	63	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载		到达不受影响	2156-BZV55-B11,115-954			1														900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V							11 V	20欧姆
BC817RA147	0.0400	RFQ	10	NXP半导体	*	大部分	积极的					BC817				下载	供应商不确定	到达不受影响	2156-BC817RA147-954			1
2PA1774SM，315	0.0200	RFQ	149	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883			430兆	SOT-883	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-2PA1774SM，315-954			1																				40 V	100 ma	100NA（ICBO）			PNP	200mv @ 5mA，50mA	270 @ 1mA，6v	100MHz
PZU8.2BL，315	0.0300	RFQ	11	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	SOD-882			250兆	DFN1006-2	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZU8.2BL，315-954	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 100 mA		500 na @ 5 v							8.2 v	10欧姆
BZT52H-C20,115	0.0200	RFQ	129	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52		375兆	SOD-123F	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-C20,115-954			1														900 mv @ 10 ma		50 na @ 14 V							20 v	20欧姆
PEMH18,115	-	RFQ	1354	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PEMH18,115-954			1
PHP20NQ20T，127	0.9500	RFQ	8	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	不适用	到达不受影响	2156-PHP20NQ20T，127-954		0000.00.0000	341		n通道	200 v	20A（TC）	10V	130mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	65 NC @ 10 V	±20V	2470 pf @ 25 V	-	150W（TC）
PHPT60415PYX	0.2300	RFQ	53	NXP半导体	-	大部分	积极的		175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			1.5 w	LFPAK56，Power-SO8	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PHPT60415PYX-954	Ear99	8541.29.0075	1,280																				40 V	15 a	100NA			PNP	850mv @ 1.5a，15a	200 @ 500mA，2V	80MHz
BZV55-B36,115	0.0200	RFQ	772	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	llds;最小	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-B36,115-954			1														900 mv @ 10 ma		50 NA @ 700 mV							36 V	90欧姆
BZX79-C22,113	-	RFQ	8054	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	Alf2	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C22,113-954			1														900 mv @ 10 ma		50 NA @ 700 mV							22 v	55欧姆
PMV100XPEA215	0.0400	RFQ	48	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	供应商不确定	到达不受影响	2156-PMV100XPEA215-954			6,693		P通道	20 v	2.4A（TA）		128mohm @ 2.4a，4.5V	1.25V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±12V	386 pf @ 10 V	-	463MW（TA），4.45W（（tc）
PDTC143TT，215	0.0200	RFQ	422	NXP半导体	*	大部分	积极的									下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTC143TT，215-954			1
BZV85-C3V9,113	0.0300	RFQ	75	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.3 w	do-41	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C3V9,113-954			1														1 V @ 50 mA		10 µA @ 1 V							3.9 v	15欧姆
PLVA659A，215	0.0500	RFQ	38	NXP半导体	-	大部分	积极的	±3％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PLVA659		250兆	TO-236AB	-	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PLVA659A，215-954			6,397														900 mv @ 10 ma		1 µA @ 5.3 V							5.9 v	100欧姆
BC55-10PASX	-	RFQ	3701	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子			420兆W	DFN2020d-3	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC55-10PASX-954	Ear99	8541.21.0075	1																				60 V	1 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	180MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²