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（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
PMV42ENE215	-	RFQ	1454	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-PMV42ENE215-954			1
BUK752R3-40E，127	0.9000	RFQ	1	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK752R3-40E，127-954	Ear99	0000.00.0000	1			n通道					40 V	120a（ta）		2.3MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	109.2 NC @ 10 V	±20V	8500 PF @ 25 V	-	293W（ta）
BCV62,215	0.0800	RFQ	9	NXP半导体	*	大部分	积极的						BCV62					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCV62,215-954			1
BZV55-B11,115	0.0200	RFQ	63	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	llds;最小	下载			到达不受影响	2156-BZV55-B11,115-954			1																				900 mv @ 10 ma		100 na @ 8 V										11 V	20欧姆
BC817RA147	0.0400	RFQ	10	NXP半导体	*	大部分	积极的						BC817					下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BC817RA147-954			1
PHP20NQ20T，127	0.9500	RFQ	8	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		不适用	到达不受影响	2156-PHP20NQ20T，127-954		0000.00.0000	341			n通道					200 v	20A（TC）	10V	130mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	65 NC @ 10 V	±20V	2470 pf @ 25 V	-	150W（TC）
BZV55-B36,115	0.0200	RFQ	772	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	llds;最小	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-B36,115-954			1																				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 700 mV										36 V	90欧姆
PMV100XPEA215	0.0400	RFQ	48	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PMV100XPEA215-954			6,693			P通道					20 v	2.4A（TA）		128mohm @ 2.4a，4.5V	1.25V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±12V	386 pf @ 10 V	-	463MW（TA），4.45W（（tc）
PMEG45U10EPDAZ	0.2600	RFQ	1	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	TO-277，3-PowerDfn			肖特基		CFP15	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMEG45U10EPDAZ-954	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	45 v	490 mv @ 10 a	16 ns	20 ma @ 10 V	-55°C〜150°C	10a	1170pf @ 1V，1MHz
BB208-02,135	-	RFQ	2082	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523					SOD-523	-				2156-BB208-02,135			1																									5.4pf @ 7.5V，1MHz				单身的	10 v										5.2	C1/C7.5	-
MD7IC2755NR1	114.3900	RFQ	2	NXP半导体	-	大部分	过时的		65 v		表面安装	TO-270-14变体，平面线		2.5GHz〜2.7GHz	LDMO （双）		TO-270 WB-14	-				2156-MD7IC2755NR1			3	2 n通道			10µA	275 MA	10W	25DB											-										28 V
BZX84-B51,215	-	RFQ	4054	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23	下载						0000.00.0000	1																				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 35.7 V										51 v	180欧姆
PMPB15XN，115	-	RFQ	7468	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-xfdfn暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		DFN1010B-6	-						0000.00.0000	1			n通道					20 v	7.3a（ta）	1.8V，4.5V	21mohm @ 7.3a，4.5V	900mv @ 250µA	20.2 NC @ 4.5 V	±12V	1240 pf @ 10 V	-	1.7W（TA），12.5W（tc）
PZU6.2BL，315	-	RFQ	3706	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-55°C〜150°C	表面安装	SOD-882	PZU6.2			250兆	DFN1006-2	下载						0000.00.0000	1																				1.1 V @ 100 mA		500 na @ 3 V										6.2 v	30欧姆
PMPB43XPE，115	1.0000	RFQ	6272	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMPB43		MOSFET （金属 o化物）		DFN2020MD-6	下载						0000.00.0000	1			P通道					20 v	5A（5A）	1.8V，4.5V	48mohm @ 5A，4.5V	900mv @ 250µA	23.4 NC @ 4.5 V	±12V	1550 pf @ 10 V	-	1.7W（TA），12.5W（tc）
PDTC123EMB，315	-	RFQ	8441	NXP半导体	-	大部分	积极的				表面安装	3-XFDFN	PDTC123			250兆	DFN1006B-3	下载						0000.00.0000	1																										50 V	100 ma				1µA			npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 20mA，5v	230 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
BZV85-C36,133	-	RFQ	3634	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	BZV85-C36			1.3 w	do-41	下载						0000.00.0000	1																				1 V @ 50 mA		50 na @ 25 V										36 V	50欧姆
PEMZ1,115	-	RFQ	9747	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	PEMZ1			300MW	SOT-666	下载						0000.00.0000	1																										40V	100mA				100NA（ICBO）			NPN，PNP	200mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	100MHz
BZT52H-B9V1,115	-	RFQ	2099	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52			375兆	SOD-123F	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-B9V1,115-954			1																				900 mv @ 10 ma		500 na @ 6 V										9.1 v	10欧姆
BZX884-B51,315	0.0300	RFQ	149	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SOD-882				250兆	DFN1006-2	下载						0000.00.0000	9,648																				900 mv @ 10 ma		50 NA @ 35.7 V										51 v	180欧姆
1N4733A，113	0.0300	RFQ	214	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-1N4733A，113-954	Ear99	8541.10.0070	1
BUK7107-55AIE，118	1.7400	RFQ	2	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-5，D²Pak（4引线 +选项卡，TO-263BB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK7107-55AIE，118-954			1			n通道					55 v	75A（TC）	10V	7mohm @ 50a，10v	4V @ 1mA	116 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	电流感应	272W（TC）
MRF6VP2600HR5,178	-	RFQ	3283	NXP半导体	*	大部分	积极的						MRF6VP2600		-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1																-
BUK9E08-55B，127	-	RFQ	4466	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK9E08-55B，127-954			1			n通道					55 v	75A（TC）	5V，10V	7mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	45 NC @ 5 V	±15V	5280 pf @ 25 V	-	203W（TC）
PMZB1200UPEYL	0.0400	RFQ	604	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN			MOSFET （金属 o化物）		DFN1006B-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMZB1200UPEYL-954	Ear99	8541.21.0095	1			P通道					30 V	410mA（ta）	1.5V，4.5V	1.4OHM @ 410mA，4.5V	950mv @ 250µA	1.2 NC @ 4.5 V	±8V	43.2 pf @ 15 V	-	310MW（TA），1.67W（tc）
PZU9.1B2,115	-	RFQ	9806	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F				310 MW	SC-90	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PZU9.1B2,115-954			1																				1.1 V @ 100 mA		500 na @ 6 V										9.1 v	10欧姆
PMZ950UPEYL	0.0400	RFQ	356	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883			MOSFET （金属 o化物）		SOT-883	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMZ950UPEYL-954	Ear99	8541.29.0095	1			P通道					20 v	500mA（ta）	1.2V，4.5V	1.4OHM @ 500mA，4.5V	950mv @ 250µA	2.1 NC @ 4.5 V	±8V	43 pf @ 10 V	-	360MW（TA），2.7W（TC）
BC869,115	0.1000	RFQ	43	NXP半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				1.2 w	SOT-89	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC869,115-954			1																										20 v	1 a				100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 100mA，1a	85 @ 500mA，1V	140MHz
PDTC123TU115	0.0200	RFQ	4136	NXP半导体	*	大部分	积极的						PDTC123					下载					Ear99	8541.21.0095	1
PMN48XPAX	-	RFQ	2032	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457			MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,260			P通道					20 v	4.1a（ta）	2.5V，4.5V	55mohm @ 2.4a，4.5V	1.25V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±12V	1000 pf @ 10 V	-	530mw（TA），6.25W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²